Fengyi Li · Juan Xue · Xu Hou · Aoran Fan 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年10月

本文通过光电联合测量技术，研究了器件陷阱在高温、高频关态电应力下的演变过程及其精确位置。瞬态电流分析揭示了四种不同类型陷阱的存在。具有微秒级时间常数的陷阱在高温应力下呈现出显著的演变。高温条件还会导致表面态陷阱出现预填充现象，从而使器件的开态电流持续减小。实验结果将有助于优化器件性能。

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于GaN HEMT器件陷阱演化机制的研究具有重要的战略意义。GaN功率器件凭借其高开关频率、低损耗特性，已成为我们新一代光伏逆变器和储能变流器的核心技术路径。该研究通过光电联合测量技术揭示了器件在高温高频断态应力下的陷阱演化规律，直接关系到产品的长期可靠性。 研究发...

Yapeng Zhang · Xiaobo She · Xiang Wang · Yucheng Hou 等12人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年12月 · Vol.73

本文报道一种单片集成AlGaN紫外（275 nm）事件传感器像素，具备200 μs时间分辨率，峰值响应350 mV（7.8 mW/cm²），采用事件驱动机制，无需帧读出与外部处理，可扩展为UV事件相机阵列，适用于高速运动追踪与实时环境监测。

解读: 该研究聚焦AlGaN宽禁带光电器件，属半导体材料与传感层面创新，与阳光电源核心产品（如组串式逆变器、ST系列PCS、PowerTitan）无直接功能关联。但其在高可靠性、高温/强紫外环境下AlGaN器件工艺与封装经验，可间接支撑公司面向极端工况（如沙漠光伏电站、高海拔储能系统）的功率器件选型与热-光...

Yufeng Zhang · Shuying Yang · Jinggang Zheng · Yinlong Ren 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年10月 · Vol.14

针对弱电网下短路故障时无功支撑能力不足问题，本文提出一种可重构柔性全功率变流器拓扑，通过故障时将部分机侧变流器切换至网侧并联运行，提升暂态电流输出能力，增强电网强度，同时提高硬件利用率。

解读: 该技术直接关联阳光电源风电变流器产品线，尤其适用于其双馈/直驱风电全功率变流器升级。其动态重构思想可迁移至ST系列PCS在构网型储能场景中的多单元协同控制，或赋能PowerTitan系统在风光储联合调频中实现变流单元灵活复用。建议在下一代风电变流器及混合储能变流器中集成该重构逻辑，提升LVRT/HV...

Jiafei Yao1Zhengfei Yang1Yuxuan Dai1Ziwei Hu1Man Li2Kemeng Yang2Jing Chen2Maolin Zhang2Jun Zhang2Yufeng Guo2 · 半导体学报 · 2025年8月 · Vol.46

本文提出一种集成高K（HK）栅介质与分裂栅（SG）的4H-SiC超级结MOSFET（HKSG-SJMOS）。该器件采用高K介质作为包围源极连接分裂栅与金属栅的栅介质，优化漂移区电场分布，形成低阻导电通道，提升击穿电压（BV）并降低比导通电阻（Ron,sp）。分裂栅结构结合高K介质有效减小栅-漏电容（Cgd）与栅-漏电荷（Qgd），改善开关特性。仿真结果表明，相较于传统器件，HKSG-SJMOS的优值（FOM=BV²/Ron,sp）提升110.5%，高频优值（Ron,sp·Cgd）降低93.6%，...

解读: 该HKSG-SJMOS技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。其110.5%的FOM提升和93.6%的Ron,sp·Cgd降低，可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的SiC功率模块设计，显著降低导通损耗和开关损耗（开通/关断损耗分别减少38.3%/31.6%）。高K介质与分裂栅结构有效...