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FinFET工艺中LDMOS晶体管双氧化物方案评估
Assessment of dual-oxide options for LDMOS transistors in FinFET technology
Alessandro Ruggieri · Lisa Tondelli · Luca Selmi · Solid-State Electronics · 2026年6月 · Vol.234
本文评估FinFET工艺下LDMOS晶体管采用双氧化物结构的可行性，聚焦栅氧/场氧厚度组合对击穿电压、导通电阻及可靠性的影响，通过TCAD仿真对比不同氧化层配置的电学性能与热稳定性。
解读: 该研究聚焦于先进FinFET工艺下LDMOS器件的栅介质优化，属底层功率半导体工艺探索，与阳光电源主流量产产品（如SG系列组串式逆变器、ST系列PCS）所用成熟平面型Si IGBT/SiC MOSFET芯片工艺路径差异较大。当前阳光电源正加速推进1200V/1700V SiC模块在下一代高密度储能变...
栅电容比对离子敏感型场效应晶体管存储器的影响
Effect of gate capacitance ratio on ion-sensitive FET memory
Henrique Lanfredi Carvalho · Pedro Henrique Duarte · Ricardo Cardoso Rangel · Joao Antonio Martino · Solid-State Electronics · 2026年6月 · Vol.234
本文研究栅极电容比对离子敏感型场效应晶体管（ISFET）存储特性的影响，探讨其在传感-存储一体化器件中的稳定性与可靠性机制。
解读: 该研究聚焦于ISFET器件的栅电容参数优化，属于微纳传感器与新型存储器件交叉领域，与阳光电源核心业务（光伏逆变器、储能PCS、功率变换系统）无直接技术关联。阳光电源产品不涉及生物/化学离子传感或非易失性存储器件设计。但其中关于界面电容建模、器件可靠性评估的方法论，可间接支撑功率器件（如SiC/GaN...
《具有反向掺杂的1T-DRAM》勘误表
Corrigendum to “1T-DRAM with retrograde doping”
Maki Ulla · M.D. Yasir Bashir · Mohammad Jawaid Siddiqui · Solid-State Electronics · 2026年4月 · Vol.233
本文为原刊发于《Solid-State Electronics》的1T-DRAM器件研究论文的勘误声明，涉及反向掺杂工艺在单晶体管动态随机存取存储器中的建模与电学特性修正，无新增实验或电路应用内容。
解读: 该文聚焦于半导体存储器件的掺杂工艺与器件物理，属微电子基础研究，与阳光电源核心电力电子业务无直接关联。虽宽禁带半导体（SiC/GaN）是公司逆变器和PCS功率模块的关键使能技术，但1T-DRAM属于数字集成电路范畴，不涉及功率变换、热管理或系统级应用。建议研发团队持续关注其工艺仿真方法论对功率器件T...
客座编辑部：通过器件与元件集成实现高功率密度电力变换器
Guest Editorial: High Power Density Power Converters Achieved by Device and Components Integration
Laili Wang · Alan Mantooth · Yan-Fei Liu · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2026年2月 · Vol.14
本文为IEEE JESTPE专题客座编辑部文章，聚焦高功率密度电力变换器的技术路径，强调通过功率半导体器件（如SiC/GaN）、无源元件、封装及热管理的深度集成来提升功率密度，涵盖多物理场协同设计、先进封装与系统级集成方法。
解读: 该文技术方向高度契合阳光电源ST系列PCS、PowerTitan储能系统的轻量化与高功率密度演进需求。SiC/GaN器件集成可降低PCS开关损耗，提升效率与功率密度；先进功率模块封装技术有助于组串式逆变器（如SG320HX）进一步缩小体积、增强散热能力。建议在下一代户用及工商业储能PCS中加速导入双...
面向电动汽车应用的SiC基多端口变换器优化设计
Optimal design of SiC-based multi-port converter with hybrid sources for electric vehicle applications
Ranjith V · S.S. Sivaraju · Solar Energy · 2026年4月 · Vol.308
本文针对电动汽车中混合能源（如电池、超级电容、光伏等）协同供电需求，提出一种基于碳化硅（SiC）器件的多端口DC-DC变换器拓扑及优化设计方法，重点解决高效率、高功率密度与动态响应协同优化问题。
解读: 该研究聚焦SiC多端口变换器在车用混合源系统中的应用，虽非阳光电源主营领域，但其SiC高频高效DC-DC技术可迁移至公司ST系列储能双向变流器（PCS）的辅助电源、光储充一体化系统中的能量路由模块，以及PowerStack液冷储能系统的内部直流耦合架构。建议阳光电源在下一代高功率密度PCS和光储充智...
铁电场效应晶体管中的短时电荷俘获效应：脉冲幅度与时间的影响
Short-term charge trapping effects in ferroelectric FETs: impact of pulse amplitude and timing
Dominik Kleimaier · Stefan Dünkel · Halid Mulaosmanovic · Johannes Müller 等7人 · Solid-State Electronics · 2026年4月 · Vol.233
本文研究铁电FET中由脉冲激励引发的短时电荷俘获行为，分析脉冲幅值与施加时序对阈值电压漂移、开关稳定性及器件可靠性的影响，为新型非易失性逻辑与存算一体器件提供物理机制支撑。
解读: 该文聚焦铁电FET基础器件物理，属前沿半导体材料与器件机理研究，与阳光电源当前主力产品（如ST系列PCS、组串式逆变器）所用SiC/GaN功率器件无直接关联。但电荷俘获机制研究对长期运行下功率模块（尤其高温高湿工况）的阈值稳定性与寿命预测具潜在参考价值，建议在下一代高可靠性功率模块失效模型开发中关注...
用于柔性钙钛矿太阳能电池的低温氧化锡电子传输层研究综述
Low temperature tin oxide electron transport layers for flexible perovskite solar cells: A review
Fareed Farihin Mohd Firdaus · Norasikin Ahmad Ludin · Akrajas Ali Umar · Ubaidah Syafiq 等6人 · Solar Energy · 2026年4月 · Vol.308
本文综述了低温制备的氧化锡（SnO₂）电子传输层在柔性钙钛矿太阳能电池中的应用进展，涵盖材料特性、制备工艺、界面工程及器件稳定性提升策略。
解读: 该文聚焦钙钛矿电池关键界面材料，虽属前沿光伏器件研究，不直接涉及阳光电源逆变器或储能系统硬件，但其提升光电转换效率与柔性适配性可间接利好公司组串式逆变器在BIPV和轻质组件场景的应用。建议关注低温SnO₂工艺兼容的新型组件与iSolarCloud平台的数据协同优化，为未来高效异质结/钙钛矿-晶硅叠层...
叉片晶体管在跨导运算放大器中的应用
Application of forksheet transistor in operational transconductance amplifier
Joao Antonio Martino · Julius Andretti Peixoto Pires de Paula · Paula Ghedini Der Agopian · Romain Ritzenthaler 等7人 · Solid-State Electronics · 2026年4月 · Vol.233
本文研究叉片晶体管（forksheet FET）在运算跨导放大器（OTA）中的应用，探讨其在先进CMOS工艺节点下提升模拟电路性能、降低寄生电容与功耗的潜力。
解读: 叉片晶体管属前沿纳米级器件结构，目前处于学术探索阶段，尚未进入功率半导体量产应用。阳光电源当前主力产品（如ST系列PCS、组串式逆变器）依赖成熟SiC/GaN功率模块，暂不涉及该器件层级设计。但长期看，若叉片结构延伸至高压功率FET，或可优化下一代高密度、高频PCS驱动级芯片。建议关注IMEC等机构...
铟纳米粒子介导的铕掺杂荧光粉等离子体增强用于砷化镓基三结太阳能电池
Indium nanoparticle-mediated plasmon enhancement of europium-doped phosphor fluorescence for gallium arsenide-based triple-junction solar cells
Wen-Jeng Ho · Ping-Yu Lin · Jheng-Jie Liu · Ching-Ho Tien · Solar Energy · 2026年5月 · Vol.309
本文研究利用铟纳米粒子的局域表面等离子体共振效应增强铕掺杂荧光粉发光效率，提升砷化镓基三结太阳能电池在近红外波段的光子利用率与外量子效率。
解读: 该研究聚焦于先进光伏材料光学增益，属电池端前沿提效路径，不直接涉及阳光电源逆变器或储能系统硬件设计。但其提升多结电池转换效率的成果，可间接优化配套组串式逆变器（如SG系列）在CPV或空间光伏场景下的输入特性匹配；建议关注其在高倍聚光光伏（HCPV）系统中的应用潜力，并评估与iSolarCloud平台...
探索低-k/高-k多层结构作为电容器高击穿强度电介质
Exploring low-k/high-k multilayers as high breakdown strength dielectrics for capacitors
Julie Chaussard · Chloé Guérin · Aude Lefèvre · Patrice Gonon 等5人 · Solid-State Electronics · 2026年4月 · Vol.233
本文研究低介电常数（low-k）与高介电常数（high-k）交替堆叠的多层电介质结构，旨在提升电容器击穿场强与能量密度，通过界面工程抑制电树生长并优化电场分布。
解读: 该研究涉及高压电容介质材料设计，对阳光电源ST系列PCS、PowerTitan储能系统中直流母线支撑电容、滤波电容的可靠性与功率密度提升具潜在价值。尤其在SiC高频化趋势下，高击穿强度电介质可减小电容体积、降低热应力，延长PCS寿命。建议在下一代PCS功率模块封装及储能系统直流侧无源元件选型中，联合...
反激变换器电磁干扰研究综述
A Review on Electromagnetic Interference in Flyback Converters
作者未知 · 电源学报 · 2025年11月 · Vol.2025
反激式变换器需满足严苛EMI标准。随着GaN/SiC等宽禁带器件普及及系统紧凑化，EMI管理更复杂。本文综述传导EMI建模与抑制技术，重点分析差模/共模噪声，并探讨辐射EMI机理，涵盖器件级设计与系统级优化方案。
解读: 反激变换器虽非阳光电源主功率拓扑（其光伏逆变器、ST系列PCS、PowerTitan等主要采用LLC、三电平、双向DC-DC等），但在辅助电源、驱动电路、控制板供电等子系统中广泛应用。EMI抑制能力直接影响整机CE认证通过率与现场运行可靠性。建议在组串式逆变器和户用光储系统（如SG系列+PowerS...
一种具有高可靠性的10T2R非易失性SRAM单元设计
A 10T2R non-volatile SRAM cell design with high-reliability
So-Yeon Kwon · Woon-San Ko · Jun-Ho Byun · Do-Yeon Lee 等7人 · Solid-State Electronics · 2026年4月 · Vol.233
本文提出一种10晶体管2电阻（10T2R）结构的非易失性SRAM单元，通过集成RRAM器件提升数据保持能力与抗辐射/抗干扰性能，在高温、电压波动等严苛工况下展现优异可靠性。
解读: 该研究聚焦于高可靠性存算一体SRAM单元，属底层存储器件创新，与阳光电源主航道产品（如组串式逆变器、ST系列PCS、PowerTitan储能系统）无直接功能关联。但其高可靠性设计方法（如抗扰动、宽温域稳定性）可间接支撑公司BMS芯片、iSolarCloud边缘控制器及构网型PCS中FPGA/ASIC...
GAA Si纳米片CFET器件中由PVE和IPF共同诱导的射频特性波动
Radio-frequency variability of GAA Si NS CFETs induced by PVE and IPF simultaneously
Sekhar Reddy Kola · Min-Hui Chuang · Yiming Li · Solid-State Electronics · 2026年4月 · Vol.233
本文研究环栅硅纳米片互补场效应晶体管（GAA Si NS CFETs）在工艺变异效应（PVE）和界面态起伏（IPF）共同作用下的射频参数波动机制，通过TCAD仿真与统计建模揭示其对fT、fmax等高频性能的影响。
解读: 该文聚焦先进CMOS器件级物理机制，属半导体基础器件研究，与阳光电源主航道产品（如组串式逆变器、ST系列PCS、PowerTitan）所用功率半导体模块（IGBT/SiC模块）无直接关联。阳光电源关注的是封装级功率器件在系统工况下的电气/热/可靠性表现，而非纳米级晶体管工艺波动。建议研发部门可将此类...
基于SU-8焊膜的铟凸点湿法回流工艺实现微LED键合
Bonding of micro LEDs using wet reflow process of indium bumps based on SU-8 solder mask
Shuangjia Bai · Taifu Lang · Xin Lin · Shuaishuai Wang 等8人 · Solid-State Electronics · 2026年6月 · Vol.234
本文研究采用SU-8光刻胶作为焊料掩膜，结合铟凸点湿法回流工艺实现微LED芯片的高精度、低损伤键合，提升互连可靠性与热管理性能。
解读: 该研究聚焦微尺度铟基互连与SU-8掩膜工艺，属先进封装与功率器件界面可靠性范畴，与阳光电源IGBT/SiC功率模块的焊料工艺、热界面材料优化及长期可靠性测试存在间接技术关联。虽不直接对应逆变器或PCS主电路设计，但可为ST系列PCS、组串式逆变器中高密度功率模块的低温键合、热应力抑制提供微纳级工艺参...
基于模拟预失真的双频功率放大器设计
Design of a Dual-Band Power Amplifier Based on Analog Predistortion
作者未知 · 电子元件与材料 · 2025年12月 · Vol.2025
针对5G通信双频段需求，提出融合模拟预失真与双频PA的设计方法：通过非线性发生器与移相/衰减支路合成预失真信号，结合n78/n79输出匹配及谐波抑制。实测显示40 dBm输出下PAE达55%–61%，IMD3改善超7 dBc。
解读: 该文聚焦5G射频功放线性化与效率优化，与阳光电源核心业务（光伏逆变器、储能PCS、风电变流器）无直接技术交集。其模拟预失真和双频谐波管理思路在理论上可启发逆变器宽带谐波抑制或宽频段EMI优化，但当前阳光电源产品（如ST系列PCS、PowerTitan）主要采用数字预失真（DPD）与先进调制算法（如S...
通过等离子体纳米颗粒增强无铅CsSnI₃基钙钛矿太阳能电池的光吸收与效率
Enhancing light absorption and efficiency in lead-free CsSnI<sub>3</sub>-based perovskite solar cells by plasmonic nanoparticles
Muhammad Fasih · Jianqing Chen · Anees Ur Rehman · Usama Arif 等7人 · Solar Energy · 2026年4月 · Vol.308
本文研究等离子体纳米颗粒对无铅CsSnI₃钙钛矿太阳能电池光吸收及光电转换效率的提升机制，涉及光学仿真、器件制备与表征，旨在推动高效稳定环保型光伏材料发展。
解读: 该研究聚焦于钙钛矿电池材料层面的光吸收增强，属于前沿光伏电池技术，与阳光电源主营的晶硅光伏逆变器及系统集成业务无直接产品关联。但其MPPT算法优化、光学-电学多物理场耦合分析方法可为iSolarCloud平台中新型组件发电模型校准提供参考。建议关注钙钛矿产业化进展，未来若实现GW级量产，可评估其与组...
4H-SiC表面热氮化与自由基氮化动力学差异研究：考虑氮掺入与氮脱附同步反应
Difference in kinetics between thermal nitridation and radical nitridation processes of 4H-SiC surface considering simultaneous N-incorporation and N-desorption reactions
Haruki Yoshida · Takashi Onaya · Atsushi Tamura · Koji Kita · Solid-State Electronics · 2026年4月 · Vol.233
本文对比分析4H-SiC表面在热氮化与自由基氮化过程中的动力学行为，建立同时包含氮掺入与氮脱附的反应模型，揭示界面氮化层生长机制及温度/活性物种对SiC氧化栅介质质量的影响。
解读: 该研究聚焦SiC器件表面氮化工艺对栅氧界面态和可靠性的影响，直接关联阳光电源组串式逆变器、ST系列PCS及PowerTitan中所用SiC MOSFET功率模块的长期稳定性。优化氮化工艺可降低器件开关损耗与阈值漂移，提升高温工况下逆变器效率与寿命。建议在新一代SiC功率模块封装验证中引入该界面动力学...
钒基无金低温欧姆接触中帽层效应研究
Investigation of cap layer effects on low-contact-resistance vanadium-based Au-free low-temperature ohmic contacts for AlGaN/GaN HEMT
Zijing Xie · Xiao Ma · Xinghuan Li · Jun Tang 等5人 · Solid-State Electronics · 2026年6月 · Vol.234
本文研究钒基无金低温欧姆接触在AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中的帽层结构对接触电阻的影响，旨在提升器件在低温工艺下的接触性能与可靠性。
解读: 该研究聚焦于GaN HEMT器件的欧姆接触工艺优化，属于前沿功率半导体材料与工艺基础研究。阳光电源在组串式逆变器、ST系列PCS及PowerTitan储能系统中已规模化应用GaN/SiC器件以提升效率和功率密度，但本工作偏重于芯片级接触金属化工艺，未涉及封装、驱动、热管理或系统级应用，与阳光电源当前...
Ti/HfO₂基忆阻器电阻窗变异性表征与仿真：钛层厚度的影响
Characterization and simulation of the resistance window variability in Ti/HfO<sub>2</sub>-based memristors: effect of the Ti layer thickness
M. Saludes-Tapia · F. Campabadal · M.B. González · E. Miranda · Solid-State Electronics · 2026年2月
本文研究Ti/HfO₂忆阻器中钛层厚度对电阻开关窗口变异性的调控机制，结合实验表征与物理模型仿真，揭示界面氧化态与氧空位迁移对阻变均匀性的关键影响。
解读: 该研究聚焦忆阻器材料级可靠性，属前沿纳米电子器件基础研究，与阳光电源当前主力产品（如ST系列PCS、PowerTitan储能系统、组串式逆变器）无直接技术关联。忆阻器暂未应用于光伏/储能功率变换主电路或控制芯片。但其在类脑计算、存内计算等未来智能运维边缘AI硬件中具潜在探索价值，建议关注其在iSol...
基于可变开关频率控制提升GaN牵引逆变器在电动汽车应用中的效率与功率密度
Variable Switching Frequency Control for Efficiency and Power Density Improvement of a GaN-based Traction Inverter for EV Applications
Philip Korta · Animesh Kundu · Lakshmi Varaha Iyer · Narayan C. Kar · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年6月
宽禁带半导体器件在电动汽车牵引逆变器中因具备更高的能效和功率密度而受到广泛关注。本文研究利用氮化镓（GaN）器件的快速开关特性，进一步提升牵引逆变器的效率与功率密度。建立了GaN逆变器的电热耦合模型，并通过实验验证了其精度，在多数工况下效率误差不超过0.3%或损耗偏差小于100 W。提出一种考虑直流母线电压纹波限制的新型可变开关频率策略，相较固定开关频率方案最高可提升效率5%。结合GaN的高速开关能力，该方法使电容体积减小35.7%，同时提高了驾驶循环效率和逆变器功率密度。
解读: 该GaN可变开关频率控制技术对阳光电源新能源汽车产品线具有重要应用价值。文中提出的电热耦合建模方法和考虑母线纹波约束的变频策略，可直接应用于阳光电源车载OBC充电机和电机驱动系统的优化设计。通过动态调整开关频率，在轻载工况降频减少开关损耗，重载时提频保证性能，可使驱动系统效率提升最高5%，同时电容体...
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