找到 2 条结果

排序:
功率器件技术 功率模块 宽禁带半导体 ★ 2.0

基于漂移阶跃恢复二极管的脉冲发生器输出脉冲过程物理建模

Physical Modeling of Output Pulse Process in Pulse Generator Based on Drift Step Recovery Diodes

Ziwen Chen · Yuxiao Yang · Zao Yang · Binghui Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年1月

漂移阶跃恢复二极管(DSRD)是高功率、高频脉冲发生器的核心组件。现有模型多关注器件结构参数,忽略了输出电流和脉宽等电路参数的影响。本文提出了一种综合考虑器件与电路参数的物理模型,旨在优化脉冲发生器的性能设计。

解读: DSRD主要应用于超高频、超快脉冲功率领域,与阳光电源现有的光伏逆变器、储能PCS及充电桩等主流电力电子产品线存在技术差异。目前阳光电源产品主要基于Si/SiC/GaN功率器件,DSRD的应用场景较窄。但在前沿电力电子技术储备方面,该物理建模方法论可为公司研发团队在处理高频开关瞬态过程、优化功率模块...

功率器件技术 功率模块 可靠性分析 ★ 2.0

串联晶闸管脉冲电流分析的行为模型

A Behavioral Model for Pulse Current Analysis of Series-Connected Thyristors

Pengcheng Xing · Qingbo Wan · Jie Huang · Heng Zhang 等14人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月

高功率脉冲系统常需串联多个晶闸管以承受高电压,但实现脉冲性能最优化的器件数量尚不明确。本文开发了一种串联晶闸管脉冲电流的行为模型,将器件级的电导调制与电路级的行为联系起来,为高压功率器件的串联应用提供了理论支撑。

解读: 该研究聚焦于晶闸管(Thyristor)的串联应用及脉冲特性,虽然阳光电源目前的主流产品(如组串式/集中式逆变器、PowerTitan储能系统)主要采用IGBT或SiC MOSFET等全控型功率器件,而非半控型的晶闸管,但该模型中关于“多器件串联均压与电导调制”的分析方法,对于超高压直流输电或特定高...