Yu Yan · Cunhua Dou · Xuan Zhang · Weijia Song 等12人 · Solid-State Electronics · 预计 2026年8月 · Vol.235

本文提出一种高精度提取先进MOSFET器件串联电阻（R_s）的方法，适用于纳米级沟道及宽禁带半导体器件，通过改进的I-V曲线拟合与准静态电容分析，抑制寄生效应干扰，提升器件建模准确性。

解读: 该研究对阳光电源组串式逆变器、ST系列PCS及PowerTitan储能系统中SiC/GaN功率模块的精确建模与热-电协同仿真具有支撑作用，可优化开关损耗预测与驱动设计。建议在新一代1500V高压平台产品开发中引入该R_s提取方法，提升器件级可靠性仿真精度，并纳入iSolarCloud平台的器件退化预...

Sherzod Khaydarov · Haihua Wang · Wei Zhang · Peng Zhou 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年10月

本研究探讨了基于绝缘体上硅（SOI）衬底的伪反相器（Ψ - 反相器）和伪 MOS（Ψ - MOS）在 NO₂ 和 NH₃ 气体检测中的应用。实验结果表明，具有高内部增益特性的 Ψ - 反相器，在针对两种目标气体的不同沟道厚度条件下，与 Ψ - MOS 器件相比，始终表现出更优异的灵敏度。在 1 ppm 浓度下，Ψ - 反相器对 NO₂ 和 NH₃ 的灵敏度分别达到了 1248% 和 83.9%，分别是 Ψ - MOS 灵敏度的 102.5 倍和 19.7 倍。此外，Ψ - 反相器结构具有直接输出...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于SOI基板的伪逆变器气体检测技术具有重要的潜在应用价值。在光伏电站、储能系统及氢能设施的运维管理中，环境气体监测是保障设备安全和人员健康的关键环节。 该技术对NO₂和NH₃的高灵敏度检测能力（1 ppm浓度下分别达到1248%和83.9%的灵敏度）可为我司多个业务...