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抑制陷阱效应的氮化镓HEMT沟道温度测量与热阻表征模型
Trap-suppressed channel temperature measurement and thermal resistance characterization model for GaN HEMTs
Suzhou Laboratory · Qing Zhu · Ke Xu · Yue Hao · Applied Physics Letters · 2025年9月 · Vol.127
针对氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）中陷阱效应对沟道温度测量的干扰问题，提出了一种抑制陷阱效应的沟道温度提取与热阻表征模型。该模型通过动态栅压调控技术有效抑制表面和界面陷阱的充放电行为，结合电学法精确提取稳态与瞬态沟道温度，并建立与陷阱密度相关的热阻解析模型。实验结果表明，该方法显著降低了传统电学测温中的误差，提升了高温工作条件下器件热特性的表征精度，为GaN HEMTs的热管理设计提供了可靠依据。
解读: 该GaN HEMT热阻精确表征技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST系列储能变流器和SG光伏逆变器中，GaN器件因高频高效特性被广泛采用，但陷阱效应导致的温度测量误差直接影响热管理设计可靠性。该模型通过动态栅压调控抑制陷阱充放电，可精确提取沟道温度，为阳光电源优化GaN功率模块散热设计、提升...
基于含噪数据的驱动控制设计及其在直流微电网控制中的应用
Data-Driven Tracking Control Design With Noisy Data and its Application in DC Microgrid Control
Zi-Jie Wei · Kun-Zhi Liu · Ping Lin · Xi-Ming Sun · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月
本文研究了仅利用含噪测量数据进行动态反馈跟踪控制器的设计方法。通过数据驱动表示，建立了离散时间系统的数据驱动稳定性条件，并提出了一种实现零稳态误差跟踪的控制器增益设计方法，确保了系统在噪声环境下的控制性能与稳定性。
解读: 该研究提出的数据驱动控制策略对阳光电源的微电网解决方案具有重要参考价值。在PowerTitan和PowerStack等储能系统及工商业微电网应用中，系统常面临传感器噪声干扰和模型参数不确定性。该方法无需精确数学模型即可实现高精度跟踪控制，有助于提升PCS在弱电网或复杂直流微电网环境下的动态响应速度与...
一种用于集成门极换流晶闸管
IGCT）的超低电感可拆卸门极驱动单元
Jie Shang · Zhengyu Chen · Biao Zhao · Zhanqing Yu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年12月
在清洁能源并网背景下，高容量电力电子器件IGCT应用前景广阔。为提升更换便利性及使用寿命，本文提出了一种新型IGCT可拆卸门极驱动单元（DGDU）。通过优化连接方案与电路板设计，确保了器件的关断能力并实现了超低电感特性。
解读: IGCT作为高压大功率电力电子器件，主要应用于超高压输电或大型工业变频领域，与阳光电源目前的组串式/集中式光伏逆变器及储能PCS产品线（多基于IGBT或SiC模块）存在差异。然而，该研究提出的“可拆卸门极驱动”与“超低电感设计”理念，对于提升阳光电源大型集中式逆变器及未来高压储能系统（如PowerT...
通过减小输入电容以最小化无线电力接收系统中Buck变换器的右半平面零点效应
Reducing the Input Capacitance to Minimize the Right-Half-Plane Zero Effect for Buck Converters in Wireless Power Receiver Systems
Shuai Dong · Jie Liu · Baichuan Zhang · Chen Lin 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年10月
本文针对无线电力接收系统中Buck变换器因谐振网络电流源特性导致的右半平面零点（RHPZ）问题，提出了一种通过减小输入电容来优化控制到输出传递函数的方法，旨在改善系统的瞬态响应性能。
解读: 该研究关注Buck变换器在特定负载特性下的控制稳定性优化，虽然主要针对无线充电场景，但其对控制环路设计和RHPZ效应的抑制策略对阳光电源的户用光伏优化器及小型DC-DC变换模块具有参考价值。在阳光电源的户用光伏及电动汽车充电桩产品线中，优化变换器的瞬态响应能提升系统在复杂工况下的稳定性。建议研发团队...
一种采用滞回控制和多电平电流波调制技术的6.78-MHz单级无线功率接收器
A 6.78-MHz Single-Stage Wireless Power Receiver With Ultrafast Transient Response Using Hysteretic Control and Multilevel Current-Wave Modulation
Jie Lin · Chenchang Zhan · Yan Lu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年9月
本文提出了一种用于无线功率接收的6.78-MHz单级调节整流器，结合了滞回控制和电流波调制（CWM）技术。该接收器在单级功率电路中实现了交流-直流整流和直流-直流调节，有效提升了功率效率并减小了系统体积。
解读: 该研究聚焦于高频无线电能传输的单级拓扑优化，旨在提升功率密度与转换效率。对于阳光电源而言，该技术目前与核心的光伏逆变器及储能系统（如PowerTitan、PowerStack）业务关联度较低。但在电动汽车充电桩业务领域，随着未来无线充电技术的演进，该类高频、高集成度的功率变换技术可作为技术储备，有助...
基于接地晶闸管回路的混合MMC用于双极性高压直流系统阀侧单相接地故障
Grounded Thyristor Loop-Based Hybrid MMCs for Valve-Side Single-Phase-to-Ground Faults in Bipolar HVdc Systems
Huailong Li · Fujin Deng · Jie Tian · Yu Lu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月
阀侧单相接地（SPG）故障是基于模块化多电平换流器（MMC）的双极性高压直流系统的关键挑战。本文提出了一种基于接地晶闸管回路（GTL）的混合MMC（HMMC），旨在保护双极性高压直流系统免受阀侧SPG故障影响。通过在不同桥臂电感与地之间连接晶闸管支路，该拓扑能够有效应对故障工况。
解读: 该研究针对高压直流输电（HVDC）系统中的MMC拓扑优化及故障保护，虽然阳光电源目前核心业务聚焦于光伏逆变器、储能系统及风电变流器，但随着公司在大型储能电站及电网侧支撑技术（如构网型技术）的深入，MMC拓扑的故障穿越与保护机制对未来大功率储能变流器（PCS）及高压直流接入技术具有重要的参考价值。建议...
一种具有低电压纹波和电压降的混合全波倍压高压电源
A High Voltage Power Supply With a Hybrid Full Wave Voltage Multiplier Featuring Low Voltage Ripple and Voltage Drop
Yang Liu · Zhixing He · Jie Zeng · Jiasheng Qiu 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月
本文提出了一种新型混合全波倍压电路，旨在解决传统倍压器在多级联时输出电压降（OVD）大及电压纹波（OVR）高的问题。该拓扑通过优化电路结构，在减少对高压元器件依赖的同时，提升了输出性能，并降低了对逆变器调节范围的要求。
解读: 该研究聚焦于高压倍压电路拓扑优化，主要应用于高压直流电源领域。对于阳光电源而言，其核心产品线（如光伏逆变器、储能PCS、充电桩）多采用基于IGBT/SiC的DC-DC及DC-AC变换架构，而非传统的倍压整流电路。该技术在公司现有主流产品中直接应用场景有限，但其在降低电压纹波和提升输出稳定性方面的设计...
理解平面SiC功率MOSFET在雪崩击穿后第三象限工作期间反向导通电压正向偏移的机制
Toward Understanding the Positive Shift of Reverse Turn-on Voltage in the Third Quadrant Operation in Planar SiC Power MOSFETs After Avalanche Breakdown
Wei-Cheng Lin · Yu-Sheng Hsiao · Chen Sung · Chu Thị Bích Ngọc 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月
本研究探讨了平面SiC功率MOSFET在超过雪崩击穿条件的高漏极偏压下第三象限特性的稳定性。通过实验测量与TCAD仿真，分析了第三象限运行中反向导通电压（Vrev,on）正向漂移的机理。当漏极偏压从1500 V增至1620 V时，观察到阈值电压（VTH）明显负向漂移，同时Vrev,on出现正向漂移。TCAD仿真表明，该现象源于p阱区高电场引发的碰撞电离效应。进一步引入位于SiO2/SiC界面附近栅氧化层中的正固定电荷作为空穴陷阱后，仿真结果与实验一致。结果表明，雪崩击穿以上高漏压导致的空穴俘获会...
解读: 该研究揭示的SiC MOSFET雪崩击穿后第三象限特性退化机理，对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST储能变流器和SG光伏逆变器中，SiC MOSFET常工作在硬开关和体二极管续流模式，第三象限反向导通特性直接影响系统效率和可靠性。研究指出的栅氧界面空穴俘获导致Vrev,on正漂移现象，为优化器...