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IEEE电子器件汇刊特刊征稿：“面向射频、电力与光电子应用的超宽禁带半导体器件”
Call for Papers for a Special Issue of IEEE Transactions on Electron Devices on “Ultrawide Band Gap Semiconductor Device for RF, Power and Optoelectronic Applications”
| 作者 | |
| 期刊 | IEEE Journal of Photovoltaics |
| 出版日期 | 2026年2月 |
| 卷/期 | 第 16 卷 第 2 期 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 SiC器件 GaN器件 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 |
本文为IEEE电子器件汇刊特刊征稿启事，聚焦超宽禁带半导体（如AlN、β-Ga2O3、Diamond）在高频、高压、高温电力电子器件中的前沿研究，涵盖材料生长、器件物理、工艺集成及RF/功率/光电器件应用。
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SunView 深度解读
超宽禁带半导体是下一代高效率、高功率密度电力电子器件的核心基础，直接影响阳光电源ST系列PCS、PowerTitan储能系统及组串式逆变器的功率模块性能。相比SiC，AlN和Ga2O3有望进一步提升开关频率与热管理裕度，助力小型化、轻量化设计。建议阳光电源加强与高校及晶圆厂合作，开展β-Ga2O3基器件在1500V+储能变流器中的可靠性验证，并评估其在iSolarCloud平台智能诊断算法中对器件退化建模的潜在增益。