Fang Yu · Jinzi Cui · Zhangming Zhou · Kun Fang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年9月

低温烧结银技术提供了一种无铅芯片连接方案，适用于300°C高温电力电子应用。本文研究了烧结银技术在Si和SiC芯片上的可靠性，涵盖了低电流厚膜基板及高电流直接覆铜（DBC）基板的应用场景，并探讨了无压与低压烧结工艺的影响。

解读: 随着阳光电源在光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中对高功率密度和高温工作环境的需求日益增长，SiC器件的应用已成为核心趋势。烧结银技术作为替代传统焊料的高可靠性互连方案，能显著提升功率模块在极端工况下的热循环寿命和导热性能。建议研发团队在下一代高压组串式逆变器及大功率储能...