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控制与算法 跟网型GFL 并网逆变器 弱电网并网 ★ 5.0

跟网型变流器中功率-电流环交互引发的高频谐振机理分析及自稳定设计

Mechanism Analysis of High Frequency Resonance Induced by Power‐Current Loop Interaction and Self‐Stability Design of Grid‐Following Converters

Yihang Zhao · Xiaoqiang Li · Shijie Li · Mengcheng Pei 等5人 · IET Power Electronics · 2026年1月 · Vol.19

本文揭示了跟网型(GFL)变流器功率环在闭环控制下存在高频谐振自稳定性问题,其根源在于功率环与电流环参数失配导致的环路交互。提出基于电流环约束优化功率环参数的设计方法,有效抑制谐振。实验验证了理论与方法的有效性。

解读: 该研究直接支撑阳光电源ST系列PCS、组串式光伏逆变器及PowerTitan储能系统在弱电网/高阻抗场景下的并网稳定性提升。当前产品广泛采用多环协同控制架构,功率-电流环耦合引发的高频振荡已成为现场LVRT/HVRT测试及微电网运行中的典型故障源。建议在下一代iSolarCloud智能控制策略中嵌入...

功率器件技术 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 ★ 2.0

ITPO/ITO双层薄膜晶体管中的三阶段缺陷态调控以同步提升迁移率与负偏压光照不稳定性

Three-Stage Defect-State Regulation in ITPO/ITO Bilayer TFTs for Simultaneously Enhanced Mobility and NBTIS Stability

Shijie Tao · Jianting Wu · Shan Hu · Xiaoci Liang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2026年1月 · Vol.73

本文提出三阶段缺陷调控策略,通过Pr³⁺掺杂ITPO层抑制光生空穴积累,结合ITO输运层与ZSO钝化层,显著提升氧化物TFT迁移率(41.7 cm²/V·s)及NBTIS稳定性(Vth漂移仅−1.1 V),突破迁移率-稳定性权衡瓶颈。

解读: 该研究聚焦于氧化物半导体TFT器件物理与缺陷工程,属于底层半导体材料与器件可靠性基础研究,不直接涉及光伏逆变器、储能PCS或风电变流器等阳光电源核心功率变换产品。但其关于氧空位调控、界面态抑制及高温光照下稳定性的机理成果,可为阳光电源自研SiC/GaN驱动IC、高可靠性栅极驱动芯片及功率模块封装界面...

风电变流技术 低电压穿越LVRT 构网型GFM 故障诊断 ★ 4.0

基于柔性电压源接地的大型风电场主动灭弧技术

Flexible Voltage Source Grounding Based Active Arc Suppression Technique for Large-Scale Wind Farm Considering All Collector Lines

Kun Yu · Chuxiang Wu · Xiangjun Zeng · Shijie Xu 等5人 · IEEE Transactions on Power Delivery · 2025年10月 · Vol.41

针对风电场集电线路单相接地故障电弧难熄灭问题,提出一种柔性电压源接地主动灭弧技术。通过构建复合序网模型,分析风机输出电流与线路阻抗对残余电流的影响;在风电场中性点并联可控电压源,调节正序等效电势幅值与相位,使故障相电压归零,从而消除接地电流并实现可靠灭弧。PSCAD仿真验证了其在多种工况下的有效性。

解读: 该技术聚焦风电场集电系统接地故障主动抑制,与阳光电源风电变流器及构网型风储协同控制系统高度相关。其核心——中性点可控电压源调节能力,可迁移至阳光电源ST系列PCS或PowerTitan储能系统在风电场侧的动态无功支撑与故障穿越增强功能中。建议在风电高渗透率区域推广该灭弧策略,结合iSolarClou...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 功率模块 ★ 5.0

针对带有开尔文源极的SiC桥臂功率模块中失配引起的虚假栅源电压的分析与抑制

Analysis and Mitigation on Mismatch-Induced Spurious Gate–Source Voltages in SiC Bridge-Leg Power Modules With Kelvin Sources

Cheng Zhao · Laili Wang · Junhui Yang · Shijie Wu 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年9月

在桥臂结构中,虚假栅源电压(串扰电压)可能导致一个开关在其互补开关开通期间误触发。现有研究多将开关视为单芯片,但在大电流SiC功率模块中,每个开关由多个并联SiC MOSFET(PSMs)构成,其串扰特性与单管存在差异。本文通过理论分析与实验研究发现,电源网络失配引起的不平衡电压会在PSMs的串扰电压中引入额外的差模振荡分量,该分量无法被有源密勒钳位(AMC)有效抑制。为此提出两种抑制方法:一是在驱动回路中集成小型共模电感(CM),二是在PSMs两端并联额外SiC肖特基二极管(SBD)。通过基准...

解读: 该研究针对SiC桥臂功率模块的串扰抑制技术,对阳光电源ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的功率模块设计具有重要价值。文中提出的共模电感集成和SBD并联方案,可直接应用于PowerTitan大型储能系统中多芯片并联SiC模块的桥臂设计,有效抑制电源网络失配导致的差模振荡,降低误触发风险。该技术可提...