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使用超窄窗口条形掩模实现c面α-Ga2O3的外延横向过生长
Epitaxial lateral overgrowth of _c_-plane α-Ga2O3 using a stripe mask with ultra-narrow windows
Yuichi Oshima · Takashi Shinohe · Applied Physics Letters · 2025年5月 · Vol.126
采用卤化物气相外延法，结合窗口宽度为50–750 nm的条形掩模，实现了α-Ga2O3的外延横向过生长。即使在最窄窗口条件下，α-Ga2O3仅在窗口区域选择性生长，掩模表面无非故意成核。腐蚀坑观察与截面透射电镜分析表明，缩小窗口显著抑制了位错向再生层的延伸。对于50 nm窗口掩模，合并后的薄膜整体位错密度低至4×10⁷ cm⁻²（包含窗口区与合并边界）。该结果对发展高性能α-Ga2O3基功率器件具有重要意义。
解读: 该研究在α-Ga2O3外延生长方面的突破对阳光电源功率器件技术具有重要价值。超低位错密度(4×10⁷ cm⁻²)的α-Ga2O3材料有望用于开发新一代宽禁带功率器件,可应用于SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率模块。相比现有SiC器件,α-Ga2O3基器件具有更高的击穿电场和更低的导通损耗,...
多指α-Ga₂O₃超宽禁带电子器件中加热的去中心化
Decentralization of the Heating in Multi-Finger α-Ga₂O₃ Ultra-Wide Bandgap Electronics
作者未知 · IEEE Electron Device Letters · 2024年12月
α - Ga₂O₃是有望推动下一代电力电子技术发展的超宽禁带半导体之一。然而，由于其热力学不稳定且热导率较低，过热问题阻碍了α - Ga₂O₃器件的应用。本研究揭示了多指α - Ga₂O₃金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）中热串扰的不利影响。通过第一性原理计算和基于激光的泵浦 - 探测测量确定了α - Ga₂O₃的热导率（室温下约为12瓦每米开尔文）。进行了器件热特性表征和建模，以设计一种脊椎形多指器件布局，该布局通过分散整个器件的发热分布来减轻热串扰。
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于α-Ga₂O₃超宽禁带半导体的热管理研究具有重要的战略参考价值。α-Ga₂O₃作为新一代功率半导体材料，其超宽禁带特性（约5.0 eV）理论上可实现更高的击穿电压和更低的导通损耗，这对我们的光伏逆变器和储能变流器等核心产品的效率提升具有显著意义。 该研究揭示的热串...
基于可调肖特基势垒的还原氧化石墨烯/α-Ga2O3太阳能盲区紫外探测器
Reduced graphene oxide on α-Ga2O3 with adjustable Schottky barrier for solar-blind UV detection
Daeju Kim · Bhishma Pandit · Dong Yeong Kim · Hyunsoo Kim 等6人 · Applied Physics Letters · 2026年2月 · Vol.128
本文利用热还原调控rGO功函数，优化其与α-Ga2O3的肖特基势垒高度，制备出高选择性（3.40×10⁴）和高探测率（4.85×10¹⁵ Jones）的无滤光片太阳能盲区紫外探测器。
解读: 该研究聚焦于α-Ga2O3宽禁带半导体与rGO电极的界面工程，属前沿功率半导体材料基础研究，与阳光电源主航道（光伏逆变器、储能PCS）无直接产品关联。但其对Ga2O3等超宽禁带器件的肖特基接触调控方法，可为未来高压、高温、抗辐照场景下下一代SiC/GaN混合驱动芯片或极端环境监测传感器提供参考，建议...