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排序:
功率器件技术
宽禁带半导体
GaN器件
SiC器件
★ 2.0
通过范德华外延中2D–3D异质界面调控实现石墨烯上AlN的晶圆级可剥离生长
2D–3D heterointerface regulation of van der Waals epitaxy of AlN on graphene for wafer-scale exfoliation
Peng Liu · Yiwei Duo · Wenze Wei · Jiaxin Liu 等14人 · Applied Physics Letters · 2026年2月 · Vol.128
本文提出三步范德华外延法，在未处理双层石墨烯上生长可转移单晶AlN薄膜。通过首步超低V/III比保护石墨烯，第二步循环变比生长释放应变抑制开裂，最终实现晶圆级机械剥离。该方法为柔性深紫外器件提供高质量、可控剥离的AlN膜基础。
解读: 该研究聚焦AlN（氮化铝）在石墨烯上的范德华外延与剥离，属宽禁带半导体材料制备前沿，与阳光电源在SiC/GaN功率器件封装、高温高可靠性模块开发存在间接关联。虽不直接对应逆变器或PCS主电路，但AlN是高性能功率模块基板和封装绝缘层的关键材料（如ST系列PCS、PowerTitan中高频热管理需求）...