Arun Singh · Anup Anurag · Sandeep Anand · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年4月

本文提出了一种在线监测IGBT封装内键合线老化状况的新方案。该方法通过检测导通状态下集电极-发射极电压（Vce）在拐点处的变化来识别键合线退化。相比以往依赖精确老化先验知识的方法，该方案在提升监测准确性与实用性方面具有显著优势，为功率器件的寿命预测提供了新思路。

解读: IGBT是阳光电源组串式逆变器、集中式逆变器及储能PCS的核心功率器件。键合线失效是功率模块最常见的故障模式之一。该研究提出的基于Vce拐点监测的方法，无需复杂的额外传感器，极易集成于iSolarCloud智能运维平台中。建议研发团队将其应用于PowerTitan等大型储能系统及高功率密度逆变器的在...