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耦合寄生电感矩阵对角化及碳化硅功率模块动态均流等效建模
Diagonalisation of Coupled Parasitic Inductance Matrix and Equivalent Modelling for SiC Power Modules During Dynamic Current Sharing
Xiaofeng Yang · Xuebao Li · Yongfan Zhan · Li Zhang 等8人 · IET Power Electronics · 2026年2月 · Vol.19
本文提出基于电路等效原理的耦合寄生电感矩阵（CPIM）解耦方法，通过矩阵对角化求解等效寄生电感（EPI），建立寄生电感网络模型，并结合芯片开关状态分析动态均流特性；验证了4芯片与6芯片并联模块EPI模型的理论与实验精度。
解读: 该研究直接支撑阳光电源SiC基组串式逆变器（如SG3125HV系列）及ST系列储能PCS中高功率密度、高频开关下的芯片级动态均流设计。精准EPI建模可优化功率模块布局与叠层母排设计，降低换流振荡与电压过冲，提升系统可靠性与EMI性能。建议在PowerTitan液冷储能系统及下一代户用/工商业逆变器平...
具有II型能带对齐NiO/AlGaN异质结的p-NiO栅极HEMT中栅极导电机制的研究
Investigation of gate conduction mechanisms in p-NiO gate HEMTs with a type-II band aligned NiO/AlGaN heterojunction
Huaize Liu · Yanghu Peng · Hui Guo · Na Sun 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126
本文研究了基于II型能带对齐NiO/AlGaN异质结的p型NiO栅极高电子迁移率晶体管（HEMT）中的栅极导电机制。通过分析器件的电学特性与能带结构，揭示了在反向偏压下栅极漏电流的主要输运机制，包括隧穿效应与热发射过程的贡献。研究发现，良好的能带匹配显著抑制了栅极漏电流，提升了器件的栅控能力与击穿特性。该工作为高性能p沟道栅HEMT的设计与优化提供了理论依据与技术支撑。
解读: 该研究对阳光电源的GaN功率器件应用具有重要参考价值。p-NiO栅极HEMT的栅极漏电流抑制技术可应用于SG系列高频光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率级设计,有助于提升器件开关频率和效率。II型能带对齐的异质结设计思路可优化公司三电平拓扑中GaN器件的性能,特别是在大功率密度场景下的可靠性。这对开...
通过范德华外延中2D–3D异质界面调控实现石墨烯上AlN的晶圆级可剥离生长
2D–3D heterointerface regulation of van der Waals epitaxy of AlN on graphene for wafer-scale exfoliation
Peng Liu · Yiwei Duo · Wenze Wei · Jiaxin Liu 等14人 · Applied Physics Letters · 2026年2月 · Vol.128
本文提出三步范德华外延法，在未处理双层石墨烯上生长可转移单晶AlN薄膜。通过首步超低V/III比保护石墨烯，第二步循环变比生长释放应变抑制开裂，最终实现晶圆级机械剥离。该方法为柔性深紫外器件提供高质量、可控剥离的AlN膜基础。
解读: 该研究聚焦AlN（氮化铝）在石墨烯上的范德华外延与剥离，属宽禁带半导体材料制备前沿，与阳光电源在SiC/GaN功率器件封装、高温高可靠性模块开发存在间接关联。虽不直接对应逆变器或PCS主电路，但AlN是高性能功率模块基板和封装绝缘层的关键材料（如ST系列PCS、PowerTitan中高频热管理需求）...