Gianni Bosi · Antonio Raffo · Francesco Trevisan · Valeria Vadala 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年10月

本文首次将非线性嵌入技术应用于基于横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）场效应晶体管的功率放大器（PA）设计。该技术通过在固有电流发生器平面设置晶体管负载线，遵循理论准则进行优化，从而实现高效的PA设计。

解读: 该文章探讨的LDMOS器件及非线性嵌入设计方法主要应用于高频射频（RF）功率放大领域。对于阳光电源而言，虽然目前核心产品（如光伏逆变器、储能PCS）主要采用SiC或IGBT等功率半导体，而非LDMOS，但该研究中提出的“非线性嵌入”与“负载线优化”设计思路，对于提升功率模块在极端工况下的效率和热管理...