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先进MOSFET中串联电阻提取方法
A method for series resistance extraction in advanced MOSFETs
| 作者 | Yu Yan · Cunhua Dou · Xuan Zhang · Weijia Song · Zhiyu Tang · Binhong Li · Jing Wan · Huabin Sun · Xing Zhao · Yun Wang · Yong Xu · Sorin Cristoloveanu |
| 期刊 | Solid-State Electronics |
| 出版日期 | 预计 2026年8月 |
| 卷/期 | 第 235 卷 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 SiC器件 GaN器件 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 |
本文提出一种高精度提取先进MOSFET器件串联电阻（R_s）的方法，适用于纳米级沟道及宽禁带半导体器件，通过改进的I-V曲线拟合与准静态电容分析，抑制寄生效应干扰，提升器件建模准确性。
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源组串式逆变器、ST系列PCS及PowerTitan储能系统中SiC/GaN功率模块的精确建模与热-电协同仿真具有支撑作用，可优化开关损耗预测与驱动设计。建议在新一代1500V高压平台产品开发中引入该R_s提取方法，提升器件级可靠性仿真精度，并纳入iSolarCloud平台的器件退化预警模型基础库。