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一种无需故障诊断的四桥臂逆变器供电永磁同步电机驱动开路故障容错方案
Diagnosis-Free Self-Tolerant Scheme for Four-Leg Inverter Fed PMSM Drives With Open-Circuit Faults
Minrui Gu · Zheng Wang · Zhiwei Li · Yinzhen Shen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月
摘要：三相四桥臂（TPFL）逆变器供电的电机驱动系统有一个额外的桥臂，可在故障条件下提供冗余电流路径。因此，TPFL逆变器供电的电机驱动系统在高可靠性应用中受到了广泛关注。为了最大程度减少诊断带来的不利影响，即误诊和转矩扰动，针对发生开路故障的TPFL供电永磁同步电机（PMSM）驱动系统，提出了一种免诊断自容错方案。研究发现，在故障情况下，TPFL逆变器供电的PMSM驱动系统中d/q轴电流控制器与零序电流控制器之间的冲突会导致转矩脉动。为解决该问题，在零序电流控制路径中设计了一个特征频率陷波器，...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项三相四桥臂逆变器容错技术对我们在高可靠性应用场景中具有重要战略价值。该技术通过增加冗余桥臂实现了无需故障诊断的自容错运行，这与我们在光伏逆变器、储能变流器及新能源汽车驱动系统中对高可靠性的追求高度契合。 技术创新点在于解决了传统容错方案中故障诊断延迟、误诊断和控制重构...
采用高功函数氮化钼金属栅垂直无结柱状存取晶体管的创新DRAM单元
Innovative DRAM Cell Featuring a Vertical Junctionless Pillar Access Transistor With a High Work-Function Molybdenum Nitride Metal Gate for Enhanced Performance and Efficiency
Deyuan Xiao · Yi Jiang · Yunsong Qiu · Yuhong Zheng 等24人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2026年1月 · Vol.73
本文提出一种基于高功函数氮化钼（MoN）金属栅的垂直无结柱状DRAM存取晶体管，显著提升阈值电压与噪声容限，降低泄漏电流，在600°C以下工艺兼容，适用于高密度、高可靠性存储器件。
解读: 该研究聚焦于DRAM存储器中的先进金属栅功率晶体管材料（MoN），属微电子器件层级创新，与阳光电源主营的功率变换系统（如组串式逆变器、ST系列PCS、PowerTitan储能系统）无直接产品关联。虽MoN等高WF金属材料在理论上可拓展至高压功率器件栅极工程，但当前阳光电源功率器件依赖成熟SiC/IG...