找到 156 条结果

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系统集成 微电网 储能变流器PCS 调峰调频 ★ 4.0

面向碳感知的多能源市场协同数据中心能量优化

Energy optimization for data centers via carbon-aware multi-energy market coordination

Dafeng Zhu · Sicheng Liu · Bo Yang · Haoran Deng 等6人 · Applied Energy · 2026年4月 · Vol.409

本文提出一种碳感知驱动的数据中心多能源市场协同优化框架,整合光伏、储能、电网购电及需求响应,在电价与碳强度双维度下实现经济性与低碳性协同优化。

解读: 该研究契合阳光电源PowerTitan和ST系列PCS在用户侧储能与光储协同调度中的应用场景,尤其适用于数据中心等高可靠性负荷的智能能源管理。建议将文中碳感知优化算法嵌入iSolarCloud平台,结合组串式逆变器与PCS实时功率数据,实现动态充放电策略生成;可拓展至PowerStack系统在IDC...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

增强型GaN p型场效应晶体管中的极化增强电导

Polarization-enhanced conductivity in enhancement-mode GaN p-FET

Hengyuan Qi · Teng Li · Jingjing Yu · Jialin Duan 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年9月 · Vol.127

本文报道了一种通过极化工程实现高电导率的增强型GaN p型场效应晶体管。利用AlN/GaN超晶格中的自发和压电极化效应,显著增强了空穴载流子浓度与迁移特性,从而在常关型器件中实现了优异的导通性能。实验结果表明,极化诱导的二维空穴气有效调制了p型沟道电导,提升了器件的电流开关比和阈值电压稳定性。该策略为高性能GaN基互补电路的发展提供了可行路径。

解读: 该GaN p-FET极化增强技术对阳光电源的功率变换产品具有重要价值。通过AlN/GaN超晶格结构提升的载流子特性,可显著改善SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的导通性能,有助于降低开关损耗。特别是在1500V高压系统中,该技术可提升GaN器件的可靠性和效率。同时,增强型p-FET的...

控制与算法 MPPT 光伏逆变器 模型预测控制MPC ★ 5.0

无模型I-V曲线重构实现光伏系统全局柔性功率点跟踪

Model-free reconstruction of I-V curve for global flexible power point tracking of photovoltaic systems

Jun Yang · Qiao Peng · Haichuan Zhao · Tianqi Liu 等7人 · Solar Energy · 2026年5月 · Vol.309

本文提出一种无需光伏系统数学模型的I-V曲线实时重构方法,结合在线测量与数据驱动拟合,支持动态阴影、老化等复杂工况下的全局最大功率点跟踪(GMPPT),提升多峰场景下能量捕获效率。

解读: 该技术可直接赋能阳光电源组串式逆变器(如SG系列)及iSolarCloud平台的智能MPPT算法升级,尤其适用于分布式工商业光伏中组件失配严重的场景。建议将该无模型重构方法嵌入ST系列PCS和PowerTitan储能系统的光储协同MPPT模块,增强弱光/局部遮挡下的功率追踪鲁棒性;同时为PowerS...

光伏发电技术 ★ 2.0

330-day outdoor study of meteorological and dust effects on PV performance

Xiaoxu Li · Xingxing Chen · Lei Zhao · Kangjie Zhao 等6人 · Solar Energy · 2026年4月 · Vol.308

氢能与燃料电池 氢能 二氧化碳利用 甲烷分解 ★ 2.0

基于钙铁循环的甲烷催化分解、原位二氧化碳利用与加氢耦合制氢及甲醇工艺分析

The process analysis of integrated catalytic decomposition of methane, in-situ carbon dioxide utilization and hydrogenation via calcium-iron looping for hydrogen and methanol production

Zhiwei Chu · Hongjie Cao · Li Yang · Fang Liu 等6人 · Energy Conversion and Management · 2026年4月 · Vol.354

本文提出一种钙铁化学链耦合工艺,实现甲烷催化分解制氢、CO₂原位捕获与加氢合成甲醇的一体化过程,提升碳资源利用率与绿氢/低碳甲醇联产效率。

解读: 该研究聚焦于氢能制取与CO₂资源化,属前沿绿氢路径,但与阳光电源当前主营产品(光伏逆变器、ST系列PCS、PowerTitan储能系统)无直接技术交集。阳光电源已布局绿氢系统(如SEP50电解槽),未来可探索将此类钙铁循环制氢工艺与iSolarCloud平台结合,用于风光氢储协同调度仿真;短期建议关...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

采用有源钝化技术抑制浮动Si衬底诱导背栅效应的900-V p-GaN栅HEMT

900-V active-passivation p-GaN gate HEMT with suppressed floating Si substrate induced back-gating effect

Hao Chang · Junjie Yang · Jingjing Yu · Jiawei Cui · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126

本文报道了一种采用有源钝化技术的900-V p-GaN栅高电子迁移率晶体管(HEMT),有效抑制了由浮动Si衬底引起的背栅效应。通过引入深沟槽隔离与介质填充的有源钝化结构,显著降低了漏极对衬底的电场耦合,从而消除背栅导致的阈值电压不稳定性与动态导通电阻退化。器件在高压关断状态下表现出优异的可靠性与稳定性,同时保持良好的开关性能。该设计为高压p-GaN栅HEMT在功率集成应用中的性能优化提供了有效解决方案。

解读: 该900-V p-GaN栅HEMT的有源钝化技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。通过深沟槽隔离抑制背栅效应,解决了GaN器件阈值电压漂移和动态导通电阻退化问题,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的高频开关电路。900V耐压等级匹配1500V光伏系统和储能系统的母线电压需求,有源钝...

智能化与AI应用 ★ 4.0

直接SMA馈电的梯度折射率超构表面阵列用于高效微波功率接收

Direct SMA-fed gradient-index metasurface array for efficient microwave power reception

Han Xiong · Qiang Yang · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126

提出了一种直接由SMA接头馈电的梯度折射率超构表面阵列,用于实现高效的微波功率接收。该设计通过在超构表面单元中引入折射率梯度分布,增强了电磁波的局域聚焦能力,显著提升了接收增益与转换效率。阵列结构与SMA接口集成,简化了馈电网络并降低了损耗。实验结果表明,在5.8 GHz频段下,该接收器具有较高的辐射到直流转换效率和良好的角度稳定性,适用于无线功率传输系统。

解读: 该梯度折射率超构表面技术对阳光电源无线功率传输领域具有前瞻性价值。其5.8GHz高效微波接收与辐射-直流转换能力,可应用于:1)光伏运维场景的无线传感器供电,配合iSolarCloud平台实现免维护监测节点;2)储能系统PowerTitan的无线充电接口设计,简化模块间互联;3)电动汽车充电桩的无线...

光伏发电技术 ★ 2.0

Design and optimization of nanostructure and macro distribution of antireflection coatings on photovoltaic cell

Yuan He · Yu-Bing Tao · Chun Yang · Zhen-Jiao Dong 等9人 · Solar Energy · 2026年4月 · Vol.308

储能系统技术 SiC器件 深度学习 ★ 5.0

用于设计高储能性能聚合物纳米复合材料的相场模拟物理信息神经网络

Physics-informed neural networks for phase-field simulation in designing high energy storage performance polymer nanocomposites

Qiao Li · Tan Zeng · Hongxiao Yang · Jun Ma 等6人 · Applied Physics Letters · 2025年2月 · Vol.126

本文提出一种基于物理信息神经网络(PINNs)的相场模拟方法,用于高效设计高能量存储性能的聚合物纳米复合材料。该方法融合深度学习与相场模型,通过嵌入控制方程和物理约束,显著提升计算效率并准确预测纳米复合材料中电畴演化与界面效应。结合实验验证,所提模型可优化填料分布与微观结构,实现高储能密度与低损耗。研究为多功能介电材料的设计提供了新范式。

解读: 该物理信息神经网络相场模拟技术对阳光电源储能系统的介电材料设计具有重要应用价值。在ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统中,高能量密度电容器是直流母线支撑和滤波的关键器件,该技术可优化聚合物薄膜电容的填料分布与微观结构,提升储能密度并降低介电损耗,直接改善功率密度和系统效率。结合SiC...

功率器件技术 SiC器件 ★ 4.0

重离子辐照在4H-SiC肖特基势垒二极管中诱导的陷阱浓度深度分布

Depth profile of trap concentration induced by heavy ion irradiation in 4H-SiC Schottky barrier diode

Xueqiang Yu · Xiaodong Xu · Hao Jiang · Lei Wu · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127

本文研究了重离子辐照在4H-SiC肖特基势垒二极管中引入的缺陷陷阱浓度随深度的分布特性。通过变能量重离子辐照结合深能级瞬态谱技术,获得了不同深度处的陷阱浓度分布,并分析了主要缺陷能级(如Z1/Z2和HK中心)的形成机制与空间演化规律。结果表明,陷阱浓度分布与离子射程及电子/核能损密切相关,缺陷峰值区域位于近表面至几个微米深度范围内。该研究为理解SiC器件在高能粒子环境下的退化机理提供了实验依据。

解读: 该研究对阳光电源SiC功率器件的可靠性设计具有重要指导意义。研究揭示的重离子辐照导致的缺陷分布特性,直接关系到我司ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中SiC器件的辐照耐受性。特别是在航天级和核电站配套的高可靠性产品中,需要充分考虑这种缺陷效应对器件性能的影响。基于该研究成果,我们可以优化SiC器...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于ScAlN/ScN电荷陷阱耦合铁电栅堆叠的增强型AlGaN/GaN HEMT

E-mode AlGaN/GaN HEMT with ScAlN/ScN charge trap-coupled ferroelectric gate stacks

Jiangnan Liu · Ding Wang · Md Tanvir Hasan · Shubham Mondal · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种采用ScAlN/ScN电荷陷阱耦合铁电栅堆叠结构的增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。该器件通过铁电极化与界面电荷陷阱的协同作用,实现了稳定的增强型操作特性。实验结果表明,该结构有效调控了阈值电压并提升了栅控能力,同时保持了较高的开关比和低关态漏电流。透射电子显微镜分析证实了栅堆叠的高质量界面特性。该方法为实现高性能、高可靠性的GaN基增强型功率器件提供了新途径。

解读: 该ScAlN/ScN栅堆叠GaN HEMT技术对阳光电源功率变换产品具有重要价值。增强型特性和低漏电流的优势可显著提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的效率与可靠性。铁电栅结构创新为开发更高功率密度的三电平拓扑模块提供新思路,特别适用于PowerTitan大型储能系统的高频开关应用。同时,该技...

功率器件技术 宽禁带半导体 GaN器件 SiC器件 ★ 2.0

通过范德华外延中2D–3D异质界面调控实现石墨烯上AlN的晶圆级可剥离生长

2D–3D heterointerface regulation of van der Waals epitaxy of AlN on graphene for wafer-scale exfoliation

Peng Liu · Yiwei Duo · Wenze Wei · Jiaxin Liu 等14人 · Applied Physics Letters · 2026年2月 · Vol.128

本文提出三步范德华外延法,在未处理双层石墨烯上生长可转移单晶AlN薄膜。通过首步超低V/III比保护石墨烯,第二步循环变比生长释放应变抑制开裂,最终实现晶圆级机械剥离。该方法为柔性深紫外器件提供高质量、可控剥离的AlN膜基础。

解读: 该研究聚焦AlN(氮化铝)在石墨烯上的范德华外延与剥离,属宽禁带半导体材料制备前沿,与阳光电源在SiC/GaN功率器件封装、高温高可靠性模块开发存在间接关联。虽不直接对应逆变器或PCS主电路,但AlN是高性能功率模块基板和封装绝缘层的关键材料(如ST系列PCS、PowerTitan中高频热管理需求)...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

基于E模兼容工艺的高线性度片上GaN-on-Si温度传感器

High-linearity on-chip GaN-on-Si temperature sensors based on an E-mode-compatible process

Xingchen Xiao · Junbo Liu · Wensong Zou · Pu Hong · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126

本文报道了一种基于增强型(E-mode)兼容工艺的高线性度片上GaN-on-Si温度传感器。该传感器利用AlGaN/GaN异质结构中的二维电子气对温度的敏感特性,实现了优异的线性响应。通过优化器件结构与制备工艺,传感器在宽温范围内表现出高稳定性与可重复性,线性相关系数超过0.999。该方案无需额外工艺步骤,可与标准GaN功率器件单片集成,适用于高密度功率系统中的实时温度监测。

解读: 该高线性度GaN温度传感器技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中,GaN功率器件的热管理是提升功率密度和可靠性的关键瓶颈。该传感器基于E-mode工艺可与GaN功率器件单片集成,无需额外工艺步骤,实现芯片级实时温度监测,线性度超0.999保证精准热保护。可...

风电变流技术 ★ 5.0

一种面向多地点短期风速预测的以位置为中心的Transformer框架

A location-centric transformer framework for multi-location short-term wind speed forecasting

Luyang Zhao · Changliang Liu · Chaojie Yang · Shaokang Liu 等6人 · Energy Conversion and Management · 2025年3月 · Vol.328

准确的时空风速预测在电力系统优化和可再生能源效率提升中起着至关重要的作用。然而,传统模型通常将多个地点的历史风速数据合并到统一的特征通道中,这种做法削弱了其捕捉空间相关性的能力,从而降低了预测精度。本研究提出,在建模时空关系时保持各位置特有的差异性有助于提升预测性能。基于这一前提,本文构建了一种新颖的基于Transformer、具有以位置为中心架构的预测框架,并引入了若干关键创新:(1)一种时空门控融合单元,能够动态整合地理坐标与时间风速数据,同时保留位置特异性信息;(2)一种重构的Transf...

解读: 该位置中心化Transformer风速预测框架对阳光电源新能源管理系统具有重要应用价值。精准的多点短期风速预测可直接优化ST系列储能变流器的充放电策略,通过时空关联建模提升风光储协调控制精度。其双重增强机制可集成至iSolarCloud平台的预测性维护模块,结合地理坐标与时序数据的门控融合单元能改进...

系统集成 光储一体化 多物理场耦合 光伏逆变器 ★ 4.0

光伏驱动多级膜蒸馏系统的模型框架与性能分析:面向高效水-电协同供给

Model framework and performance analysis of photovoltaic-driven multistage membrane distillation systems for efficient water-power co-supply

Yahui Du · Jiyuan Wu · Zhihua Zhou · Yuechao Chao 等10人 · Applied Energy · 2026年5月 · Vol.410

本文构建光伏驱动多级膜蒸馏(MD)系统的耦合模型,分析其在离网/弱网场景下水-电协同供给的能效、经济性与动态响应特性,重点评估MPPT跟踪精度、PCS功率调节匹配度及系统整体能量利用率。

解读: 该研究契合阳光电源光储水多能协同战略,尤其适用于PowerTitan储能系统与SG系列组串式逆变器在缺水缺电地区的微网集成应用。建议将ST系列PCS的宽负载范围与MPPT协同控制算法嵌入MD系统能量管理模块,并基于iSolarCloud平台开发水-电联合调度功能,拓展海外海岛、干旱地区等‘光伏+制水...

功率器件技术 ★ 2.0

Reduced dark current InAs/GaAs quantum dot photodetectors on Si(001) via spatially separated co-doping

Shenglin Wang · Kun Zhou · Wanlin Liu · Kehan Jiang 等7人 · Applied Physics Letters · 2026年2月 · Vol.128

In this paper, we report reduced dark current quantum dot (QD) photodetectors (PDs) grown on Si(001) substrate by spatially separated co-doping technique, including n-type direct doping in QDs and p-type modulation doping in barrier layers. The absor...

电动汽车驱动 SiC器件 ★ 5.0

缺陷退火诱导的电子辐照4H-SiC紫外光晶体管光学增益恢复

Defect-annealing-induced optical gain recovery in electron-irradiated 4H-SiC UV phototransistors

Qunsi Yang · Yifu Wang · Xinghua Liu · Qianyu Hou · Applied Physics Letters · 2025年9月 · Vol.127

本研究报道了电子辐照后4H-SiC紫外光晶体管在热退火过程中光学增益的恢复现象。通过高能电子辐照引入晶格缺陷,显著抑制器件的光电响应;随后的退火处理促使缺陷态退火,有效恢复载流子迁移率与寿命,从而实现光学增益的显著回升。实验结果表明,适当温度退火可选择性消除深能级缺陷,提升材料内部量子效率。该发现为辐照损伤SiC光电器件的功能修复提供了可行路径,对极端环境下光探测器的可靠性优化具有重要意义。

解读: 该SiC器件辐照损伤修复技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在新能源汽车驱动系统和充电桩产品中,SiC MOSFET长期工作在高温、高压、强电磁环境下,宇宙射线和高能粒子辐照会引入晶格缺陷,导致器件性能退化。研究揭示的退火修复机制为ST储能变流器、电机驱动控制器中SiC模块的可靠性提升提供理论依...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 5.0

输出功率为5 W且在60 ℃老化下寿命超过20000小时的GaN基蓝色激光二极管

GaN-based blue laser diodes with output power of 5 W and lifetime over 20 000 h aged at 60 ℃

Lei Hu1Siyi Huang1Zhi Liu1Tengfeng Duan1Si Wu1Dan Wang1Hui Yang2Jun Wang3Jianping Liu4 · 半导体学报 · 2025年4月 · Vol.46

1995年和1996年,在实现p型掺杂、材料质量提升及高亮度GaN基LED突破后,GaN基激光二极管(LDs)的受激辐射与激射现象相继被报道。然而,其实现高输出功率、高电光转换效率及长寿命经历了较长时间。直至2019年,日亚公司报道了具备上述性能的蓝光LDs,推动了GaN基蓝色激光二极管在多个领域的广泛应用。

解读: 该高功率长寿命GaN基蓝色激光二极管技术对阳光电源功率器件应用具有重要参考价值。虽然研究聚焦激光二极管,但其GaN材料高温可靠性验证(60℃老化20000小时)和高功率密度设计理念可借鉴至功率电子领域。对于ST系列储能变流器和SG光伏逆变器中的GaN功率器件应用,该研究揭示的材料稳定性机制和热管理方...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 多物理场耦合 ★ 5.0

基于互感耦合的多芯片SiC功率模块动态均流方法

A Dynamic Current Sharing Method for Multichip SiC Power Modules Based on Mutual Couplings

Xun Liu · Erping Deng · Xu Gao · Yifan Song 等10人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2026年1月 · Vol.16

多芯片SiC功率模块因寄生电感失配导致动态电流不均衡,引发局部过热并影响长期可靠性。本文提出考虑互感耦合的设计准则与均流方法,结合响应面分析优化布局,将动态电流不均衡度从98%降至5%,并通过仿真与实验验证。

解读: 该研究直接支撑阳光电源在高功率密度组串式逆变器(如SG320HX)、ST系列储能变流器及PowerTitan系统中对SiC功率模块的可靠性设计。互感耦合建模与布局优化可显著提升SiC模块在高频开关下的动态均流能力,降低热应力,延长模块寿命。建议在下一代1500V+高压平台产品中导入该布局设计方法,并...

电动汽车驱动 ★ 4.0

高温O2退火对Al2O3/Ga2O3界面质量的影响

The effect of O2 high-temperature annealing on the quality of Al2O3/Ga2O3 interface

Chunyan Chen · Yutong Wu · Bing Jiang · Zhixiang Zhong 等6人 · Applied Physics Letters · 2025年8月 · Vol.127

深圳大学材料科学与工程学院、电子与信息工程学院、射频异质集成国家重点实验室、功率器件与人工智能能源监测技术研究所研究了高温O2退火对Al2O3/Ga2O3界面特性的影响。通过不同温度退火处理,系统分析了界面态密度、固定电荷及界面缺陷的演变规律,发现适当高温退火可有效降低界面态密度,提升界面质量。结果表明,退火有助于改善介质/半导体界面的化学稳定性和电学性能,为高性能β-Ga2O3功率器件的优化提供理论依据和技术支持。

解读: 该Al2O3/Ga2O3界面优化技术对阳光电源功率器件研发具有重要价值。β-Ga2O3作为超宽禁带半导体(Eg~4.8eV),其击穿场强是SiC的3倍,适用于高压大功率应用场景。研究揭示的高温O2退火工艺可降低介质/半导体界面态密度,直接提升MOS栅结构的可靠性和开关特性,可应用于:1)ST系列储能...

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