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基于结电容的SiC MOSFET栅氧化层退化温度无关监测方法
Temperature-Independent Gate-Oxide Degradation Monitoring of SiC MOSFETs Based on Junction Capacitances
Masoud Farhadi · Fei Yang · Shi Pu · Bhanu Teja Vankayalapati 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
栅氧化层退化是SiC MOSFET的主要可靠性挑战。现有监测方法多受温度影响，难以消除误差。本文提出了一种基于结电容的监测方法，实现了对栅氧化层退化的温度无关监测，有助于预防功率变换器的突发故障。
解读: SiC MOSFET作为阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能变流器及高频充电桩的核心功率器件，其可靠性直接决定了产品的全生命周期运维成本。该研究提出的温度无关监测技术，能够有效解决复杂工况下器件老化评估不准的痛点。建议将此技术集成至iSolarCloud智能运维平台，通过实时监测关键结电容...
二极管反向恢复效应对氮化镓基LLC谐振变换器ZVS条件的影响分析
Analysis of Diode Reverse Recovery Effect on ZVS Condition for GaN-Based LLC Resonant Converter
Hao Wen · Jinwu Gong · Xiaonan Zhao · Chih-Shen Yeh 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年12月
LLC谐振变换器可实现原边开关管的零电压开关（ZVS）和副边整流器的零电流开关（ZCS）。然而，副边二极管的反向恢复特性及结电容对原边开关管的ZVS条件具有关键影响。本文重点研究了反向恢复效应对ZVS实现的影响，为高频高效变换器设计提供了理论依据。
解读: 该研究针对高频高效LLC变换器中GaN器件的应用，对阳光电源的户用光伏逆变器及充电桩产品线具有重要参考价值。随着功率密度要求的提升，GaN器件在小功率DC-DC变换环节的应用日益广泛。本文揭示的副边二极管反向恢复对ZVS的影响，有助于优化阳光电源高频变换电路的驱动策略与死区时间设置，从而降低开关损耗...
结电容与死区时间对双有源桥
DAB）实际软开关范围的影响：解析分析与解决方案
Zhe Wang · Chi Li · Jiye Liu · Zedong Zheng · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年5月
双有源桥（DAB）变换器在轻载条件下，由于半导体结电容无法在死区时间内完成充放电，常导致零电压开关（ZVS）失效。本文旨在解析结电容与死区时间对DAB软开关范围的具体影响，并提出相应的优化解决方案，以提升变换器在全功率范围内的效率。
解读: DAB拓扑是阳光电源储能变流器（如PowerTitan、PowerStack系列）及直流耦合光储一体化方案中的核心DC-DC变换环节。在轻载工况下，ZVS失效会显著增加开关损耗，降低系统整体效率。本文提出的解析模型和优化方案，可直接指导研发团队在设计高频高效储能PCS时，更精准地匹配死区时间与功率器...
用于300-kHz SiC双向CLLC变换器数字同步整流的考虑MOSFET结电容的多谐波频域模型
Multiharmonic Frequency-Domain Model With MOSFET Junction Capacitance for Digital Synchronous Rectification in 300-kHz SiC Bidirectional CLLC Converters
Haoran Li · Xin Wang · Cungang Hu · Xirui Zhu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
传统CLLC同步整流（SR）依赖硬件检测或时域模型，易受SiC器件高dv/dt干扰且精度受限。本文提出一种考虑MOSFET结电容的多谐波频域模型，旨在解决高频下SiC体二极管导通压降高带来的损耗问题，实现高精度同步整流控制。
解读: 该技术对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及户用储能中的双向DC-DC变换器具有重要价值。随着储能系统向高功率密度和高效率演进，300kHz高频化是必然趋势。该模型通过精确的频域建模优化同步整流，能显著降低SiC MOSFET在高频运行下的开关损耗和体二极管导通损耗，...
三电平AC/DC变换器中工频器件结电容与换流回路的影响研究
Effects of Junction Capacitances and Commutation Loops Associated With Line-Frequency Devices in Three-Level AC/DC Converters
Bo Liu · Ren Ren · Edward A. Jones · Handong Gui 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年7月
本文分析了三电平AC/DC变换器中工频器件（在半个工频周期内不工作）所引入的额外结电容及开关换流回路，并研究了其对变换器性能的影响。研究表明，这些结电容和功率回路是影响开关损耗和器件应力的关键因素，对功率器件选型及系统设计具有重要指导意义。
解读: 该研究直接关联阳光电源的核心产品线，如组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）。阳光电源的三电平拓扑广泛应用于高功率密度产品中，工频器件的寄生参数对高频开关过程中的电压尖峰和损耗有显著影响。建议研发团队在进行高压大功率变换器设计时，将工频器件的结电容纳入换流回路的...
整流器非线性结电容对高压电源性能的影响
Effects of Nonlinear Junction Capacitance of Rectifiers on Performance of High Voltage Power Supplies
Sihui Zhou · Qianhong Chen · Bin Zhang · Jingwen Gao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年12月
碳化硅（SiC）二极管因其高频特性和紧凑尺寸，常用于高压电源整流器。本文深入分析了二极管结电容对包含LCL/P谐振网络和倍压器的转换器性能的影响，并考虑了电压相关性。
解读: 该研究针对SiC二极管结电容对高压转换效率的影响，对阳光电源的高功率密度产品线具有重要参考价值。在PowerTitan储能系统及大功率组串式逆变器中，随着开关频率的提升，二极管的非线性结电容会显著影响软开关实现及电磁干扰（EMI）。建议研发团队在设计高压DC-DC级时，将非线性电容模型纳入仿真，以优...
利用双层物理信息神经网络改进光伏模型参数估计
Improving Estimation of Parameters in Photovoltaic Models Using Two-Level Layered Physics-Informed Neural Networks
Nikta Shamsmohammadi · Giovanni Spagnuolo · José del Campo-Ávila · Esteban José Palomo 等5人 · IEEE Journal of Photovoltaics · 2025年11月
准确估计光伏模型中的参数对于改善系统监测、控制和诊断至关重要。在本研究中，提出了一种新颖的两级分层物理信息神经网络（PINN）架构，用于估计动态单二极管光伏模型中的参数，包括辐照度（$G$）、温度（$T$）和结电容（$C_{j0}$）。在光伏电流和电压波形不受噪声影响的情况下，所提出的方法实现的误差为：辐照度（$G$）误差为 0.25%，温度（$T$）误差为 1.5%，结电容（$C_{j0}$）误差为 2.1%。与传统优化方法相比，两级分层 PINN 表现更优，尤其在学习结电容（$C_{j0}$...
解读: 该双层物理信息神经网络参数估计技术对阳光电源SG系列光伏逆变器的MPPT算法优化具有重要应用价值。通过精准估计光伏组件的五参数模型（光生电流、二极管饱和电流、串联电阻等），可显著提升不同光照温度条件下的最大功率点追踪精度。该方法可集成到iSolarCloud智能运维平台，实现光伏阵列实时建模与性能诊...