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An integrated bifunctional reflector for simultaneous solar concentration and radiative cooling: comprehensive performance validation and analysis
Haoyu Si · Han Zhang · Mujun Li · Li-Feng Chen 等7人 · Solar Energy · 2026年4月 · Vol.308
增强型GaN p型场效应晶体管中的极化增强电导
Polarization-enhanced conductivity in enhancement-mode GaN p-FET
Hengyuan Qi · Teng Li · Jingjing Yu · Jialin Duan 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年9月 · Vol.127
本文报道了一种通过极化工程实现高电导率的增强型GaN p型场效应晶体管。利用AlN/GaN超晶格中的自发和压电极化效应,显著增强了空穴载流子浓度与迁移特性,从而在常关型器件中实现了优异的导通性能。实验结果表明,极化诱导的二维空穴气有效调制了p型沟道电导,提升了器件的电流开关比和阈值电压稳定性。该策略为高性能GaN基互补电路的发展提供了可行路径。
解读: 该GaN p-FET极化增强技术对阳光电源的功率变换产品具有重要价值。通过AlN/GaN超晶格结构提升的载流子特性,可显著改善SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的导通性能,有助于降低开关损耗。特别是在1500V高压系统中,该技术可提升GaN器件的可靠性和效率。同时,增强型p-FET的...
Reliability Investigations, Machine Vision Recognition, and Artificial Intelligence-Driven Protective Circuit Design of Extreme Temperature Fluctuations on Orange AlInGaP Light-Emitting Diodes
Chun-Yen Yang · Yu-Tung Chen · Kun-Pu Lee · Yu-Tzu Chou 等13人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2026年1月 · Vol.73
This study investigates the stability and degradation of AlInGaP-based yellow light-emitting diodes (LEDs) subjected to extreme temperature cycling between $106~^{\circ }$ C and $- 196~^{\circ }$ C. Over 120 min, significant changes in electrical a...
基于模型参考自适应的构网型逆变器快速功率控制策略
Fast Power Control Strategy for Grid-Forming Inverter Based on Model Reference Adaptation
Xinxin Fu · Xing Zhang · Feng Han · Mengze Wu 等5人 · IET Power Electronics · 2025年9月 · Vol.18
本文提出一种针对构网型逆变器的快速功率控制策略:首先,通过具有超前特性的前置滤波器提升有功功率控制带宽;其次,引入模型参考自适应机制,实时调节前置滤波器参数,以抑制电网阻抗变化对带宽扩展性能的影响。所提控制方法在保障系统稳定性的前提下,显著提升了逆变器输出功率的动态响应速度,可有效实现新能源最大功率点的快速跟踪。
解读: 该模型参考自适应快速功率控制技术对阳光电源ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的构网型GFM控制具有重要应用价值。通过超前滤波器提升功率控制带宽,可显著改善PowerTitan储能系统在电网支撑模式下的动态响应性能,增强频率电压支撑能力。模型参考自适应机制能实时适应电网阻抗变化,提升系统在弱电网环...
双层NiO/β-Ga2O3异质结二极管实现2870 V/20 A及12.80 ns反向恢复时间
Double-Layered-NiO/β-Ga2O3 Heterojunction Diode With 2870-V/20-A and 12.80-ns Reverse Recovery Time
Shaobo Dun · Yuangang Wang · Yuanjie Lv · Tingting Han 等7人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2026年1月 · Vol.73
本文报道了一种基于双层p-NiO/β-Ga2O3的高压大电流异质结二极管,实现2870 V击穿电压、20 A正向电流、14.4 mΩ·cm²导通电阻及12.80 ns超快反向恢复时间,展现出优异的高压高频功率器件潜力。
解读: 该β-Ga2O3异质结二极管在高压(>2.8 kV)、快速开关(<13 ns)和低导通损耗方面取得突破,可支撑阳光电源下一代高功率密度ST系列PCS、PowerTitan储能系统中更高效率的直流侧开关模块设计,尤其适用于1500 V+高压储能系统中的固态断路器或高频隔离DC-DC环节。建议联合国内宽...
面向效率提升的双有源桥DC-DC变换器六自由度调制方案及深度强化学习优化
Six-Control Degree-of-Freedom Modulation Scheme for DAB DC–DC Converters to Enhance Efficiency With the Aid of Deep Reinforcement Learning
Zhichen Feng · Huiqing Wen · Xu Han · Guangyu Wang 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年9月 · Vol.14
本文提出一种六自由度(6-DoF)调制策略,结合深度确定性策略梯度(DDPG)强化学习算法,优化DAB变换器控制变量,降低rms电流与损耗,提升ZVS性能与整机效率,尤其在重载下效果显著,并通过实验验证。
解读: 该DRL-6DoF控制技术可直接赋能阳光电源ST系列储能变流器(PCS)及PowerTitan液冷储能系统中的双向DAB隔离级,提升宽负载范围下的转换效率与动态响应。建议在新一代高功率密度PCS中集成该AI驱动调制策略,替代传统相移+移相组合控制,增强光储/储充系统的能效竞争力;同时可拓展至组串式逆...
DAB DC-DC变换器六控制自由度调制方案及深度强化学习效率增强
Six Control Degrees of Freedom Modulation Scheme for DAB DC-DC Converters
Zhichen Feng · Huiqing Wen · Xu Han · Guangyu Wang 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年9月
通过增加控制自由度(DoF)可提高双有源桥(DAB)变换器转换效率。提出六控制自由度(6-DoF)调制进一步提升DAB变换器效率。采用频域分析直接推导变换器运行表达式,包括传输功率、电感电流和均方根(RMS)电流。提出6-DoF深度强化学习(DRL-6DoF)优化方案,采用深度确定性策略梯度(DDPG)算法求解最小功率损耗最优解。训练后的DDPG代理可在各种运行工况下输出控制变量最优值。采用DRL-6DoF控制方案,因低RMS电流和优异ZVS性能进一步提升DAB变换器效率。特别在重载工况下,因可...
解读: 该六自由度深度强化学习DAB优化技术对阳光电源储能变流器的DAB变换器效率提升有重要应用价值。DDPG算法优化可应用于ST储能系统的DC-DC变换级,实现全工况高效运行。可变开关频率和低RMS电流技术对阳光电源DAB拓扑产品的重载效率优化有借鉴意义。该技术对PowerTitan大型储能系统的智能控制...
一种采用最优开关策略的混合三级混合开关
Hybrid2)有源中点钳位变换器
Tianlun Xia · Xinchun Feng · Chushan Li · Rulei Han 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年1月
多电平变换器拓扑适应航空电力系统高电压、大功率的发展趋势。为实现高效率与高功率密度,常采用碳化硅(SiC)等宽禁带器件,但全SiC方案成本过高。本文提出一种混合型Hybrid2有源中点钳位(ANPC)变换器,仅含两个Si/SiC混合开关,其余为硅基IGBT。通过混合频率调制策略,将绝大部分开关任务转移至混合开关。结合实验与理论分析,深入研究混合开关的特性,并提出最优开关策略以降低损耗、提升功率能力并保障器件安全。实验平台验证了该拓扑在成本、效率与可靠性方面的优势,适用于现代航空高功率变流器。
解读: 该混合型Hybrid2 ANPC拓扑对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统具有重要应用价值。通过Si IGBT与SiC混合开关的协同设计,可在保持三电平拓扑高效率优势的同时,显著降低全SiC方案的成本压力。混合频率调制策略将高频开关损耗集中于SiC器件,低频开关由IGBT承担...
高迁移率AlGaN/GaN异质结构在金刚石(111)衬底上的直接外延生长
High-mobility AlGaN/GaN heterostructures directly grown on diamond (111) substrates using a high-temperature physical-vapor-deposition AlN nucleation layer
Hongcai Yang · Xuelin Yang · Han Yang · Kexin Zhang 等18人 · Applied Physics Letters · 2026年2月 · Vol.128
本文提出高温物理气相沉积AlN(HT-PVD-AlN)成核技术,成功实现GaN在金刚石(111)衬底上的高质量直接外延,获得室温电子迁移率1640 cm²/(V·s)的AlGaN/GaN异质结,显著提升热管理能力。
解读: 该研究提升GaN器件在超高功率密度下的热可靠性,对阳光电源ST系列PCS、PowerTitan储能系统中高频高效功率模块的散热设计具参考价值;建议关注金刚石基GaN在1500V+高压PCS中的长期可靠性验证,并与现有SiC模块做热-电协同仿真对比,支撑下一代组串式逆变器和构网型储能变流器的器件选型升...
采用高功函数氮化钼金属栅垂直无结柱状存取晶体管的创新DRAM单元
Innovative DRAM Cell Featuring a Vertical Junctionless Pillar Access Transistor With a High Work-Function Molybdenum Nitride Metal Gate for Enhanced Performance and Efficiency
Deyuan Xiao · Yi Jiang · Yunsong Qiu · Yuhong Zheng 等24人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2026年1月 · Vol.73
本文提出一种基于高功函数氮化钼(MoN)金属栅的垂直无结柱状DRAM存取晶体管,显著提升阈值电压与噪声容限,降低泄漏电流,在600°C以下工艺兼容,适用于高密度、高可靠性存储器件。
解读: 该研究聚焦于DRAM存储器中的先进金属栅功率晶体管材料(MoN),属微电子器件层级创新,与阳光电源主营的功率变换系统(如组串式逆变器、ST系列PCS、PowerTitan储能系统)无直接产品关联。虽MoN等高WF金属材料在理论上可拓展至高压功率器件栅极工程,但当前阳光电源功率器件依赖成熟SiC/IG...
基于物理信息注意力残差网络的电池智能温度预警模型
Battery intelligent temperature warning model with physically-informed attention residual networks
Xue Ke · Lei Wang · Jun Wang · Anyang Wang 等12人 · Applied Energy · 2025年6月 · Vol.388
摘要 电动汽车的快速发展对锂离子电池的热安全管理提出了更高要求。传统的物理模型需要大量离线参数辨识,在计算效率与模型保真度之间难以平衡;而数据驱动方法虽然精度较高,但缺乏可解释性,且在不同工况下需要大量数据支持。为应对上述挑战,本文提出了一种物理信息引导的注意力残差网络(Physics-Informed Attention Residual Network, PIARN),该模型将改进的非线性双电容模型与热集总模型嵌入到物理引导的循环神经网络框架中,从而提升了模型的可解释性与泛化能力。所设计的残...
解读: 该物理信息引导的电池温度预警技术对阳光电源储能系统具有重要价值。PIARN模型结合物理模型与深度学习,可集成至ST系列PCS和PowerTitan储能系统的BMS热管理模块,实现0.1°C精度的在线温度预测和近100%准确率的热预警。其轻量化物理模型与残差网络架构适合边缘计算部署,可通过iSolar...
具有复合终端结构和衬底减薄的1200-V/10-A低热阻Ga₂O₃肖特基势垒二极管
1200-V/10-A Low Thermal Resistance Ga₂O₃ Schottky Barrier Diode With Composite Terminal Structure and Substrate Thinning
Zhihong Feng · Shida Han · Yuangang Wang · Hongyu Guo 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月
在本研究中,通过采用台面与双场板复合终端结构,并结合衬底减薄工艺,实现了一款高性能的β - Ga₂O₃垂直肖特基势垒二极管(SBD),该二极管具有高击穿电压、低热阻、低导通电阻、高浪涌电流和高巴利加优值(FOM)等特性。利用研磨和抛光工艺消除了亚表面损伤层,从而实现了低欧姆电阻。得益于减薄至 85 µm 厚的衬底,阳极面积为 2×2 mm²的器件导通电阻从 174 mΩ降至 112 mΩ。因此,在 2 V 偏压下,相应的正向电流从 6.04 A 增加到 10.1 A,浪涌电流从 20 A 增加到...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项氧化镓(Ga₂O₃)肖特基二极管技术具有重要的战略价值。该器件实现了1200V耐压、10A正向电流和342 MW/cm²的Baliga品质因数,这些参数直接对应我们光伏逆变器和储能变流器中功率开关器件的核心需求。 **技术价值分析:** 首先,该器件通过衬底减薄至8...