找到 2 条结果
金属有机化学气相沉积制备的金红石相二氧化锗薄膜具有高热导率：52.9 W m−1 K−1
High thermal conductivity of rutile-GeO2 film by metal-organic chemical vapor deposition: 52.9 W m−1 K−1
Imteaz Rahaman · Michael E. Liao · Ziqi Wang · Eugene Y. Kwon 等13人 · Applied Physics Letters · 2026年2月 · Vol.128
本文报道了通过金属有机化学气相沉积法制备的高质量(002)取向金红石相GeO2薄膜，实测热导率达52.9±6.6 W·m⁻¹·K⁻¹，结合种子层驱动结晶与化学机械抛光显著改善相纯度和表面粗糙度，验证其作为超宽禁带氧化物半导体在功率电子中的应用潜力。
解读: 该研究聚焦于新型超宽禁带氧化物半导体GeO2的热管理性能突破，虽非阳光电源当前主力器件（如SiC/GaN逆变器模块），但其高达52.9 W·m⁻¹·K⁻¹的热导率对下一代高功率密度PCS（如ST系列、PowerTitan）及组串式逆变器的功率模块散热设计具前瞻参考价值。建议阳光电源材料与热设计团队关...
2.4 kV Ga₂O₃肖特基势垒二极管在高达500°C高温下的退化特性
Degradation of 2.4-kV Ga₂O₃ Schottky Barrier Diode at High Temperatures Up to 500°C
Hunter Ellis · Wei Jia · Imteaz Rahaman · Apostoli Hillas 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年10月
制备了具有场板（FP）且场板下方带有复合SiO₂/SiNₓ介电层的Ga₂O₃肖特基势垒二极管（SBD），在室温（RT）下实现了2.4 kV的击穿电压（BV）。通过在25 °C至500 °C范围内进行电流 - 电压（I - V）和电容 - 电压（C - V）测量，分析了其电学性能和退化情况，揭示了与温度相关的输运特性、界面稳定性和器件稳定性。当温度回到室温时，二极管的正向特性几乎不变，而击穿电压从2.4 kV显著下降至700 V。这种现象表明温度导致势垒高度降低。详细分析显示，在中等温度下，变程跳...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于2.4kV Ga₂O₃肖特基势垒二极管的高温退化研究具有重要的战略参考价值。作为功率半导体领域的前沿技术，氧化镓器件凭借其超宽禁带特性（约4.8eV）在高压、高温应用场景中展现出超越传统硅基和碳化硅器件的潜力，这与我们光伏逆变器和储能系统对高效率、高功率密度的需求高...