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拓扑与电路 光伏逆变器 储能变流器PCS 故障诊断 ★ 5.0

一种用于三相逆变器的闭环补偿罗氏线圈电流传感器

A Closed-Loop Compensated Rogowski Coil Current Sensor for Three-Phase Inverter

Zhen Xin · Yu Yao · Jianlong Kang · Qian Li 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

精确的电流测量对于电力电子变换器的故障保护和电流控制至关重要。PCB罗氏线圈电流传感器(PCB RCCS)因其高带宽、体积小、成本低等优势成为强有力的竞争方案。本文针对其运行中存在的偏置电压和偏置电流问题,提出了一种闭环补偿方案以提升测量精度。

解读: 电流采样是阳光电源组串式逆变器、集中式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)的核心环节。该技术提出的PCB罗氏线圈闭环补偿方案,能有效解决传统电流传感器在宽频带下的偏置漂移问题,显著提升逆变器在复杂电网环境下的控制精度与故障保护响应速度。建议研发团队评估该方案在提升高...

拓扑与电路 宽禁带半导体 功率模块 光伏逆变器 ★ 5.0

一种具有集成PCB罗氏线圈共模电流传感器的高频插入损耗增强型有源EMI滤波器

A High-Frequency Insertion Loss Enhanced Active EMI Filter With Integrated PCB Rogowski Coil CM Current Sensor

Yuan Feng · Peng Guo · Qianming Xu · Cheng Tang 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

宽禁带半导体提升了开关电源的功率密度,但也带来了严重的共模(CM)电磁干扰(EMI)问题。相比传统无源EMI滤波器,有源EMI滤波器(AEF)通过传感与注入技术抵消噪声,显著减小了滤波器体积。本文提出了一种集成PCB罗氏线圈传感器的高频增强型AEF,旨在解决高频段EMI抑制的挑战。

解读: 随着阳光电源组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度和高开关频率演进(如SiC器件的广泛应用),EMI干扰抑制已成为提升产品竞争力的关键。该技术通过集成PCB罗氏线圈实现紧凑型有源EMI滤波,能有效减小滤波器体积,从而进一步提升逆变器和PCS的功率密度。建议研发团...

可靠性与测试 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 ★ 4.0

用于双脉冲测试的带直流传感功能的PCB罗氏线圈

PCB Rogowski Coil With DC Sensing for Double Pulse Test Applications

Sadia Binte Sohid · Xingyue Tian · Niu Jia · Han Cui 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年4月

准确测量宽禁带器件的开关电流需要具备从直流到高频宽带宽的电流传感器。传统罗氏线圈缺乏直流测量能力,而引入直流传感器会显著增加插入电感。本文提出了一种结合屏蔽罗氏线圈与直流传感的新型电流传感器方案,旨在解决双脉冲测试中高频电流测量与直流分量监测的矛盾。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中大规模应用SiC等宽禁带半导体,对功率模块的开关特性评估提出了更高要求。该技术方案通过优化PCB罗氏线圈实现直流与高频电流的同步测量,能有效降低双脉冲测试中的插入电感,提高测试精度。建议研发部门在功率模块测试平台中引入该技术,以更精准地分析S...

功率器件技术 SiC器件 可靠性分析 故障诊断 ★ 5.0

一种基于非接触式PCB罗氏线圈的SiC MOSFET栅极氧化层退化在线监测方法

An Online Gate Oxide Degradation Monitoring Method for SiC MOSFETs With Contactless PCB Rogowski Coil Approach

Jianlong Kang · Ankang Zhu · Yu Chen · Haoze Luo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年8月

SiC MOSFET栅极氧化层的实时退化监测是提升功率变换器可靠性的关键。现有监测方法多需直接电气连接,降低了系统可靠性。本文提出一种基于开通瞬态电流变化率的非接触式监测方法,通过PCB罗氏线圈实现,有效避免了对主电路的干扰,提升了监测的安全性与准确性。

解读: 随着阳光电源在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC功率模块,器件的长期可靠性成为核心竞争力。该非接触式监测技术无需改变主电路拓扑,即可实现对SiC器件栅极健康状态的实时评估,极大地降低了系统故障风险。建议研发团队将其集成至iSolarCloud智能运...

拓扑与电路 宽禁带半导体 SiC器件 GaN器件 ★ 4.0

具有低跌落失真的PCB罗氏线圈电流传感器设计

Design of PCB Rogowski Coil Current Sensor With Low Droop Distortion

Qianming Xu · Yuan Feng · Peng Guo · Nan Mo 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年4月

宽禁带半导体(SiC和GaN)的应用提升了电力电子设备的功率密度,但也对电流传感器的带宽提出了更高要求。罗氏线圈因其差分输出特性适用于高频电流测量,但现有设计难以兼顾带宽与低频跌落失真。本文提出了一种新型PCB罗氏线圈设计,有效解决了高频测量下的精度与稳定性问题。

解读: 随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan储能系统向高功率密度和高开关频率演进,SiC器件的应用日益普及,这对电流采样电路的带宽和抗干扰能力提出了严苛挑战。该研究提出的低跌落失真PCB罗氏线圈技术,可优化逆变器及PCS内部的电流采样精度,特别是在高频开关瞬态下的电流检测,有助于提升控制环路的响应...

功率器件技术 GaN器件 可靠性分析 ★ 5.0

GaN HEMT半桥故障瞬态的解析建模及其基于PCB嵌入式Rogowski线圈的过流保护

Analytical Modeling of Fault Transient in a GaN HEMT Half Bridge and Its Overcurrent Protection With PCB Embedded Rogowski Coils

P. T. Nandh Kishore · Sumit Kumar Pramanick · Soumya Shubhra Nag · IEEE Transactions on Industry Applications · 2024年10月

氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的短路耐受时间(SCWT)较短,这对其可靠性提出了挑战,尤其在电动汽车充电器等中高功率应用中。本文基于电路中的状态变量和数据手册参数,对包含寄生元件的氮化镓高电子迁移率晶体管半桥结构中的短路故障瞬态进行建模。较高母线电压下的故障会导致瞬时功率损耗增加,进而使结温升高。这会导致器件的短路耐受时间缩短。该模型还用于估算不同直流母线电压下的故障清除时间。本文提出了一种用于氮化镓高电子迁移率晶体管的超快过流保护方案。该保护方案采用基于非侵入式印刷电路板嵌入式罗...

解读: 该研究对阳光电源的GaN器件应用具有重要参考价值。文中提出的PCB嵌入式Rogowski线圈过流保护方案可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的GaN功率模块设计中,有助于提升产品可靠性。特别是在1500V高压系统中,纳秒级故障检测能力可有效防止GaN器件损坏。该技术也可优化车载OBC充...