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功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于HfAlOx电荷俘获层介质与原位O3处理的InAlN/GaN MIS-HEMT器件栅极漏电流和击穿电压的改善

Improved gate leakage current and breakdown voltage of InAlN/GaN MIS-HEMTs by HfAlOx-based charge-trapping layer dielectric and _in situ_ O3 treatment

Fangzhou Du · Yang Jiang · Hong Kong · Peiran Wang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种通过引入HfAlOx基电荷俘获层介质并结合原位O3处理,显著改善InAlN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)性能的方法。该工艺有效抑制了栅极漏电流,同时提升了器件的击穿电压。HfAlOx层可捕获界面正电荷,降低电场峰值,而原位O3处理则优化了介质/半导体界面质量,减少缺陷态密度。实验结果表明,器件的栅极泄漏电流显著降低,反向击穿电压大幅提高,为高性能GaN基功率器件的研制提供了可行的技术路径。

解读: 该研究的HfAlOx介质与O3处理工艺对阳光电源的GaN功率器件开发具有重要参考价值。通过降低栅极漏电流和提高击穿电压,可显著提升GaN器件在高频应用场景下的可靠性,特别适用于SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频DC-DC模块。该技术可优化阳光电源产品的功率密度和转换效率:在光伏逆变器中可实...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

增强型GaN p型场效应晶体管中的极化增强电导

Polarization-enhanced conductivity in enhancement-mode GaN p-FET

Hengyuan Qi · Teng Li · Jingjing Yu · Jialin Duan 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年9月 · Vol.127

本文报道了一种通过极化工程实现高电导率的增强型GaN p型场效应晶体管。利用AlN/GaN超晶格中的自发和压电极化效应,显著增强了空穴载流子浓度与迁移特性,从而在常关型器件中实现了优异的导通性能。实验结果表明,极化诱导的二维空穴气有效调制了p型沟道电导,提升了器件的电流开关比和阈值电压稳定性。该策略为高性能GaN基互补电路的发展提供了可行路径。

解读: 该GaN p-FET极化增强技术对阳光电源的功率变换产品具有重要价值。通过AlN/GaN超晶格结构提升的载流子特性,可显著改善SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的导通性能,有助于降低开关损耗。特别是在1500V高压系统中,该技术可提升GaN器件的可靠性和效率。同时,增强型p-FET的...

储能系统技术 ★ 5.0

高熵Bi0.5Na0.5TiO3基陶瓷电容器中增强的静电储能性能

Enhanced electrostatic energy-storage performances in the high-entropy Bi0.5Na0.5TiO3-based ceramic capacitors

Wenjie Xie · Wenjing Yu · Yang Yang · Yuanyuan Gong 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126

本文研究了一种基于高熵设计的Bi0.5Na0.5TiO3基陶瓷电容器,通过多元素掺杂策略调控晶格畸变与弛豫行为,显著提升了其静电储能性能。实验结果表明,该材料具有较高的储能密度与效率,归因于增强的极化强度和抑制的滞后损耗。微观结构分析揭示了高熵效应对畴结构细化和介电响应均匀性的促进作用。该工作为高性能储能陶瓷的设计提供了新思路。

解读: 该高熵陶瓷电容器技术对阳光电源储能系统具有重要应用价值。在ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统中,高储能密度陶瓷电容可替代传统薄膜电容,用于直流母线支撑、滤波和脉冲功率缓冲环节,显著减小体积和重量。其高效率、低滞后损耗特性可降低无功损耗,提升变流器整体效率。在SG系列光伏逆变器的MP...

光伏发电技术 ★ 4.0

空气中双重建钝化构建高效宽带隙钙钛矿太阳能电池组件

Dual passivation in air for constructing high-efficiency wide-bandgap perovskite solar cell modules

Xuefeng Xu · Bingchen He · Zhenhuang Su · Kanrui Jiang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126

本文报道了一种在空气中实现双重建钝化的策略,用于制备高效宽带隙钙钛矿太阳能电池组件。通过界面与体相协同钝化,有效抑制了非辐射复合,提升了载流子寿命和器件开路电压。该方法无需惰性气氛加工,显著增强了工艺环境适应性。所制备的小组件在16.5 cm²有效面积上实现了超过20%的光电转换效率,且表现出良好的稳定性。此技术为大面积钙钛矿光伏模块的低成本、可扩展制造提供了可行路径。

解读: 该空气中双重钝化宽带隙钙钛矿技术对阳光电源SG系列光伏逆变器产品具有重要应用价值。宽带隙钙钛矿电池(1.68eV以上)可与晶硅电池构成叠层结构,理论效率突破单结极限,为逆变器输入提供更高电压和功率密度。空气环境加工工艺显著降低制造成本,契合阳光电源大规模量产需求。16.5cm²组件20%效率验证了工...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

采用有源钝化技术抑制浮动Si衬底诱导背栅效应的900-V p-GaN栅HEMT

900-V active-passivation p-GaN gate HEMT with suppressed floating Si substrate induced back-gating effect

Hao Chang · Junjie Yang · Jingjing Yu · Jiawei Cui · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126

本文报道了一种采用有源钝化技术的900-V p-GaN栅高电子迁移率晶体管(HEMT),有效抑制了由浮动Si衬底引起的背栅效应。通过引入深沟槽隔离与介质填充的有源钝化结构,显著降低了漏极对衬底的电场耦合,从而消除背栅导致的阈值电压不稳定性与动态导通电阻退化。器件在高压关断状态下表现出优异的可靠性与稳定性,同时保持良好的开关性能。该设计为高压p-GaN栅HEMT在功率集成应用中的性能优化提供了有效解决方案。

解读: 该900-V p-GaN栅HEMT的有源钝化技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。通过深沟槽隔离抑制背栅效应,解决了GaN器件阈值电压漂移和动态导通电阻退化问题,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的高频开关电路。900V耐压等级匹配1500V光伏系统和储能系统的母线电压需求,有源钝...

光伏发电技术 ★ 2.0

Design and optimization of nanostructure and macro distribution of antireflection coatings on photovoltaic cell

Yuan He · Yu-Bing Tao · Chun Yang · Zhen-Jiao Dong 等9人 · Solar Energy · 2026年4月 · Vol.308

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于ScAlN/ScN电荷陷阱耦合铁电栅堆叠的增强型AlGaN/GaN HEMT

E-mode AlGaN/GaN HEMT with ScAlN/ScN charge trap-coupled ferroelectric gate stacks

Jiangnan Liu · Ding Wang · Md Tanvir Hasan · Shubham Mondal · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种采用ScAlN/ScN电荷陷阱耦合铁电栅堆叠结构的增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。该器件通过铁电极化与界面电荷陷阱的协同作用,实现了稳定的增强型操作特性。实验结果表明,该结构有效调控了阈值电压并提升了栅控能力,同时保持了较高的开关比和低关态漏电流。透射电子显微镜分析证实了栅堆叠的高质量界面特性。该方法为实现高性能、高可靠性的GaN基增强型功率器件提供了新途径。

解读: 该ScAlN/ScN栅堆叠GaN HEMT技术对阳光电源功率变换产品具有重要价值。增强型特性和低漏电流的优势可显著提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的效率与可靠性。铁电栅结构创新为开发更高功率密度的三电平拓扑模块提供新思路,特别适用于PowerTitan大型储能系统的高频开关应用。同时,该技...

功率器件技术 SiC器件 GaN器件 ★ 5.0

10 kV E模式GaN HEMT:击穿电压提升的物理机制

10 kV E-mode GaN HEMT: Physics for breakdown voltage upscaling

Yijin Guo · Yuan Qin · Matthew Porter · Zineng Yang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127

本文报道了一种实现10 kV高击穿电压的增强型(E-mode)GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)。通过优化器件结构与材料生长工艺,结合电场调制技术,有效提升了器件的耐压能力。研究系统分析了影响击穿电压的关键物理机制,包括二维电子气分布、缓冲层设计及表面电场调控。实验结果表明,该器件在保持低导通电阻的同时实现了超过10 kV的击穿电压,为高压功率电子器件的应用提供了可行方案。

解读: 该10kV E模式GaN HEMT技术对阳光电源的高压产品线具有重要应用价值。高击穿电压特性可显著提升ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的功率密度,有助于实现1500V以上高压系统设计。低导通电阻特性可降低PowerTitan等大功率产品的开关损耗,提高系统效率。此外,该GaN器件的电场调制技术...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于p-GaN HEMT的紫外探测器在低温下的光响应特性

Photoresponsivity of _p_-GaN HEMT-based ultraviolet photodetectors at low temperatures

Haodong Wang · Meixin Feng · Yaozong Zhong · Xin Chen · Applied Physics Letters · 2025年5月 · Vol.126

本文研究了基于p型GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的紫外光电探测器在低温环境下的光响应性能。通过变温光电测试,系统分析了器件在不同温度下的光电流、响应度及探测机制的变化规律。结果表明,随着温度降低,器件的暗电流显著抑制,光暗电流比大幅提升,同时响应度增强,归因于低温下载流子复合减少与能带结构优化。该工作为高性能紫外探测器在极端环境中的应用提供了实验依据与理论支持。

解读: 该研究对阳光电源的GaN功率器件应用具有重要参考价值。p-GaN HEMT在低温环境下光响应性能的提升,可用于优化我司SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中的GaN器件温控设计。特别是在-40℃低温工况下,通过抑制暗电流提升光暗电流比的方法,有助于提高GaN器件的开关特性和可靠性。这对于提升极寒地...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

高压射频应力下GaN HEMT中阻抗依赖性退化:电热与陷阱机制

Impedance-dependent degradation in GaN HEMTs under high-voltage RF stress: Electro-thermal and trap mechanisms

Linling Xu · Hui Guo · Nanjing Electronic Devices Institute · Jiaofen Yang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127

研究了在高压射频应力下,不同负载阻抗条件下GaN高电子迁移率晶体管的退化行为。实验发现器件退化程度显著依赖于负载阻抗,低阻抗时退化更严重。结合电学与热学分析,表明高阻抗下自热效应更强,但低阻抗时更大的漏极电流导致焦耳热集中和电场加速,加剧了缺陷生成与载流子俘获。通过瞬态电流与脉冲I-V测试,识别出浅能级陷阱的激活是退化主因,并揭示了电热耦合与陷阱响应的协同作用机制。

解读: 该GaN HEMT阻抗依赖性退化机制研究对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究揭示的低阻抗下电流集中导致焦耳热与电场协同加速陷阱生成机制,可直接指导ST储能变流器和SG光伏逆变器中GaN器件的阻抗匹配设计。通过优化负载阻抗避开高退化区域,可提升PowerTitan储能系统和充电桩中GaN功率模块的...

储能系统技术 ★ 5.0

原位生长碳纳米管于生物质碳中用于能量存储:越密集越好?

In situ growth of carbon nanotubes in biomass carbon for energy storage: The denser the better?

Manish Neupane · Xiahua Zhong · Guanhui Gao · Qiangu Yan 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126

本研究探讨了在生物质碳基体中原位生长碳纳米管(CNTs)以用于能量存储的应用。通过调控催化剂负载与热解条件,实现了碳纳米管密度的可控生长。结构表征表明,较高密度的碳纳米管显著提升了材料的比表面积和导电性,从而增强了电化学性能。在超级电容器应用中,高密度样品表现出更高的比电容和循环稳定性。研究表明,碳纳米管的致密化生长有利于改善储能特性,为生物质衍生碳材料的优化设计提供了新思路。

解读: 该生物质碳基碳纳米管复合材料技术对阳光电源储能系统具有重要应用价值。高密度CNTs显著提升的比表面积和导电性可直接应用于PowerTitan储能系统的超级电容器模块,改善功率型储能单元的瞬态响应特性。在ST系列储能变流器的直流侧支撑电容设计中,该材料可提升比电容和循环寿命,增强系统功率缓冲能力。对于...

氢能与燃料电池 模型预测控制MPC 调峰调频 风光储 ★ 4.0

风功率预测不确定性下多电解槽系统鲁棒调度用于可再生能源制氢

Robust dispatch of multi-electrolyzer systems for renewable energy hydrogen production under wind forecast uncertainty

Yichi Zhang · Xiongzheng Wang · Gongzhe Nie · Chengyao He 等7人 · Applied Energy · 2026年4月 · Vol.409

本文针对风电出力预测不确定性,提出多电解槽系统的鲁棒优化调度方法,提升绿氢生产经济性与可靠性,耦合风电、电解制氢与储能协同运行。

解读: 该研究与阳光电源ST系列PCS及PowerTitan储能系统在风光氢耦合场景深度契合:ST-PCS可作为电解槽前端AC/DC变换与功率调节核心,PowerTitan提供短时功率支撑与波动平抑;建议将MPC算法嵌入iSolarCloud平台,实现风电-电解槽-储能联合调度,并拓展至‘光伏+制氢’场景,...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 3.0

高迁移率AlGaN/GaN异质结构在金刚石(111)衬底上的直接外延生长

High-mobility AlGaN/GaN heterostructures directly grown on diamond (111) substrates using a high-temperature physical-vapor-deposition AlN nucleation layer

Hongcai Yang · Xuelin Yang · Han Yang · Kexin Zhang 等18人 · Applied Physics Letters · 2026年2月 · Vol.128

本文提出高温物理气相沉积AlN(HT-PVD-AlN)成核技术,成功实现GaN在金刚石(111)衬底上的高质量直接外延,获得室温电子迁移率1640 cm²/(V·s)的AlGaN/GaN异质结,显著提升热管理能力。

解读: 该研究提升GaN器件在超高功率密度下的热可靠性,对阳光电源ST系列PCS、PowerTitan储能系统中高频高效功率模块的散热设计具参考价值;建议关注金刚石基GaN在1500V+高压PCS中的长期可靠性验证,并与现有SiC模块做热-电协同仿真对比,支撑下一代组串式逆变器和构网型储能变流器的器件选型升...

功率器件技术 SiC器件 ★ 5.0

利用4H-SiC的横向热电效应实现从毫瓦到数百瓦功率范围的红外激光探测

Utilizing the transverse thermoelectric effect of 4H-SiC for infrared laser detectors across a power range spanning from milliwatts to hundreds of watts

Yahui Huang · Jianyu Yang · Kunlun Wang · Yong Wang · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126

山东大学核科学与能源动力工程学院,威海前沿核技术研究院,山东省核科学与核能技术综合利用重点实验室。本文研究了4H-SiC材料在宽功率范围内(从毫瓦级至数百瓦)作为红外激光探测器的应用,利用其横向热电效应实现高效的热电转换与信号响应。该方法无需外加偏压,具有快速响应、宽动态范围和高稳定性等优势,适用于高功率激光检测与监控系统。实验结果表明,基于4H-SiC横向热电效应的探测器在不同功率密度下均表现出优异的线性响应特性与重复性,展现出在工业与国防领域中的广泛应用前景。

解读: 该研究对阳光电源的SiC功率器件应用具有重要参考价值。4H-SiC横向热电效应探测技术可应用于公司SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率器件温度监测系统,实现毫瓦到百瓦级的精确功率损耗检测。这项技术无需外加偏压、响应快速的特点,有助于提升产品的热管理效率和可靠性。可集成到iSolarCloud...

功率器件技术 宽禁带半导体 GaN器件 SiC器件 ★ 2.0

通过范德华外延中2D–3D异质界面调控实现石墨烯上AlN的晶圆级可剥离生长

2D–3D heterointerface regulation of van der Waals epitaxy of AlN on graphene for wafer-scale exfoliation

Peng Liu · Yiwei Duo · Wenze Wei · Jiaxin Liu 等14人 · Applied Physics Letters · 2026年2月 · Vol.128

本文提出三步范德华外延法,在未处理双层石墨烯上生长可转移单晶AlN薄膜。通过首步超低V/III比保护石墨烯,第二步循环变比生长释放应变抑制开裂,最终实现晶圆级机械剥离。该方法为柔性深紫外器件提供高质量、可控剥离的AlN膜基础。

解读: 该研究聚焦AlN(氮化铝)在石墨烯上的范德华外延与剥离,属宽禁带半导体材料制备前沿,与阳光电源在SiC/GaN功率器件封装、高温高可靠性模块开发存在间接关联。虽不直接对应逆变器或PCS主电路,但AlN是高性能功率模块基板和封装绝缘层的关键材料(如ST系列PCS、PowerTitan中高频热管理需求)...

系统集成 光储一体化 微电网 风光储 ★ 4.0

面向可再生能源禀赋与地理环境约束的电–算协同新空间范式

Toward a new spatial paradigm of electricity–computing synergy under renewable energy endowments and geographical environmental constraints

Jiaju Guo · Wenjuan Hou · Xiaoyue Wang · Xueliang Zhang 等8人 · Applied Energy · 2026年4月 · Vol.409

本文探讨在可再生能源资源分布不均和地理环境约束下,电力系统与计算基础设施(如数据中心)的空间协同布局机制,提出以源网荷储智一体化为特征的新型区域能源-算力耦合范式。

解读: 该研究契合阳光电源‘光储氢数智’融合战略,尤其支撑PowerTitan大型储能系统与iSolarCloud平台在区域级风光储算协同调度中的应用。建议将地理约束建模能力嵌入iSolarCloud智能运维平台,优化组串式逆变器+ST系列PCS在分布式数据中心微电网中的动态响应策略,并探索PowerSta...

系统集成 风光储 调峰调频 氢能与燃料电池 ★ 4.0

可再生能源-氢-甲醇链中的价值共创:多市场背景下的复杂网络演化博弈

Value co-creation in the renewable energy-hydrogen-methanol chain: A complex network evolutionary game under multi-market contexts

Rong Shi · Yue Chen · Shuxia Yang · Xiongfei Wang · Applied Energy · 2026年4月 · Vol.409

本文构建多主体演化博弈模型,分析电力、氢能、甲醇跨市场环境下发电企业、制氢厂、甲醇合成商等主体的价值共创机制与协同演化路径,揭示政策激励、成本分摊与市场耦合对系统整体效率的影响。

解读: 该研究契合阳光电源‘光储氢一体化’战略,尤其支撑PowerTitan储能系统与ST系列PCS在绿氢制备场景中的源网荷氢协同调度应用。建议将演化博弈结果嵌入iSolarCloud平台,优化风光出力-电解槽启停-甲醇合成负荷的多时间尺度协同策略,并为PowerStack氢能专用PCS提供市场机制驱动的控...

光伏发电技术 ★ 4.0

缺陷钝化的宽带隙钙钛矿薄膜用于高效四端钙钛矿/硅 tandem 太阳能电池

Defect passivated wide-bandgap perovskite films for high performance four-terminal perovskite/silicon tandem solar cells

Muhammad Rafiq · Hengyue Li · Xinyue Wang · Xiang Liao 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127

本文报道了通过缺陷钝化策略制备高性能宽带隙钙钛矿薄膜,用于四端钙钛矿/硅叠层太阳能电池。研究人员采用界面工程与体相钝化相结合的方法,有效抑制了非辐射复合,提升了载流子寿命和薄膜质量。优化后的器件在标准光照条件下表现出优异的开路电压和填充因子,实现了超过26%的光电转换效率。该方法为提升叠层太阳能电池中宽带隙子电池性能提供了可行路径。

解读: 该宽带隙钙钛矿叠层电池技术对阳光电源SG系列光伏逆变器产品线具有重要应用价值。四端叠层架构突破单结硅电池效率极限,26%+转换效率意味着相同装机容量下发电量提升20%以上,可显著降低系统LCOE。对于阳光电源1500V高压系统,高开路电压特性可减少组件串联数量,优化MPPT工作区间。缺陷钝化带来的载...

储能系统技术 储能变流器PCS 储能系统 电池管理系统BMS ★ 4.0

锂/钠离子电容器电极的缺陷工程:高性能机制、研究进展与未来展望

Defect engineering for high-performance lithium/sodium-ion capacitor electrodes: mechanisms, advances, and future perspectives

Mingyuan Pang · Min Yang · Haohao Zhang · Zhen Kong 等11人 · Applied Energy · 2026年5月 · Vol.410

本文综述了通过缺陷工程调控锂/钠离子电容器电极材料本征性能的研究进展,涵盖空位、掺杂、晶界等缺陷类型对电荷存储动力学、界面稳定性及能量密度的影响机制。

解读: 该文聚焦电极缺陷调控以提升电化学电容器性能,虽非直接针对锂电,但其界面优化与动力学增强策略可迁移至阳光电源PowerTitan和ST系列PCS配套的混合储能系统中,尤其适用于短时高功率调频场景。建议在PCS-电池协同控制算法中引入电极老化状态反馈,结合iSolarCloud平台实现电容型元件健康度在...

电动汽车驱动 SiC器件 多物理场耦合 ★ 5.0

双层Janus 3R-CrSCl中的多铁耦合

Multiferroic coupling in bilayer Janus 3R-CrSCl

Miao Wang · Dingyi Yang · Yong Wang · Jie Wang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年8月 · Vol.127

具有耦合铁性序的二维多铁材料在可重构、低功耗电子器件中具有重要应用前景。本文基于第一性原理计算发现,双层Janus CrSCl在三种堆叠构型下均表现出本征磁性、滑移铁电性和铁谷极化的共存。在S–S堆叠中,层间滑移可同时反转电极化、谷极化并切换总磁矩。这些可逆且强耦合的序参量使得可通过电场和磁场调控四种不同的多铁态。研究结果表明Janus CrSCl是实现场调控二维多铁及多功能器件架构的理想平台。

解读: 该二维多铁材料的电场-磁场耦合调控机制对阳光电源功率器件创新具有启发意义。研究中展示的多物理场耦合特性与SiC器件的栅极电场调控原理相通,可为电动汽车驱动系统中的功率开关器件提供新型调控思路。特别是其低功耗、可逆切换特性,对车载OBC充电机和电机驱动控制器中的磁性元件(如变压器、电感)小型化设计有参...

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