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功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

适用于低温环境的氮化镓高电子迁移率晶体管精确开关瞬态解析模型

An Accurate Analytical Switching Transient Model for GaN HEMT Operating at Cryogenic Temperature

Yanjie He · Zilong Chen · Yukun Zhang · Yudong Wang 等7人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年10月 · Vol.14

本文建立了适用于低温(143K/203K)环境的GaN HEMT开关瞬态解析模型,综合考虑温度依赖的I-V特性、电压相关寄生电容及反向有源区串扰效应。实验验证显示,开通/关断损耗误差分别低于6%/9%,时间误差低于7%/10%,证实其在低温下开关速度提升、损耗降低的机理。

解读: 该模型对阳光电源面向极端环境(如高海拔、极地光伏电站或太空能源系统)的下一代高效功率模块研发具有重要参考价值。尤其可支撑ST系列PCS及PowerTitan储能系统中GaN基双向变换器的低温损耗精准预测与热管理优化;建议在组串式逆变器高频化升级路径中开展GaN HEMT低温工况实测对标,并纳入iSo...

可靠性与测试 可靠性分析 多物理场耦合 有限元仿真 ★ 2.0

金属/介质异质材料在混合键合中表面/界面反应机制的研究进展

Research Progress on the Surface/Interface Reaction Mechanism of Metal/Dielectric Heterogeneous Materials in Hybrid Bonding

Xuze Li · Yu Zhang · Fei Ding · Renxi Jin 等9人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2026年1月 · Vol.16

本文综述了混合键合中金属/介质异质材料表面与界面的物理化学反应机制,涵盖等离子体/化学处理对表面结构的影响、界面力演化、水分子作用、键合波传播及副反应对可靠性的影响,旨在提升3D封装界面质量与长期可靠性。

解读: 该文聚焦先进封装中的界面反应与可靠性机理,虽属半导体封装领域,与阳光电源主航道(光伏逆变器、储能PCS)无直接产品关联,但其关于金属-介质界面老化、湿气诱导失效、热-力-电多场耦合退化机制的分析方法,可迁移至公司高功率密度产品(如ST系列PCS、PowerTitan液冷储能系统)中功率模块封装可靠性...