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储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

等离子体驱动的片状电子束时间准直

Plasma-driven temporal collimation of sheet electron beam

Prerna Unadkat · Niraj Kumar · Applied Physics Letters · 2025年9月 · Vol.127

利用外加磁场对高电流密度片状电子束进行准直面临诸多挑战,尤其是二极管不稳定性等问题。本文提出一种非磁性、等离子体辅助的平面准直器。研究采用脉冲电子束源产生持续50 ns的瞬态片状电子束,通过该准直器并分析其性能。在准直区域附近获得7.1 mm × 0.75 mm的准直束流,束高方向压缩显著优于束宽,表现出各向异性压缩特性。由于空间限制,传统探针难以开展内部诊断,因此采用VSim进行了三维粒子模拟,以深入理解准直过程中的粒子动力学行为。

解读: 该等离子体束流准直技术虽源于高能物理领域,但其非磁性、瞬态高电流密度控制原理对阳光电源功率器件散热与电磁兼容设计具有启发意义。片状电子束的各向异性压缩特性可借鉴于ST储能变流器和SG逆变器的功率模块热管理优化,通过定向导热结构设计实现局部热流密度控制。VSim三维粒子模拟方法可应用于SiC/GaN器...

氢能与燃料电池 PFC整流 功率模块 多电平 ★ 4.0

用于电解水制氢的高效率非对称设计三相虚拟48脉冲电源

High-Efficiency Asymmetrically Designed Three-Phase Virtual 48-Pulse Power Supply for Electrolytic Hydrogen

Hanlei Tian · Haoran Cui · Wei Han · Jagabar Sathik M 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月

针对电解水制氢应用中低压大电流的需求,本文提出了一种虚拟48脉冲三相整流器。该方案基于传统的12脉冲整流器设计,通过引入新型非对称电流注入单元(ACIU),实现了等效于四个并联12脉冲整流器的性能,显著优化了电源系统的谐波特性与效率。

解读: 阳光电源在绿氢领域布局深厚,该技术对提升电解槽电源的电能质量和转换效率具有重要参考价值。虚拟48脉冲技术能有效降低大功率整流系统的网侧谐波,减少对电网的污染,这与阳光电源的电解槽电源产品线(如SEP系列)的技术演进方向高度契合。建议研发团队关注该非对称电流注入单元(ACIU)的拓扑实现,评估其在降低...

系统并网技术 ★ 4.0

基于55 nm BCD平台的超级分栅LDMOS器件实现优化RSP与79.5% QGD降低,适用于高频xPU电源

Super Split-Gate LDMOS With Optimized RSP and 79.5% QGD Decrease on 55-nm BCD Platform for High-Frequency xPU Power Supply

Dingxiang Ma · Ming Qiao · Yangjie Liao · Yixun Jiang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年6月

本文提出了一种基于55纳米BCD平台的超级分裂栅横向双扩散金属氧化物半导体(SSG LDMOS)器件,旨在克服击穿电压(BV)、比导通电阻($R_{SP}$)和栅漏电荷($Q_{GD}$)之间的折衷关系,同时满足高频功率片上系统(PwrSoC)应用的需求。该器件采用极短的栅极1以实现极低的$Q_{GD}$,并采用偏置的栅极2以实现低$R_{SP}$。测量数据证实,对于7 - 16伏的低压器件,$R_{SP}$和BV之间实现了最优折衷。值得注意的是,与传统的低$C_{GD}$ LDMOS相比,16...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于55纳米BCD平台的超级分栅LDMOS技术具有重要的战略价值。该技术通过创新的双栅极结构,实现了击穿电压、导通电阻和栅漏电荷之间的优化平衡,这直接契合我们在光伏逆变器和储能变流器领域对高频、高效功率器件的迫切需求。 该器件在16V应用场景下实现79.5%的栅漏电荷...

拓扑与电路 ★ 4.0

基于片上嵌入式温度传感器在高电流密度下微凸点电迁移诱导退化的表征

Characterization of Electromigration-induced degradation in Micro Bumps Via On-Chip Embedded Temperature Sensors Under High Current Density

Zhenwen Pu · Yuexing Wang · Linwei Cao · Jichao Qiao 等5人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年5月

本研究通过实验与计算相结合的方法,研究了微凸点中电迁移引起的退化问题。在倒装芯片试样中嵌入了铂薄膜温度传感器,以实现实时热监测。利用这些传感器测量封装内部温度,并通过红外热成像进行验证,从而定量表征高电流密度条件下的焦耳热效应。对经过加速电流应力测试的试样进行横截面扫描电子显微镜(SEM)分析后发现,在电热耦合环境中,电迁移会引发两种并发的失效机制:(1)空洞在金属间化合物(IMC)/焊料界面形核并扩展;(2)焊料加速消耗导致的缩颈现象。本研究开发了一个多物理场建模框架,将统一蠕变塑性(UCP)...

解读: 从阳光电源功率电子产品的可靠性角度审视,该研究针对微凸点电迁移失效的表征方法具有重要参考价值。在光伏逆变器和储能变流器等核心产品中,功率模块的封装互连结构长期承受高电流密度和温度循环应力,电迁移导致的微观失效是影响系统25年以上生命周期的关键因素。 该论文提出的片上嵌入式温度传感技术为我们提供了实...

功率器件技术 SiC器件 ★ 4.0

基于4H-SiC衬底上异质外延ε-Ga₂O₃的高电流增强型MOSFET演示

Demonstration of High-Current E-Mode MOSFETs Using Heteroepitaxial ε-Ga₂O₃ on 4H-SiC Substrates

Shengheng Zhu · Linxuan Li · Tiecheng Luo · Weiqu Chen 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年5月

本文展示了在 4H - SiC 衬底上采用异质外延 ε - Ga₂O₃ 制备的高电流增强型(E 型)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些器件具有非故意掺杂(UID)沟道和超高导电性的引出区,引出区通过选择性区域氟等离子体表面掺杂工艺实现。在引出区,实现了超过 3×10¹⁴ cm⁻² 的高面载流子浓度(ns),且迁移率达到 47.1 cm²/V·s,显著降低了寄生电阻。所制备的沟道长度(LCH)为 2 μm 的 E 型 MOSFET 表现出 209 mA/mm 的高最大漏...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于4H-SiC衬底的ε-Ga₂O₃异质外延MOSFET技术展现出显著的战略价值。该技术通过氟等离子体选区掺杂工艺,实现了超高导电性的接入区,有效降低了寄生电阻,使器件在2μm沟道长度下获得了209 mA/mm的高漏极电流密度和42 mS/mm的峰值跨导,这些参数对我司...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

用于锂离子电容器的碳材料预锂化及其电化学性能研究

Electrochemical performances through pre-lithiation of carbon materials for lithium-ion capacitor application

Zambaga Otgonbayar · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年3月 · Vol.36.0

锂离子电容器(LICs)通过提供高能量密度和高功率密度,填补了电池与超级电容器之间的性能空白。然而,负极材料的局限性常常制约其整体效率,特别是由于初始锂离子损失以及结构不稳定性所致。本研究通过电化学预锂化方法合成预锂化碳化合物(PLCCs),以解决上述问题。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和拉曼光谱等手段进行结构与化学分析,证实了含锂化合物(如Li₂CO₃和Li₂O)的生成,这些化合物有效促进了离子扩散并提升了电极稳定性。本研究旨在通过对这些化合物的前期研究,解决LIC中...

解读: 该锂离子电容器预锂化技术对阳光电源ST系列储能变流器及PowerTitan系统具有重要价值。预锂化石墨负极通过降低阻抗、提升循环稳定性,可显著改善储能系统功率密度和循环寿命,契合大规模储能应用需求。该技术在电化学阻抗谱和塔菲尔分析中展现的低表面电阻特性,可为阳光电源储能PCS的快速充放电控制策略提供...

拓扑与电路 LLC谐振 DC-DC变换器 功率模块 ★ 4.0

一种用于LLC直流变压器同步整流的新型全无源谐振栅极驱动电路

A Novel All-Passive Resonant Gate for LLC DCX Synchronous Rectification

Wei Zhou · Xu Yang · Xingwei Huang · Panming Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

针对数据中心电源中高频、低压、大电流LLC直流变压器(DCX),同步整流MOSFET的驱动损耗成为限制效率的关键。现有谐振栅极驱动(RGD)方案需额外半导体器件及电源,增加了复杂性。本文提出一种全无源谐振栅极驱动电路,在降低驱动损耗的同时简化了电路设计。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及储能PCS产品线具有重要参考价值。随着功率密度要求的不断提升,LLC拓扑在高效DC-DC变换环节的应用日益广泛。该全无源谐振驱动方案通过优化同步整流效率,有助于进一步提升阳光电源高频化产品的整机效率,并降低辅助电源设计复杂度。建议研发团队评估该无源驱动电路在Power...

电动汽车驱动 GaN器件 ★ 4.0

基于p-GaN栅极HEMT平台的高电流增强型InGaN/GaN p-FET

High-Current E-Mode InGaN/GaN p-FET on p-GaN Gate HEMT Platform

Jingjing Yu · Jin Wei · Junjie Yang · Teng Li 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月

增强型(E 模式)氮化镓(GaN)p 沟道场效应晶体管(p - FET)的低电流密度对其在互补逻辑(CL)电路中的应用构成了严峻挑战。在这项工作中,在具有 p - 铟镓氮(InGaN)/p - GaN/铝镓氮(AlGaN)/GaN 异质结构的 p - GaN 栅高电子迁移率晶体管(HEMT)平台上展示了一种高电流 E 模式 InGaN/GaN p - FET。所提出的异质结构在 InGaN/GaN 界面引入了净极化电荷,从而增强了二维空穴气(2DHG)。在施加负栅极偏压时,在表面金属 - 绝缘体...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项高电流增强型InGaN/GaN p-FET技术具有重要的战略价值。该技术通过在p-GaN栅极HEMT平台上引入p-InGaN/p-GaN/AlGaN/GaN异质结构,利用极化电荷效应形成增强型二维空穴气(2DHG)通道,成功将p-FET的最大电流密度提升至-20 mA/...

储能系统技术 可靠性分析 ★ 4.0

用于高电流密度充电锂金属电池的高强度弹性体隔膜

High-strength elastomer separator for high-current-density-charging lithium metal batteries

Shufeng Song · Fengkun Wei · Ren Zhang · Anji Reddy Polu 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

河北工业大学机械工程学院、可靠性与智能电气装备国家重点实验室及国家技术创新方法与工具研究中心联合研究了一种适用于高电流密度充电条件下的锂金属电池用高强度弹性体隔膜。该隔膜具有优异的机械强度和弹性恢复能力,可有效抑制锂枝晶生长,提升电池循环稳定性与安全性。实验表明,在高电流密度下,采用该隔膜的锂金属电池表现出较低的界面阻抗和稳定的电化学性能,为高能量密度快充电池的设计提供了关键技术支撑。

解读: 该高强度弹性体隔膜技术对阳光电源储能系统和充电桩产品具有重要应用价值。在PowerTitan大型储能系统中,高电流密度快充能力可显著提升电网调频响应速度和功率密度,该隔膜的抗锂枝晶特性能延长电池循环寿命,降低ST系列储能变流器配套电池的维护成本。在新能源汽车充电桩领域,支持高电流密度充电的锂金属电池...

氢能与燃料电池 PFC整流 功率模块 储能系统 ★ 4.0

用于电解水制氢的高效率大功率非对称设计三相电源

High-Efficiency, High-Power Asymmetrically Designed Three-Phase Power Supply for Electrolytic Hydrogen Production

Hanlei Tian · Wei Han · Jagabar Sathik M · Maolin Chen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

本文提出了一种采用双非移相变压器(DNPST)的并联24脉冲整流器,旨在解决电解水制氢中低压大电流场景下的成本效益与高功率需求。通过在直流侧注入谐波,该方法有效提升了系统效率并满足了工业制氢的特殊电源需求。

解读: 阳光电源在绿氢领域已布局电解水制氢电源系统。该文献提出的24脉冲整流及谐波注入技术,可优化大功率电解槽电源的谐波性能与转换效率,直接赋能阳光电源的制氢电源产品线。建议研发团队评估该拓扑在降低变压器成本及提升系统功率密度方面的潜力,并考虑将其与阳光电源现有的PowerTitan储能系统进行协同控制研究...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

具有雪崩能力和10 A以上导通电流的1200 V全垂直硅基氮化镓p-i-n二极管

1200-V Fully Vertical GaN-on-Silicon p-i-n Diodes With Avalanche Capability and High On-State Current Above 10 A

Youssef Hamdaoui · Sondre Michler · Adrien Bidaud · Katir Ziouche 等5人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年11月

我们报道了击穿电压(BV)超过 1200 V 的全垂直氮化镓(GaN)-硅(Si)p-i-n 二极管。温度依赖性测量表明其具有雪崩击穿能力,这反映了高质量的加工工艺和外延生长。所制备的垂直 p-i-n 二极管的导通态特性显示,阳极直径较小时导通电阻为 0.48 mΩ·cm²,阳极直径较大(即 1 mm)时导通电阻为 1.7 mΩ·cm²。导通电阻的增加归因于散热问题。尽管如此,由于采用了优化工艺,包括作为边缘终端的深台面刻蚀以及通过聚酰亚胺钝化实现的背面厚铜层散热片(增强了薄膜的机械鲁棒性),大...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项1200V全垂直GaN-on-Si p-i-n二极管技术具有重要的战略价值。该技术实现了超过1200V的软击穿电压和10A以上的大电流承载能力,这些参数恰好契合我们光伏逆变器和储能变流器的核心应用场景。 在技术价值方面,该器件展现的0.48-1.7 mΩ·cm²导通电...

拓扑与电路 DC-DC变换器 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

实现99.1%峰值效率和4750 W/in³功率密度的高电流应用梯形谐振开关电容变换器

Ladder-Type Resonant Switched-Capacitor Converter Achieving 99.1% Peak Efficiency and 4750 w/in3 Power Density for High-Current Application

Dong-Ying You · Huang-Jen Chiu · Shih-Hao Kuo · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年7月

本文提出了一种用于中间总线变换器的高效率、高功率密度非隔离定比谐振开关电容变换器(RSCC)。针对高输入电压下传统梯形和Cockcroft–Walton拓扑在高电流、大降压比应用中电流应力过大的问题,该研究优化了拓扑结构,显著提升了变换效率与功率密度,为高功率密度电力电子变换器设计提供了新思路。

解读: 该技术在提升功率密度和转换效率方面的突破,对阳光电源的组串式逆变器及储能PCS(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。随着光伏和储能系统向高压化、高功率密度方向演进,该类谐振开关电容变换器可作为内部DC-DC级的高效解决方案,有助于进一步减小逆变器体积并降低损耗。建议研发团队关注其在高电流工...

拓扑与电路 DC-DC变换器 储能变流器PCS 双向DC-DC ★ 4.0

一种用于交错式Buck变换器的耦合L-LC滤波器纹波消除技术

A Coupled L-LC Filter for Interleaved Buck Converter Ripple Cancellation

Tao Jiang · Shaozhe Zhang · Jianfeng Xie · Junxian Fan 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月

本文提出了一种新型耦合L-LC滤波器交错式Buck变换器(IBC-CLLC),旨在宽输出范围内实现低输出纹波。传统交错式Buck变换器虽具备高电流输出和快速响应优势,但在不同占空比下纹波表现欠佳。IBC-CLLC通过耦合滤波器设计,有效解决了纹波抑制难题,提升了变换器的性能表现。

解读: 该技术对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack系列)及直流充电桩产品线具有重要参考价值。储能PCS中的DC-DC环节对纹波控制要求极高,直接影响电池寿命及系统效率。引入耦合L-LC滤波器技术,可在不增加复杂控制的前提下,显著降低输出电流纹波,从而减小输出电容体积,提升功率密...

功率器件技术 宽禁带半导体 SiC器件 GaN器件 ★ 4.0

传输线罗氏线圈:带宽超过3GHz的宽禁带器件隔离电流传感器

Transmission Line Rogowski Coil: Isolated Current Sensor With Bandwidth Exceeding 3 GHz for Wide-Bandgap Device

Yulei Wang · Teng Long · Mingrui Zou · Peng Sun 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月

罗氏线圈(RC)因其电气隔离、大电流测量及易于集成等优点被广泛应用。然而,受限于自感与寄生电容引起的谐振,传统RC带宽仅在几十兆赫兹,难以满足宽禁带半导体器件的高速电流测量需求。本文提出一种传输线结构罗氏线圈,实现了带宽超过3GHz的电流测量能力。

解读: 随着阳光电源在组串式光伏逆变器和PowerTitan储能系统中大规模应用SiC和GaN等宽禁带半导体器件,开关频率显著提升,传统的电流采样技术已成为制约高频性能和功率密度的瓶颈。该研究提出的超高带宽罗氏线圈技术,对于研发部门在宽禁带器件的瞬态特性测试、驱动电路优化及电磁兼容(EMC)设计方面具有极高...

拓扑与电路 DC-DC变换器 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

面向兆赫兹与大电流应用的分数匝平面变压器集成技术

Integrated Fractional-Turn Planar Transformer for MHz and High-Current Applications

Kangping Wang · Qingyuan Gao · Gaohao Wei · Xu Yang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月

针对兆赫兹高频与大电流应用中平面变压器绕组损耗大、载流能力受限的问题,本文提出了一种分数匝平面变压器结构,并将关键功率器件嵌入变压器内部。该方法有效提升了变换器的效率与功率密度。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及小型化储能PCS产品具有重要参考价值。随着功率密度要求的不断提升,MHz高频化是未来趋势,但高频下的磁性元件损耗是瓶颈。该研究提出的分数匝结构与器件集成方案,有助于优化阳光电源下一代高频DC-DC变换器的体积与效率。建议研发团队关注该结构在小功率高频模块中的应用潜力...

拓扑与电路 DC-DC变换器 功率模块 储能变流器PCS ★ 4.0

大电流PCB绕组矩阵变压器端接设计优化

Termination Design Optimization of High-Current PCB-Winding Matrix Transformers

Pranav Raj Prakash · Ahmed Nabih · Qiang Li · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年4月

随着高频谐振变换器在数据中心和汽车领域的普及,PCB变压器因其高功率密度和高效率备受关注。然而,在高频大电流应用中,若端接设计不当,会产生显著的损耗。本文旨在探讨并优化PCB变压器的端接结构,以降低寄生效应带来的损耗,提升变换器整体效率。

解读: 该研究针对高频大电流PCB变压器的端接优化,对阳光电源的电力电子产品设计具有重要参考价值。在阳光电源的户用及工商业储能系统(如PowerStack/PowerTitan)中,高频DC-DC变换器是实现高效能量转换的核心,PCB变压器设计直接影响功率密度与热管理。此外,该技术对于电动汽车充电桩的高频化...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

一种用于并联SiC JFET/Si MOSFET共源共栅结构的低成本新型拓扑以平衡开通电流与结温

A Low-Cost Novel Structure for Paralleled SiC JFET/Si MOSFET Cascodes to Balance Turn-on Current and Junction Temperature

Cheng Zhao · Laili Wang · Xu Yang · Yongmei Gan 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年12月

SiC JFET/Si MOSFET共源共栅结构(SSC)因其低导通电阻和快速开关特性在电力电子领域极具潜力。针对大电流应用中多SSC并联时,由于布局不对称导致的开通电流不平衡及结温差异问题,本文提出了一种低成本的新型结构,旨在优化并联器件间的电流分配,提升系统可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)具有重要参考价值。随着碳化硅(SiC)在光伏和储能领域的高频化应用,多管并联是提升功率密度的关键。该研究提出的电流平衡技术可有效解决并联器件因布局寄生参数不匹配导致的应力集中问题,有助于提升阳光电源大功率模...

功率器件技术 SiC器件 IGBT 功率模块 ★ 4.0

栅极电阻对改善硅/碳化硅混合开关动态过流应力的影响

Impact of Gate Resistance on Improving the Dynamic Overcurrent Stress of the Si/SiC Hybrid Switch

Xiaofeng Jiang · Huaping Jiang · Xiaohan Zhong · Hua Mao 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年11月

硅/碳化硅(Si/SiC)混合开关(HyS)结合了高电流Si IGBT与低电流SiC MOSFET的优势,在轻载和重载下均能实现更低的导通损耗。然而,为避免器件损坏,必须解决HyS在重载条件下所面临的动态过流应力问题。本文研究了栅极电阻对缓解该过流应力的影响。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器(PCS)具有重要参考价值。随着功率密度要求的提升,Si/SiC混合开关技术可在保持成本优势的同时,有效降低系统损耗。通过优化栅极驱动电路(如动态调整栅极电阻),可以显著改善功率模块在重载工况下的动态过流应力,从而提升逆变器和PCS的...

电动汽车驱动 充电桩 功率模块 热仿真 ★ 4.0

高功率、高电流纹波平面电感器的建模与设计

Modeling and Design of High-Power, High-Current-Ripple Planar Inductors

Yucheng Gao · Vivek Sankaranarayanan · Ercan M. Dede · Yuqing Zhou 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

本文针对电动汽车驱动系统等液冷高功率应用场景,研究了高电流纹波平面电感器的建模与设计优化。通过创新性的交流绕组损耗模型和热模型,在保证高效率和高功率密度的前提下,实现了电感器设计的高效计算与精确优化。

解读: 该研究对阳光电源的电动汽车充电桩及储能系统(如PowerTitan系列)中的磁性元件设计具有重要参考价值。随着功率密度的不断提升,高电流纹波下的磁损耗与热管理成为核心瓶颈。本文提出的高效建模方法可指导研发团队在充电桩高频化设计中优化平面电感结构,提升系统整体效率。建议研发部门将其热仿真与损耗模型集成...

拓扑与电路 LLC谐振 DC-DC变换器 PWM控制 ★ 4.0

高频LLC谐振变换器中同步整流器的电流检测与控制

Current Detection and Control of Synchronous Rectifier in High-Frequency LLC Resonant Converter

Kangping Wang · Gaohao Wei · Jiwen Wei · Jiarui Wu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月

同步整流技术在低压大电流应用中对提升变换器效率至关重要。针对高频大电流LLC变换器中同步整流(SR)控制的挑战,本文提出了一种用于逐周期SR控制的电流检测方法,有效解决了高频下的控制精度与可靠性问题。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及储能系统(如PowerStack)中的DC-DC变换环节具有重要参考价值。随着产品向高功率密度和高效率演进,LLC拓扑在高频化趋势下对同步整流的控制精度要求极高。该研究提出的逐周期检测方法有助于优化变换器在轻载与重载切换时的效率,减少同步整流管的导通损耗,从而提升整...

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