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耐受1.27 GW/cm²反向阻断的E型GaN-Si(100)单片异质集成级联开关
1.27 GW/cm² Reverse Blocking E-Mode GaN-Si(100) Monolithic Heterogeneous Integration Cascode Switch With Ultralow Turn-On Voltage and Dynamic RON
Yutong Fan · Weihang Zhang · Yachao Zhang · Yinhe Wu 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年5月
在本文中，展示了一种在具有氮化铝（AlN）缓冲层的碳化硅（SiC）衬底上实现的具有反向阻断兼容性的增强型（E - Mode）氮化镓 - 硅（GaN - Si(100)）单片异质集成共源共栅开关（RBMHIC - 开关）。栅漏间距（LGD）小于 22 微米的 RBMHIC - 开关的阈值电压（VTH）为 2.64 V，正向栅极电压摆幅达 16.27 V，导通电压（VON）为 0.3 V，在 - 2000 V 时反向漏电流（IR）极低，仅为 3.5×10⁻⁴ mA/mm。该开关实现了 2264 V ...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项GaN-Si异质集成反向阻断开关技术具有显著的战略价值。该器件实现了1.27 GW/cm²的功率品质因数，这一指标直接关系到我们光伏逆变器和储能变流器的功率密度提升潜力。 该技术的核心优势在于三个方面与我们的产品需求高度契合：首先，2200V级的双向阻断能力配合极低的...
势垒设计、载流子浓度与温度对氮化镓基异质结构高场输运特性的影响
On the Impact of the Barrier Design, Carrier Density, and Temperature on High-Field Transport Properties in GaN-Based Heterostructures
Philipp Döring · Sebastian Krause · Rüdiger Quay · IEEE Transactions on Electron Devices · 2026年1月 · Vol.73
本文实验研究了栅极未加偏压的GaN基异质结构中面载流子密度、势垒设计、AlN插入层及衬底温度对饱和速度的影响，并通过150 nm晶体管提取栅延迟验证。建立了饱和速度与有效载流子速度的经验模型，涵盖多参数及最高400 K温度范围。
解读: 该文聚焦GaN材料高场输运特性建模，虽属基础器件物理研究，但其饱和速度与温度依赖性模型对阳光电源下一代高频高效功率模块（如ST系列PCS、PowerTitan储能变流器中GaN基驱动级或辅助电源）的热设计与动态性能预测具参考价值。建议在SiC为主流主功率器件的当前阶段，将GaN用于PCS辅助电源、光...
一种基于SiC衬底、采用钨栅的高性能p沟道GaN MESFET，在525 K下工作并具有高ION/IOFF比
A Performance-Enhanced p-Channel GaN MESFET With Tungsten Gate and High ION/ IOFF Ratio on SiC Substrate Operational at 525 K
Huake Su · Tao Zhang · Shengrui Xu · Yachao Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年7月
在本文中，首次展示了一种基于碳化硅（SiC）衬底的常关型 p 沟道氮化镓（GaN）金属 - 半导体场效应晶体管（MESFET），其具有高的 <inline-formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink"> <tex-math notation="LaTeX">${I}_{\text {ON}}$ </tex-math></inline-formula...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项p沟道GaN MESFET技术具有重要的战略参考价值。该技术实现了常关型p沟道器件，结合n沟道器件可构建互补型CMOS架构，这为我们在光伏逆变器和储能变流器中追求更高功率密度和效率提供了新的技术路径。 该器件在SiC衬底上实现了3.3×10⁷的超高开关比和83 mV/...
Epoxy Molding Compound for Electronic Packaging: Impact of Inorganic Filler Type and Geometry
Eyann Lee · Muhamed Abdul Fatah Muhamed Mukhtar · Abdullah Aziz Saad · Mariatti Jaafar · Journal of Electronic Packaging · 2026年2月
Abstract Technological advancements have made environmental concerns critical, especially in the semiconductor industry. Bio-epoxy application in epoxy molding compounds (EMCs) offers a sustainable solution. While EMC fillers are ex...
基于氮化铝的多层薄膜电容器结构与性能研究
Structure and Properties of Aluminum Nitride-Based Multilayer Thin-Film Capacitors
Sung-Min Cho · Moon-Chul Lee · Tae-Joon Park · Seung-Hun Han 等9人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年12月 · Vol.73
本文研制了基于AlN介质和Mo/Ti电极的多层薄膜电容器（MLTC），实现17–43 nF电容与约30 pH超低ESL，显著优于传统MLCC。研究聚焦薄膜堆叠形貌控制、刻蚀工艺优化及高频特性验证，证实其在高密度、高频电路中的应用潜力。
解读: 该研究涉及高频低感薄膜电容设计与工艺，与阳光电源功率模块（如组串式逆变器、ST系列PCS中DC-link和滤波环节）的寄生参数优化相关，但AlN薄膜电容尚未进入其量产BOM。当前更适用于SiC/GaN驱动级局部去耦，建议在下一代高开关频率（>100 kHz）组串式逆变器或PowerTitan储能变流...
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