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功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

氧等离子体与后退火辅助表面氧化实现高阈值电压E型p-GaN HEMTs

Oxygen plasma and post-annealing assisted surface oxidation for high- _V_ th E-mode _p_-GaN HEMTs

Mao Jia · Bin Hou · Ling Yang · Zhiqiang Xue 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年5月 · Vol.126

本文提出了一种结合氧等离子体处理与后退火工艺的表面氧化方法,用于制备高阈值电压(_V_th)的增强型p-GaN栅高电子迁移率晶体管(E-mode _p_-GaN HEMTs)。通过氧等离子体在p-GaN表面形成可控的氧化层,再经氮气氛围下高温退火优化界面质量,有效提升了栅介质与p-GaN间的界面特性,增强了Mg受主激活。该方法实现了稳定的增强型工作特性,阈值电压高达2.9 V,并显著降低了栅泄漏电流。研究为高性能E-mode HEMT器件的可控制备提供了可行方案。

解读: 该高阈值电压E型p-GaN HEMT技术对阳光电源的功率变换产品具有重要应用价值。通过氧等离子体和退火工艺提升的2.9V阈值电压,可显著改善GaN器件的开关特性和可靠性,特别适合应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的高频化设计。降低的栅极漏电流有助于提升系统效率,对车载OBC等对功率密度要求...

系统并网技术 低电压穿越LVRT 并网逆变器 故障诊断 ★ 5.0

逆变器接口可再生能源系统故障控制参数的多阶段辨识方法

Multistage Parameter Identification for Fault Control Parameters of the IIRES

Yang Zhang · Ke Jia · Xinying Jiang · Haoyuan Wang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月

针对逆变器接口可再生能源系统(IIRES)故障控制参数(FCPs)辨识困难的问题,本文深入分析了参数间的相关性(COP),提出了一种多阶段辨识方法。该方法能有效提升故障特性模拟的准确性,为电力系统故障分析及保护策略设计提供关键技术支撑。

解读: 该研究直接服务于阳光电源组串式及集中式光伏逆变器、PowerTitan储能系统的并网性能优化。在复杂电网故障下,精确的控制参数辨识是实现高性能低电压穿越(LVRT)和故障穿越控制的基础。通过该方法,阳光电源可进一步提升逆变器在弱电网环境下的故障响应精度,优化保护逻辑,从而增强产品在电网侧储能及大型地...

系统并网技术 光伏逆变器 故障诊断 弱电网并网 ★ 5.0

基于高频故障分量的可再生能源电站距离保护方法

High-Frequency Fault Component-Based Distance Protection for Large Renewable Power Plants

Zhe Yang · Ke Jia · Yu Fang · Zhengxuan Zhu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年10月

可再生能源通过电力电子设备并网,其短路电流具有幅值受限、非工频及相位可控等特征,导致传统距离保护易误动。本文提出一种基于高频故障分量的距离保护方法,旨在解决电力电子化电网中可再生能源侧输电线路的保护难题,提升系统故障穿越能力与运行可靠性。

解读: 该研究直接针对电力电子化电网中逆变器短路电流特征带来的保护挑战,对阳光电源的组串式和集中式光伏逆变器及大型储能系统(PowerTitan系列)具有重要意义。随着电网中电力电子设备占比提升,传统继电保护失效问题日益突出。阳光电源可通过集成该类高频故障分量检测算法,优化逆变器在故障期间的电流控制策略,提...

拓扑与电路 多电平 功率模块 并网逆变器 ★ 4.0

一种用于子模块电容电压纹波抑制和功率损耗降低的带主动滤波器的模块化多电平变换器

A Modular Multilevel Converter With Active Power Filter for Submodule Capacitor Voltage Ripples and Power Losses Reduction

Guanlong Jia · Min Chen · Song Tang · Chenghao Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年11月

模块化多电平变换器(MMC)广泛应用于中高压领域,但需大电容抑制子模块电压纹波。本文提出一种改进型MMC(APF-MMC),在每相上下桥臂间并联有源电力滤波器,在不改变原拓扑结构的前提下,有效降低了电容电压纹波及系统功率损耗。

解读: 该技术对阳光电源的中高压光伏逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。MMC拓扑是高压大功率并网的核心,通过引入有源滤波技术优化子模块电容电压纹波,可显著减小储能PCS中薄膜电容的体积与成本,提升系统功率密度。建议研发团队评估该拓扑在大型地面电站及电网侧储能变流器中的应用可...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 4.0

氮化镓高电子迁移率晶体管

GaN-based HEMTs)击穿特性表征方法分析

Sheng Lei Zhao · Bin Hou · Wei Wei Chen · Min Han Mi 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年2月

本文通过研究关断状态漏电流和击穿曲线,分析了GaN HEMT的击穿特性表征方法。研究发现,在七种常规击穿曲线中,仅有两种能通过传统三端击穿表征方法合理呈现,并针对其余五种击穿类型进行了深入探讨。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化充电桩领域对功率密度要求的不断提升,GaN器件的应用成为关键技术趋势。本文提出的击穿特性表征方法,对于优化阳光电源功率模块的选型、提升高频变换器的可靠性设计具有重要参考价值。建议研发团队将此表征方法引入GaN器件的入库测试与失效分析流程中,以更精准地评估器件在极端...