找到 112 条结果

排序:
功率器件技术 SiC器件 GaN器件 ★ 4.0

具有AlN超晶格背势垒的SiC衬底双通道AlGaN/GaN肖特基势垒二极管

Double-channel AlGaN/GaN Schottky barrier diode with AlN super back barrier on SiC substrate

Tao Zhang · Junjie Yu · Heyuan Chen · Yachao Zhang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126

本文报道了一种在SiC衬底上制备的具有AlN超晶格背势垒结构的双通道AlGaN/GaN肖特基势垒二极管。通过引入AlN超晶格作为背势垒,有效抑制了二维电子气向衬底方向的扩展,增强了载流子 confinement 效应,提升了器件的反向阻断能力与正向导通性能。该结构实现了高击穿电压与低泄漏电流的优异平衡。实验结果表明,器件具有较低的开启电压和高电流密度,同时反向击穿电压显著提高。该设计为高性能GaN基功率二极管的发展提供了可行方案。

解读: 该双通道AlGaN/GaN肖特基二极管技术对阳光电源的功率器件升级具有重要参考价值。AlN超晶格背势垒结构可显著提升GaN器件的击穿电压和导通特性,这对SG系列1500V光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频化设计至关重要。特别是在三电平拓扑中,该技术可用于优化快恢复二极管的性能,有助于提升系统效率和...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

高击穿电压的710 GHz氮化镓梯度掺杂肖特基势垒二极管

710 GHz GaN gradient doped Schottky barrier diode with high breakdown voltage

Xiufeng Song · Shenglei Zhao · Kui Dang · Longyang Yu 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年3月 · Vol.126

本文报道了一种基于氮化镓(GaN)材料的梯度掺杂肖特基势垒二极管,实现了高达710 GHz的截止频率和优异的击穿特性。通过优化梯度掺杂结构,有效调控了电场分布,显著提升了器件的击穿电压,同时保持了低势垒高度与低寄生电阻,从而实现高频与高功率兼容性能。该器件在太赫兹应用中展现出巨大潜力,为下一代高频电子器件提供了可行的技术路径。

解读: 该710GHz GaN梯度掺杂肖特基二极管技术对阳光电源功率器件升级具有重要参考价值。其梯度掺杂结构优化思路可启发我们在SG系列逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的设计,特别是在高频DC-DC变换环节。高击穿电压特性有助于提升1500V系统的可靠性,而优异的高频特性可支持逆变器向更高开关频率发展...

储能系统技术 ★ 5.0

高熵Bi0.5Na0.5TiO3基陶瓷电容器中增强的静电储能性能

Enhanced electrostatic energy-storage performances in the high-entropy Bi0.5Na0.5TiO3-based ceramic capacitors

Wenjie Xie · Wenjing Yu · Yang Yang · Yuanyuan Gong 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126

本文研究了一种基于高熵设计的Bi0.5Na0.5TiO3基陶瓷电容器,通过多元素掺杂策略调控晶格畸变与弛豫行为,显著提升了其静电储能性能。实验结果表明,该材料具有较高的储能密度与效率,归因于增强的极化强度和抑制的滞后损耗。微观结构分析揭示了高熵效应对畴结构细化和介电响应均匀性的促进作用。该工作为高性能储能陶瓷的设计提供了新思路。

解读: 该高熵陶瓷电容器技术对阳光电源储能系统具有重要应用价值。在ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统中,高储能密度陶瓷电容可替代传统薄膜电容,用于直流母线支撑、滤波和脉冲功率缓冲环节,显著减小体积和重量。其高效率、低滞后损耗特性可降低无功损耗,提升变流器整体效率。在SG系列光伏逆变器的MP...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于结构函数法与静态-脉冲I–V测量的射频HEMT用GaN-on-Si材料热阻优化

Thermal resistance optimization of GaN-on-Si materials for RF HEMTs based on structure function method and static-pulsed I–V measurements

Qingru Wang · Yu Zhou · Xiaozhuang Lu · Xiaoning Zhan · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126

针对射频高电子迁移率晶体管(RF HEMT)应用的GaN-on-Si材料,提出一种结合结构函数法与静态-脉冲I–V测量的热阻优化方法。通过提取不同器件结构下的瞬态热响应,利用结构函数分析热阻抗分布特征,识别主要热瓶颈。结合静态与脉冲I–V特性测量,量化自热效应并评估有效热阻。据此优化外延层结构与衬底工艺,显著降低器件热阻,提升散热性能与可靠性,为高性能GaN基射频器件的设计与制造提供指导。

解读: 该研究对阳光电源GaN器件应用有重要参考价值。结构函数法与静态-脉冲I-V测量相结合的热阻优化方法,可直接应用于SG系列高频光伏逆变器和ST系列储能变流器的GaN功率模块设计。通过优化外延层结构与衬底工艺,可显著提升GaN器件散热性能,有助于实现更高功率密度的产品设计。这对提高阳光电源新一代1500...

光伏发电技术 ★ 2.0

Topology design of quadratic boost converter for nonuniformly aged photovoltaic modules mismatch mitigation

Feng Gao · Guochao Zhang · Xun Ma · Jingying Yao 等6人 · Solar Energy · 2026年4月 · Vol.308

光伏发电技术 SiC器件 ★ 5.0

MoS2/SiC异质结的能带对齐及其超高整流比和光伏效应

Band alignment of MoS2/SiC heterojunctions with ultrahigh rectifying ratio and photovoltaic effect

Binbin Ding · Qian Liu · Yu Zhou · Boyi Bai 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年8月 · Vol.127

本文研究了MoS2/SiC异质结的能带对齐特性,该结构表现出极高的整流比和显著的光伏效应。通过精确调控界面特性,实现了优异的电学性能和光响应特性。实验结果表明,该异质结具有清晰的能带偏移和良好的载流子分离效率,在可见光至近红外波段展现出高效的光电转换能力。该研究为二维/宽禁带半导体异质结构在高性能光电器件中的应用提供了重要依据。

解读: 该MoS2/SiC异质结研究对阳光电源SiC功率器件应用具有重要参考价值。超高整流比特性可优化ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中的SiC MOSFET性能,降低反向漏电流,提升系统效率。能带工程方法为功率模块界面优化提供理论依据,可改善器件开关特性和热稳定性。光伏效应研究启发在三电平拓扑中探索...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

增强型GaN p型场效应晶体管中的极化增强电导

Polarization-enhanced conductivity in enhancement-mode GaN p-FET

Hengyuan Qi · Teng Li · Jingjing Yu · Jialin Duan 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年9月 · Vol.127

本文报道了一种通过极化工程实现高电导率的增强型GaN p型场效应晶体管。利用AlN/GaN超晶格中的自发和压电极化效应,显著增强了空穴载流子浓度与迁移特性,从而在常关型器件中实现了优异的导通性能。实验结果表明,极化诱导的二维空穴气有效调制了p型沟道电导,提升了器件的电流开关比和阈值电压稳定性。该策略为高性能GaN基互补电路的发展提供了可行路径。

解读: 该GaN p-FET极化增强技术对阳光电源的功率变换产品具有重要价值。通过AlN/GaN超晶格结构提升的载流子特性,可显著改善SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的导通性能,有助于降低开关损耗。特别是在1500V高压系统中,该技术可提升GaN器件的可靠性和效率。同时,增强型p-FET的...

氢能与燃料电池 电解水制氢 储能系统 功率器件技术 ★ 3.0

超结构优化揭示基于混合固体氧化物电解池的新型成本最优电转甲醇路径

Superstructure optimization reveals novel cost-optimal power-to-methanol pathways using hybrid solid oxide electrolysis cells

Meng Qi · Seyed Mojtaba Alirahmi · Chengtian Cui · Zhiwei Zhang 等9人 · Applied Energy · 2026年5月 · Vol.410

本文通过超结构优化方法,评估多种电转甲醇(Power-to-Methanol)工艺路径,重点分析混合固体氧化物电解池(SOEC)耦合可再生能源供电的系统配置,以实现全生命周期成本最优。

解读: 该研究聚焦于SOEC电解制氢及后续甲醇合成路径优化,虽非阳光电源直接产品领域,但其电力输入侧高度依赖高效率、宽功率调节范围的直流电源系统,与阳光电源ST系列PCS(尤其适用于绿氢/绿醇项目的双向大功率变流器)、PowerTitan储能系统在波动性可再生能源消纳与功率平抑方面的协同潜力显著。建议阳光电...

控制与算法 DAB ★ 5.0

基于电压平衡的IPOS DAB变换器最优混合容错控制

Optimal Hybrid Fault Tolerant Control With Voltage Balancing for IPOS DAB Converters

Chong Zhang · Jie Zhu · Xiaogang Ding · Samson Shenglong Yu 等5人 · IET Power Electronics · 2025年6月 · Vol.18

本文提出了一种针对输入并联输出串联双有源桥(DAB)变换器开路故障(OCF)的最优混合容错控制策略。该方法充分利用发生OCF后DAB模块剩余的功率转换能力,在全局控制范围内实现功率开关的零电压开关(ZVS)或零电流开关(ZCS)以及二极管的零电流关断,有效提升系统在故障工况下的运行效率与稳定性,同时兼顾电压均衡控制性能。

解读: 该IPOS DAB容错控制技术对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统具有重要应用价值。DAB变换器广泛应用于储能系统的DC-DC隔离变换环节,该研究提出的开路故障容错策略可直接提升阳光电源储能产品的可靠性和系统可用率。通过在故障工况下实现ZVS/ZCS软开关和电压均衡控制,可...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于HfAlOx电荷俘获层介质与原位O3处理的InAlN/GaN MIS-HEMT器件栅极漏电流和击穿电压的改善

Improved gate leakage current and breakdown voltage of InAlN/GaN MIS-HEMTs by HfAlOx-based charge-trapping layer dielectric and _in situ_ O3 treatment

Fangzhou Du · Yang Jiang · Hong Kong · Peiran Wang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种通过引入HfAlOx基电荷俘获层介质并结合原位O3处理,显著改善InAlN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)性能的方法。该工艺有效抑制了栅极漏电流,同时提升了器件的击穿电压。HfAlOx层可捕获界面正电荷,降低电场峰值,而原位O3处理则优化了介质/半导体界面质量,减少缺陷态密度。实验结果表明,器件的栅极泄漏电流显著降低,反向击穿电压大幅提高,为高性能GaN基功率器件的研制提供了可行的技术路径。

解读: 该研究的HfAlOx介质与O3处理工艺对阳光电源的GaN功率器件开发具有重要参考价值。通过降低栅极漏电流和提高击穿电压,可显著提升GaN器件在高频应用场景下的可靠性,特别适用于SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频DC-DC模块。该技术可优化阳光电源产品的功率密度和转换效率:在光伏逆变器中可实...

系统集成 风光储 海上风电 氢能与燃料电池 ★ 4.0

面向海上风电-海水制氢-海洋牧场一体化系统的鲁棒多准则决策框架与大语言模型融合研究

A robust MCDM framework with LLM for offshore wind power-seawater hydrogen production-marine ranch integrated system investment decision

Xiaoyu Yu · Xiwen Cui · Dongxiao Niu · Yuchen Diao 等5人 · Applied Energy · 2026年5月 · Vol.410

本文提出一种融合大语言模型(LLM)的鲁棒多准则决策(MCDM)框架,用于评估海上风电耦合海水电解制氢及海洋牧场的一体化系统投资可行性,涵盖技术、经济、环境与社会多维指标。

解读: 该研究涉及海上风电制氢系统集成,与阳光电源ST系列储能变流器(PCS)、PowerTitan大型储能系统及iSolarCloud智能平台高度协同——ST PCS可适配电解槽动态功率调节,PowerTitan可支撑离网型制氢微网能量缓冲,iSolarCloud可扩展氢能场景数字孪生与投资决策支持模块。...

系统集成 光储一体化 调峰调频 多物理场耦合 ★ 3.0

在聚光太阳能热发电系统中构建新型闭环高效多功能CO₂利用路径

Constructing a novel closed-loop and efficient pathway for multi-functional CO<sub>2</sub> utilization in concentrated solar power systems

Yang Yu · Zhipeng Zhang · Binjian Nie · Nan He 等7人 · Energy Conversion and Management · 2026年4月 · Vol.353

本文提出将CO₂作为工质与储能介质耦合应用于聚光太阳能热发电(CSP)系统,构建集热、储热、动力循环与碳利用于一体的闭环路径,提升系统能效与碳减排价值。

解读: 该研究聚焦CSP系统中的CO₂跨临界动力循环与热化学储能耦合,虽非阳光电源主流光伏/电化学储能赛道,但其闭环能量管理理念可迁移至光储一体化系统设计。对PowerTitan大型构网型储能系统在火电替代、调峰调频场景中的热-电协同控制策略有启发意义;建议阳光电源在iSolarCloud平台中拓展多能流仿...

氢能与燃料电池 氢储能 储能系统 多物理场耦合 ★ 2.0

基于AB型储氢合金动力学实验的集线式反应器结构设计与优化

Design and optimization of a hub-type reactor configuration based on the kinetics experiments of AB-type hydrogen storage alloys

Liuyang Xu · Linhan Yu · Yumin Wang · Heyuan Zhang 等8人 · Energy Conversion and Management · 2026年4月 · Vol.353

本文通过AB型储氢合金的动力学实验,开展集线式储氢反应器的结构设计与参数优化,重点研究传热传质耦合机制及反应器几何构型对吸/放氢速率的影响。

解读: 该研究聚焦于金属氢化物储氢反应器的热质传递优化,属于氢能储运环节,与阳光电源当前主力产品线(光伏逆变器、ST系列PCS、PowerTitan储能系统)无直接技术交集。阳光电源正布局绿氢系统(如SEP50电解槽),但尚未涉足固态金属氢化物储氢装备。建议关注其在长时储能耦合场景的潜在延伸价值,未来可评估...

储能系统技术 储能系统 宽禁带半导体 DAB ★ 5.0

基于Kent映射的混沌频率调制用于IPOS双有源桥变换器传导共模EMI抑制

Kent Mapping-Based Chaotic Frequency Modulation for Conducted Common-Mode EMI Suppression in IPOS Dual Active Bridge Converters

Chong Zhang · Xiaogang Ding · Yu Zhou · Samson Shenglong Yu 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年8月

随着宽禁带器件和电磁材料的发展,双有源桥(DAB)变换器因高功率密度和低滤波需求而广泛应用,但其高频运行易引发电磁干扰(EMI)问题。本文提出一种基于Kent映射的混沌变频调制(C-VSFM)方法,有效抑制输入并联输出串联(IPOS)DAB变换器的传导共模EMI。该方法可展宽EMI频谱,降低噪声峰值,缓解EMI滤波器设计压力。通过理论推导与实验验证,获得了C-VSFM下的电压频谱与实时频率变化范围,并比较了不同频率边界对EMI抑制效果的影响,为DAB变换器的EMI抑制提供了有效解决方案与设计指导...

解读: 该Kent映射混沌调制技术对阳光电源ST系列储能变流器和车载OBC充电机具有重要应用价值。DAB拓扑广泛应用于阳光电源的DC-DC隔离变换场景,包括储能系统的直流变换模块和充电机的功率因数校正级。该技术通过混沌频率调制有效展宽EMI频谱、降低噪声峰值,可显著减小EMI滤波器体积和成本,提升功率密度。...

储能系统技术 储能系统 DC-DC变换器 ★ 5.0

基于等效小参数建模的最优移相调制在非对称并联多模块DC-DC变换器纹波抑制中的应用

Optimized Phase-shift Tuning via Equivalent Small Parameter Modeling for Ripple Reduction in Asymmetric Parallel Multi-Module DC-DC Converters

Xiuyun Zhang · Guidong Zhang · Samson S. Yu · Zhenyu Yi · IET Power Electronics · 2025年3月 · Vol.18

采用等效小参数法(ESPM)建立升降压及升压型并联变换器输出电压纹波模型,并通过该调制方法确定最优移相角以最小化纹波。同时,引入三环路均流控制策略,有效实现模块间电流均衡,进一步提升系统的整体纹波抑制能力,适用于非对称并联多模块DC-DC变换器的高性能控制。

解读: 该等效小参数建模与最优移相调制技术对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统具有重要应用价值。在多模块并联DC-DC变换器架构中,该方法可精确建模输出纹波并优化移相角,结合三环路均流控制策略,能有效降低母线电压纹波、提升模块间电流均衡性能。这对阳光电源储能系统的双向DC-DC变换...

智能化与AI应用 ★ 4.0

直接SMA馈电的梯度折射率超构表面阵列用于高效微波功率接收

Direct SMA-fed gradient-index metasurface array for efficient microwave power reception

Han Xiong · Qiang Yang · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126

提出了一种直接由SMA接头馈电的梯度折射率超构表面阵列,用于实现高效的微波功率接收。该设计通过在超构表面单元中引入折射率梯度分布,增强了电磁波的局域聚焦能力,显著提升了接收增益与转换效率。阵列结构与SMA接口集成,简化了馈电网络并降低了损耗。实验结果表明,在5.8 GHz频段下,该接收器具有较高的辐射到直流转换效率和良好的角度稳定性,适用于无线功率传输系统。

解读: 该梯度折射率超构表面技术对阳光电源无线功率传输领域具有前瞻性价值。其5.8GHz高效微波接收与辐射-直流转换能力,可应用于:1)光伏运维场景的无线传感器供电,配合iSolarCloud平台实现免维护监测节点;2)储能系统PowerTitan的无线充电接口设计,简化模块间互联;3)电动汽车充电桩的无线...

功率器件技术 宽禁带半导体 功率模块 GaN器件 ★ 2.0

像素化GaAs/AlGaAs X射线下转换器件的优化

Optimization of pixelated GaAs/AlGaAs x-ray downconversion devices

Quan Yu · Fangbao Wang · Xin Yuan · Ying Liu 等12人 · Applied Physics Letters · 2026年2月 · Vol.128

本文提出一种改进型像素化GaAs/AlGaAs X射线下转换器件结构,通过减薄半绝缘GaAs衬底、采用ITO透明电极替代金属环电极,并量化侧向电流扩展宽度,提升了光电流响应与有效发光面积,为高分辨率X射线转换器提供结构设计指导。

解读: 该研究聚焦于GaAs/AlGaAs半导体光电器件的物理结构优化,涉及宽禁带材料、电极透明性及载流子输运等基础问题,与阳光电源在功率半导体封装、器件级热-电耦合仿真及新型功率模块可靠性分析中的底层技术(如SiC/GaN模块失效机理研究)存在微弱方法论关联。但X射线转换属医疗/探测领域,不直接对应光伏逆...

功率器件技术 宽禁带半导体 多物理场耦合 有限元仿真 ★ 2.0

基于过氧化氢共溶剂超临界流体体系的钨掺杂氧化铟薄膜晶体管缺陷钝化数值分析

Numerical analysis of defects passivation for tungsten-doped indium oxide thin film transistors by using hydrogen peroxide as cosolvent in a supercritical fluid system

Zeqiu Tang · Kai-Jhih Gan · Kuei-Shu Chang-Liao · Zefu Zhao 等12人 · Solid-State Electronics · 2026年6月 · Vol.234

本文采用数值模拟方法研究在超临界流体系统中以过氧化氢为共溶剂对钨掺杂氧化铟(IWO)薄膜晶体管缺陷进行钝化的机制,聚焦于界面态密度、载流子迁移率及阈值电压稳定性等关键电学参数的优化。

解读: 该研究聚焦于新型透明氧化物半导体(IWO)薄膜晶体管的材料级缺陷钝化,属底层半导体工艺与器件物理范畴,与阳光电源主营的功率变换设备(如ST系列PCS、组串式逆变器)无直接产品关联。虽IWO材料未来或用于高精度传感器或智能驱动IC,但当前未进入光伏/储能功率器件主流技术路径(SiC/GaN/IGBT仍...

功率器件技术 宽禁带半导体 功率模块 有限元仿真 ★ 2.0

源/漏接触对IGZO垂直沟道全环绕场效应晶体管不对称性能的影响

Impact of S/D Contacts on Asymmetric Performance of IGZO Vertical Channel-All-Around Field-Effect Transistors

Xianglie Sun · Tiantian Wei · Wei Yu · Fuwang Yang 等10人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年12月 · Vol.73

本文通过TCAD仿真系统研究源/漏接触对IGZO垂直沟道全环绕FET不对称特性的影响。发现S/D极性反转导致导通电流显著不对称,其敏感度受底电极刻蚀深度、接触直径、沟道长度及肖特基势垒高度影响,甚至可使器件转变为源极栅控晶体管。

解读: 该文聚焦于氧化物半导体IGZO垂直晶体管的接触界面物理与不对称输运机制,属前沿微电子器件基础研究,与阳光电源主营的功率变换设备(如ST系列PCS、组串式逆变器)无直接产品关联。但其中TCAD仿真方法、接触电阻/势垒建模经验及多物理场耦合分析思路,可间接支撑公司自研SiC/GaN功率模块的封装界面可靠...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 热仿真 ★ 4.0

双芯片封装碳化硅肖特基势垒二极管的浪涌电流能力

Surge Current Capability of Dual-Chip Packaged SiC Schottky Barrier Diodes

Bin Zhang · Hongliang Zhang · Zi'ang Zhao · Qiang Liu 等11人 · Journal of Electronic Packaging · 2026年2月 · Vol.148

浪涌电流能力是SiC肖特基二极管在功率变换器中应用的关键参数。本文对比单芯片与双芯片封装SiC SBD的非重复浪涌电流能力,发现相同功率下双芯片方案更具优势;并基于电热耦合模型实现高精度预测(误差<2.8%),验证了模型工程适用性。

解读: 该研究直接支撑阳光电源组串式逆变器、ST系列PCS及PowerTitan储能系统中SiC功率模块的浪涌鲁棒性设计。双芯片封装结构可提升直流侧防雷/短路工况下的瞬态耐受能力,建议在下一代1500V+高压平台产品中优先导入该封装方案,并结合iSolarCloud平台集成电热模型实现实时寿命评估。...

第 1 / 6 页