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金属有机化学气相沉积制备的金红石相二氧化锗薄膜具有高热导率：52.9 W m−1 K−1
High thermal conductivity of rutile-GeO2 film by metal-organic chemical vapor deposition: 52.9 W m−1 K−1
Imteaz Rahaman · Michael E. Liao · Ziqi Wang · Eugene Y. Kwon 等13人 · Applied Physics Letters · 2026年2月 · Vol.128
本文报道了通过金属有机化学气相沉积法制备的高质量(002)取向金红石相GeO2薄膜，实测热导率达52.9±6.6 W·m⁻¹·K⁻¹，结合种子层驱动结晶与化学机械抛光显著改善相纯度和表面粗糙度，验证其作为超宽禁带氧化物半导体在功率电子中的应用潜力。
解读: 该研究聚焦于新型超宽禁带氧化物半导体GeO2的热管理性能突破，虽非阳光电源当前主力器件（如SiC/GaN逆变器模块），但其高达52.9 W·m⁻¹·K⁻¹的热导率对下一代高功率密度PCS（如ST系列、PowerTitan）及组串式逆变器的功率模块散热设计具前瞻参考价值。建议阳光电源材料与热设计团队关...