Xinze Li · Fanfan Lin · Changjiang Sun · Xin Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年8月

新兴的电力变换器灰箱建模方法有效缓解了传统基于物理的白箱模型中存在的模型差异问题，同时为数据驱动的黑箱模型提供了一种数据需求少且可解释的替代方案。然而，现有灰箱建模方法仍面临一个重大挑战，即对域外拓扑结构的泛化能力较差。这一局限性使得在遇到新的拓扑结构时，需要重建或重新训练模型，从而阻碍了其广泛应用。针对这些挑战，本文提出了一种专门适用于双有源桥（DAB）变换器拓扑族的通用灰箱建模方法，该方法基于所提出的拓扑可迁移的架构内物理混合密度网络（T²PA - MDN）。作为核心部分，T²PA 网络对循...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项针对双有源桥（DAB）变换器族的通用灰盒建模技术具有重要的战略价值。DAB拓扑是我司储能系统、光储一体化方案以及电动汽车充电设备中的核心功率变换单元，该技术的拓扑迁移能力直接契合我们产品线多样化的现实需求。 该技术的核心创新在于T²PA-MDN网络架构，通过将电路物理...

Tieying Zhang · Peng Cui · Xin Luo · Siheng Chen 等11人 · Solid-State Electronics · 2025年2月 · Vol.224

摘要 本研究探讨了不同帽层对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）电学特性的影响。通过对比制备的具有GaN和AlN帽层的AlGaN/GaN HEMTs，发现AlN帽层由于其优异的钝化效果和极化效应，能够提高二维电子气（2DEG）密度，从而获得更高的饱和电流，并使击穿电压从615 V（GaN帽层）提升至895 V（AlN帽层）。Sentaurus TCAD仿真结果验证了上述实验发现，表明AlN帽层器件中形成了更深的三角形量子势阱，导致2DEG电子密度达到1.19 × 10^13 cm^...

解读: 该AlN帽层GaN HEMT技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究显示AlN帽层可将击穿电压提升至895V，梯度帽层结构更达1308V，2DEG密度提升28%。这为我司SG系列光伏逆变器、ST储能PCS及充电桩的GaN功率模块设计提供优化方向：通过改进帽层结构可提升器件耐压等级和导通性能，支持...

Shuangjia Bai · Taifu Lang · Xin Lin · Shuaishuai Wang 等8人 · Solid-State Electronics · 2026年6月 · Vol.234

本文研究采用SU-8光刻胶作为焊料掩膜，结合铟凸点湿法回流工艺实现微LED芯片的高精度、低损伤键合，提升互连可靠性与热管理性能。

解读: 该研究聚焦微尺度铟基互连与SU-8掩膜工艺，属先进封装与功率器件界面可靠性范畴，与阳光电源IGBT/SiC功率模块的焊料工艺、热界面材料优化及长期可靠性测试存在间接技术关联。虽不直接对应逆变器或PCS主电路设计，但可为ST系列PCS、组串式逆变器中高密度功率模块的低温键合、热应力抑制提供微纳级工艺参...

Yi-Meng Gao · Jian-Fei Liu · Lin-Zhu Bi · Hongtao Yu 等11人 · Applied Physics Letters · 2026年2月 · Vol.128

The detection of direct current (DC) magnetic fields is essential for applications including space exploration, marine monitoring, and seismic study. In this work, we demonstrate a cavity optomechanical magnetometer for DC magnetic field sensing, whi...