找到 2 条结果
栅电容比对离子敏感型场效应晶体管存储器的影响
Effect of gate capacitance ratio on ion-sensitive FET memory
Henrique Lanfredi Carvalho · Pedro Henrique Duarte · Ricardo Cardoso Rangel · Joao Antonio Martino · Solid-State Electronics · 2026年6月 · Vol.234
本文研究栅极电容比对离子敏感型场效应晶体管（ISFET）存储特性的影响，探讨其在传感-存储一体化器件中的稳定性与可靠性机制。
解读: 该研究聚焦于ISFET器件的栅电容参数优化，属于微纳传感器与新型存储器件交叉领域，与阳光电源核心业务（光伏逆变器、储能PCS、功率变换系统）无直接技术关联。阳光电源产品不涉及生物/化学离子传感或非易失性存储器件设计。但其中关于界面电容建模、器件可靠性评估的方法论，可间接支撑功率器件（如SiC/GaN...
用于功率器件的高共模抑制比隔离电压探头
High Common-Mode Rejection Ratio Isolated Voltage Probe for Power Devices
辛振马欣伟赖耀康刘新宇白月 · 中国电机工程学报 · 2025年7月 · Vol.45
高共模抑制比（CMRR）的浮动测量对功率变换系统评估至关重要。宽禁带器件如SiC MOSFET的高速开关特性引入高dv/dt干扰，给电压测量带来挑战。现有商用探头因对称性缺陷、成本高或温漂问题难以兼顾高CMRR与低成本需求。本文分析隔离探头共模增益机理及CMRR影响因素，提出基于三同轴线缆的扰动抑制方案，并设计采用射频Balun或数字隔离+FPGA的探头结构。实验验证表明，探头带宽达228 MHz，灵敏度误差在81 MHz内低于3%，CMRR达78 dB@1 MHz、65 dB@10 MHz，兼...
解读: 该高CMRR隔离电压探头技术对阳光电源的SiC功率器件测试与产品优化具有重要价值。可直接应用于SG系列光伏逆变器、ST系列储能变流器和充电桩等产品的SiC MOSFET开关特性测试,有助于精确评估dv/dt干扰和开关损耗。其78dB@1MHz的高CMRR性能可显著提升测试精度,而低成本设计也适合产线...