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金刚石衬底氮化镓高电子迁移率晶体管中因热应力导致的低阈值电压温度系数
Low Threshold Voltage Temperature Coefficient Due to Thermal Stress in GaN-on-Diamond HEMTs
Lei Huang · Qingzhi Wu · Shuman Mao · Yuechan Kong 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年12月 · Vol.47
本文揭示金刚石衬底GaN HEMT可实现超低阈值电压温度系数（-0.2 mV/K），显著提升高温稳定性；通过拉曼光谱证实热失配引发的 tensile 应力调制压电极化，进而影响阈值电压，并建立含热应力的阈值模型，准确预测变温下DC-IV特性。
解读: 该研究深化了宽禁带器件在高温工况下的可靠性机理认知，对阳光电源组串式逆变器、ST系列PCS及PowerTitan储能系统中GaN/SiC功率模块的热设计与驱动保护策略优化具参考价值。建议在下一代高效轻量化逆变器研发中，结合多物理场热-电-力耦合仿真，评估GaN-on-diamond等先进封装结构对长...
基于SiC/派瑞林衬底的异质集成柔性GaN射频功率放大器
Heterogeneously Integrated Flexible GaN RF Power Amplifier on SiC/Parylene Substrate
Wenhao Zheng · Qingzhi Wu · Zhen Zhao · Ziyu Zhang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年10月
柔性射频（RF）系统的发展增加了对高功率柔性氮化镓（GaN）放大器的需求。在本文中，提出了一种利用碳化硅（SiC）/聚对二甲苯异质集成衬底的异质集成工艺，用于制造柔性射频GaN功率放大器（PA）。在该制造工艺中，首先在厚度为<inline-formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink"> <tex-math notation="LaTeX">$100...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项柔性GaN射频功率放大器技术虽然聚焦于通信领域，但其底层的异质集成工艺和材料创新对我司在功率电子领域的技术演进具有重要参考价值。 该技术采用SiC/Parylene异质集成基板方案，通过将SiC衬底减薄至5微米并与柔性Parylene层结合，在保持柔性的同时显著改善了...