找到 5 条结果 · 功率器件技术
双层NiO/β-Ga2O3异质结二极管实现2870 V/20 A及12.80 ns反向恢复时间
Double-Layered-NiO/β-Ga2O3 Heterojunction Diode With 2870-V/20-A and 12.80-ns Reverse Recovery Time
Shaobo Dun · Yuangang Wang · Yuanjie Lv · Tingting Han 等7人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2026年1月 · Vol.73
本文报道了一种基于双层p-NiO/β-Ga2O3的高压大电流异质结二极管，实现2870 V击穿电压、20 A正向电流、14.4 mΩ·cm²导通电阻及12.80 ns超快反向恢复时间，展现出优异的高压高频功率器件潜力。
解读: 该β-Ga2O3异质结二极管在高压（>2.8 kV）、快速开关（<13 ns）和低导通损耗方面取得突破，可支撑阳光电源下一代高功率密度ST系列PCS、PowerTitan储能系统中更高效率的直流侧开关模块设计，尤其适用于1500 V+高压储能系统中的固态断路器或高频隔离DC-DC环节。建议联合国内宽...
增强型GaN p型场效应晶体管中的极化增强电导
Polarization-enhanced conductivity in enhancement-mode GaN p-FET
Hengyuan Qi · Teng Li · Jingjing Yu · Jialin Duan 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年9月 · Vol.127
本文报道了一种通过极化工程实现高电导率的增强型GaN p型场效应晶体管。利用AlN/GaN超晶格中的自发和压电极化效应，显著增强了空穴载流子浓度与迁移特性，从而在常关型器件中实现了优异的导通性能。实验结果表明，极化诱导的二维空穴气有效调制了p型沟道电导，提升了器件的电流开关比和阈值电压稳定性。该策略为高性能GaN基互补电路的发展提供了可行路径。
解读: 该GaN p-FET极化增强技术对阳光电源的功率变换产品具有重要价值。通过AlN/GaN超晶格结构提升的载流子特性，可显著改善SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的导通性能，有助于降低开关损耗。特别是在1500V高压系统中，该技术可提升GaN器件的可靠性和效率。同时，增强型p-FET的...
高迁移率AlGaN/GaN异质结构在金刚石(111)衬底上的直接外延生长
High-mobility AlGaN/GaN heterostructures directly grown on diamond (111) substrates using a high-temperature physical-vapor-deposition AlN nucleation layer
Hongcai Yang · Xuelin Yang · Han Yang · Kexin Zhang 等18人 · Applied Physics Letters · 2026年2月 · Vol.128
本文提出高温物理气相沉积AlN（HT-PVD-AlN）成核技术，成功实现GaN在金刚石(111)衬底上的高质量直接外延，获得室温电子迁移率1640 cm²/(V·s)的AlGaN/GaN异质结，显著提升热管理能力。
解读: 该研究提升GaN器件在超高功率密度下的热可靠性，对阳光电源ST系列PCS、PowerTitan储能系统中高频高效功率模块的散热设计具参考价值；建议关注金刚石基GaN在1500V+高压PCS中的长期可靠性验证，并与现有SiC模块做热-电协同仿真对比，支撑下一代组串式逆变器和构网型储能变流器的器件选型升...
Reliability Investigations, Machine Vision Recognition, and Artificial Intelligence-Driven Protective Circuit Design of Extreme Temperature Fluctuations on Orange AlInGaP Light-Emitting Diodes
Chun-Yen Yang · Yu-Tung Chen · Kun-Pu Lee · Yu-Tzu Chou 等13人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2026年1月 · Vol.73
This study investigates the stability and degradation of AlInGaP-based yellow light-emitting diodes (LEDs) subjected to extreme temperature cycling between $106~^{\circ }$ C and $- 196~^{\circ }$ C. Over 120 min, significant changes in electrical a...
采用高功函数氮化钼金属栅垂直无结柱状存取晶体管的创新DRAM单元
Innovative DRAM Cell Featuring a Vertical Junctionless Pillar Access Transistor With a High Work-Function Molybdenum Nitride Metal Gate for Enhanced Performance and Efficiency
Deyuan Xiao · Yi Jiang · Yunsong Qiu · Yuhong Zheng 等24人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2026年1月 · Vol.73
本文提出一种基于高功函数氮化钼（MoN）金属栅的垂直无结柱状DRAM存取晶体管，显著提升阈值电压与噪声容限，降低泄漏电流，在600°C以下工艺兼容，适用于高密度、高可靠性存储器件。
解读: 该研究聚焦于DRAM存储器中的先进金属栅功率晶体管材料（MoN），属微电子器件层级创新，与阳光电源主营的功率变换系统（如组串式逆变器、ST系列PCS、PowerTitan储能系统）无直接产品关联。虽MoN等高WF金属材料在理论上可拓展至高压功率器件栅极工程，但当前阳光电源功率器件依赖成熟SiC/IG...