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采用高功函数氮化钼金属栅垂直无结柱状存取晶体管的创新DRAM单元
Innovative DRAM Cell Featuring a Vertical Junctionless Pillar Access Transistor With a High Work-Function Molybdenum Nitride Metal Gate for Enhanced Performance and Efficiency
Deyuan Xiao · Yi Jiang · Yunsong Qiu · Yuhong Zheng 等24人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2026年1月 · Vol.73
本文提出一种基于高功函数氮化钼（MoN）金属栅的垂直无结柱状DRAM存取晶体管，显著提升阈值电压与噪声容限，降低泄漏电流，在600°C以下工艺兼容，适用于高密度、高可靠性存储器件。
解读: 该研究聚焦于DRAM存储器中的先进金属栅功率晶体管材料（MoN），属微电子器件层级创新，与阳光电源主营的功率变换系统（如组串式逆变器、ST系列PCS、PowerTitan储能系统）无直接产品关联。虽MoN等高WF金属材料在理论上可拓展至高压功率器件栅极工程，但当前阳光电源功率器件依赖成熟SiC/IG...