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排序:
功率器件技术
可靠性分析
功率模块
宽禁带半导体
★ 2.0
28纳米1T1R阻变存储器阵列中存取晶体管引发的可靠性退化优化与抑制
Optimization and Mitigation of Access-Transistor-Induced Reliability Degradation in 28 nm 1T1R RRAM Arrays
Yuhang Yang · Zongwei Wang · Shengyu Bao · Zheng Zhou 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年12月 · Vol.73
本文针对28 nm 1T1R阻变存储器阵列中存取晶体管因过驱动应力导致的可靠性退化问题，提出栅氧与沟道结构优化及半选器件电压优化方案，显著提升阵列耐久性，为先进节点高可靠性存储设计提供指导。
解读: 该文聚焦RRAM存取晶体管可靠性，属微电子器件级研究，与阳光电源主航道（光伏逆变器、储能PCS、功率模块）无直接产品关联。但其在栅氧可靠性建模、应力退化机理及宽温/高频下器件寿命预测方法上具共性参考价值，可间接支撑ST系列PCS和组串式逆变器中SiC/IGBT驱动级保护电路与长期运行可靠性设计优化，...