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拓扑与电路 宽禁带半导体 有限元仿真 功率模块 ★ 2.0

基于MEFAB工艺的平面集成高选择性W波段带通滤波器

Planar-Integrated High-Selectivity W-Band Bandpass Filter Using MEFAB Process

Song-Yao Ji · Jin Xu · Shi-Xin Meng · Zi-Hao Zhou 等7人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年7月 · Vol.16

本文提出一种基于矩形微同轴线(RμCL)过渡结构的W波段高选择性平面集成带通滤波器,采用级联四重态拓扑实现四个传输零点;过渡结构插入损耗分别优于0.7 dB和1.1 dB;器件通过MEFAB工艺制造,体积小、稳定性好。

解读: 该文聚焦W波段高频微波滤波器设计与MEFAB微加工工艺,属于毫米波射频前端技术,与阳光电源主营业务(光伏逆变器、储能PCS、风电变流器等中低频功率变换设备)无直接关联。其高频互连与精密微结构工艺对阳光电源当前产品线影响极小;但长期看,若公司拓展智能运维雷达传感、无线状态监测或下一代SiC/GaN驱动...