找到 2 条结果
基于氮化铝的多层薄膜电容器结构与性能研究
Structure and Properties of Aluminum Nitride-Based Multilayer Thin-Film Capacitors
Sung-Min Cho · Moon-Chul Lee · Tae-Joon Park · Seung-Hun Han 等9人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年12月 · Vol.73
本文研制了基于AlN介质和Mo/Ti电极的多层薄膜电容器（MLTC），实现17–43 nF电容与约30 pH超低ESL，显著优于传统MLCC。研究聚焦薄膜堆叠形貌控制、刻蚀工艺优化及高频特性验证，证实其在高密度、高频电路中的应用潜力。
解读: 该研究涉及高频低感薄膜电容设计与工艺，与阳光电源功率模块（如组串式逆变器、ST系列PCS中DC-link和滤波环节）的寄生参数优化相关，但AlN薄膜电容尚未进入其量产BOM。当前更适用于SiC/GaN驱动级局部去耦，建议在下一代高开关频率（>100 kHz）组串式逆变器或PowerTitan储能变流...
基于LTPO技术的垂直CMOS反相器在有源矩阵显示电路中的应用
Vertical CMOS Inverter With LTPO Technology for Circuit Applications in Active-Matrix Display
Jung Chul Kim · Hyung Tae Kim · I. Sak Lee · Dong Keun Lee 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月
为实现窄边框、高分辨率有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）显示屏，本文提出了一种采用具有三维结构的低温多晶硅和氧化物薄膜晶体管（LTPO TFT）的互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器。为减小边框面积，相较于传统平面CMOS反相器，在不增加额外光刻掩膜和工艺的情况下，在p型低温多晶硅（LTPS）TFT垂直对齐的相同位置制备了n型铟镓锌氧化物（IGZO）TFT。结果表明，有效电路面积从1581大幅减小至<775 μm²。由于在垂直CMOS反相器中，IGZO TFT和LTPS TFT共享一个栅电...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项LTPO垂直CMOS逆变器技术虽然源自显示领域，但其核心设计理念与我们在功率电子领域面临的挑战具有重要的借鉴意义。 该技术最突出的价值在于通过三维垂直结构实现了电路面积的大幅压缩（从1581μm²降至775μm²），这与我们在光伏逆变器和储能变流器中追求的高功率密度目...