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单级交错式图腾柱LLC AC-DC变换器输入输出功率解耦的混合控制策略
Hybrid Control Strategy for Single-Stage Interleaved Totem-Pole LLC AC–DC Converter With Input and Output Power Decoupling
Buxiang Zhou · Chongfu Zhao · Huan Luo · Yiwei Qiu 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月
本文提出了一种用于单级交错式图腾柱LLC AC-DC变换器的混合控制策略。由于图腾柱PFC前端提供双向电感电流,该变换器受限于连续导通模式或临界导通模式。传统控制策略在谐振槽电压上表现出可变的占空比,本文旨在通过功率解耦优化控制性能。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。单级变换器架构能有效提升功率密度并降低系统成本,符合户用产品小型化、集成化的趋势。图腾柱PFC与LLC的结合是高效率充电桩的核心拓扑,通过混合控制策略实现输入输出功率解耦,有助于提升充电桩在宽电压范围下的效率及电能质量。建议研发团...
具有部分功率处理功能的三端口混合变压器用于可再生能源与储能集成
A Three-Port Hybrid Transformer With Partial Power Processing Function for Renewables and Energy Storage Integration
Huan Guo · Chen Li · Ruiyuan Huang · Yinghua Ye · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年9月
将储能系统(ESS)与可再生能源相结合可以平滑功率流并减轻对电网的影响。本文提出了一种具有部分功率处理(PPP)功能和变换器单元复用特性的新型混合变压器(HT)用于这种集成。文中讨论了其运行原理,如转换模式、运行范围和控制策略等。分析了诸如单元功率额定值和端口容量、处理功率比和效率等性能指标。与典型的两级配置相比,为获得规定的端口容量所需的总单元功率额定值显著降低,从而降低了成本。同时,储能系统端口的效率和最大转换容量均得到提高。通过计算、仿真和实验并进行对比,验证了这些改进效果。
解读: 从阳光电源储能系统集成业务角度分析,这项三端口混合变压器技术具有显著的战略价值。该技术通过部分功率处理(PPP)机制和变流器单元复用,为解决新能源并网与储能协同的核心痛点提供了创新路径。 在技术价值层面,该方案相比传统两级拓扑架构实现了三重突破:首先,单位功率等级的大幅降低直接转化为系统成本优势,...
p-GaN HEMT中关态漏电流形成机制的分析
Analysis of the Formation of the Off-State Leakage Current in p-GaN HEMT
Ya-Huan Lee · Po-Hsun Chen · Yu-Hsuan Yeh · Jui-Tse Hsu 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年12月
本研究对 p - 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的关态漏电流( ${I} _{\text {off}}$ )进行了分析。在漏极偏压较低(约低于 100 V)时,漏电流主要由源电极的穿通漏电流主导,随着偏压升高, ${I} _{\text {off}}$ 增大。然而,当漏极偏压处于中等水平(达到 400 V)时,由于栅极电子注入,穿通漏电流会减小。电子会注入到 GaN 缓冲层,间接导致 ${I} _{\text {off}}$ 减小。最后,当漏极偏压较高(达到 700 V)时,主要...
解读: 从阳光电源光伏逆变器和储能系统的核心应用场景来看,这项关于p-GaN HEMT器件关断态漏电流机理的研究具有重要的技术参考价值。GaN功率器件凭借其高频、高效、高功率密度的特性,正逐步成为新一代光伏逆变器和储能变流器的关键功率开关元件,直接影响系统的转换效率和可靠性。 该研究揭示了p-GaN HE...
研究一种离子掺杂剂在有机半导体及热电应用中的掺杂性能
Investigating the doping performance of an ionic dopant for organic semiconductors and thermoelectric applications
Jing Guo1Yaru Feng2Jinjun Zhang2Jing Zhang3Ping-An Chen4Huan Wei5Xincan Qiu6Yu Liu6Jiangnan Xia5Huajie Chen7Yugang Bai8Lang Jiang9Yuanyuan Hu10 · 半导体学报 · 2025年8月 · Vol.46
掺杂在提升有机半导体在光电子和热电器件中的性能方面起着关键作用。本研究系统探讨了离子掺杂剂4-异丙基-4′-甲基二苯基碘𬭩四(五氟苯基硼酸盐)(DPI-TPFB)作为p型掺杂剂在有机半导体中的性能与适用性。以p型PBBT-2T为模型,通过ESR、紫外-可见-近红外吸收光谱及功函数分析证实其显著掺杂效果,使薄膜电导率提升超过四个数量级。DPI-TPFB还表现出广泛的适用性,可有效掺杂多种p型材料,并使n型N2200转变为p型行为。将其应用于有机热电器件,获得约10 μW∙m⁻¹∙K⁻²的功率因子,...
解读: 该离子掺杂有机半导体技术对阳光电源热管理系统具有潜在价值。研究中10 μW∙m⁻¹∙K⁻²的热电功率因子可应用于ST储能变流器和SG光伏逆变器的余热回收利用,将功率器件散热转化为电能,提升系统综合效率。有机热电材料的柔性特性适合贴合SiC/GaN功率模块表面进行温差发电,为辅助电路供电。在电动汽车驱...
KGPT:基于功率调谐的静态物联网无线密钥生成
KGPT: Wireless Key Generation Based on Power Tuning for Static Internet-of-Things
Xintao Huan · Kaitao Miao · Jiamin Liu · Changfan Wu 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Informatics · 2024年12月
无线密钥生成是一种新兴的物联网(IoT)设备密钥共享解决方案,它严重依赖于无线信号的波动。然而,大多数物联网设备自部署以来一直处于静止状态,其稳定的无线信号严重降低了密钥生成的有效性。在本文中,我们为静态物联网提出了一种基于功率调谐的新型无线密钥生成方法(KGPT)。与现有方法不同,KGPT不需要任何额外的辅助设备或对硬件进行任何修改,因此适用于实际的静态物联网部署。我们分析了对现有无线密钥生成进行窃听的可能性。我们提出了三种功率调谐策略,以在静态物联网中产生用于密钥生成的无线信号波动,同时抵御...
解读: 从阳光电源分布式新能源设备网络安全的角度来看,这项基于功率调谐的无线密钥生成技术(KGPT)具有重要的应用价值。当前,我司大量部署的光伏逆变器、储能系统及能源管理设备普遍处于静态物联网场景中,设备间通信安全依赖传统密钥分发机制,存在密钥管理复杂、更新成本高等问题。 该技术的核心价值在于利用无线信号...
集成电池储能的混合变压器在电动汽车超快速充电中的应用
The Hybrid Transformer With Battery Storage Integration for Electrical Vehicle Ultrafast Charging
Huan Guo · Qi Xiong · Chen Li · Mingyu Zhou · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年9月
在电动汽车充电站中集成电池储能可有效降低对电网的影响并提升充电能力。本文提出一种集成电池储能的混合变压器方案,具备部分功率处理、变流单元复用及与交流电网协调运行的特点,适用于超快速充电站。文中介绍了电路结构与工作原理,讨论了参数设计与性能分析。相比传统配置,所提方案显著降低了实现特定充电容量所需的总变流器容量,同时因部分功率处理效应和简洁结构提升了整体效率。实验、仿真与计算结果验证了该方案的优越性,200 kW样机最高效率达98.2%,总变流容量仅396 kW即可实现380 kW最大功率转换,且...
解读: 该混合变压器集成储能技术对阳光电源充电桩及储能产品线具有重要应用价值。其部分功率处理架构可使变流器容量需求降低至传统方案的52%(396kW实现380kW功率),直接适用于阳光电源超充桩产品优化,显著降低功率模块成本。98.2%的系统效率与交流侧功率波动抑制特性,可增强ST系列储能变流器在充电场景的...
基于体接地耦合效应的GaN基MIS-HEMT绝缘层击穿分析
Analysis of Insulator Breakdown Induced by Body-Grounded-Coupling Effect in GaN-Based MIS-HEMT
Cheng-Hsien Lin · Chien-Hung Yeh · Po-Hsun Chen · Ting-Chang Chang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年1月
本研究聚焦于D模式氮化镓基金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS - HEMT)实际运行过程中出现的异常击穿问题。测量统计结果显示,体浮空器件的击穿电压( ${V}_{\text {BD}}\text {)}$ 达到1653 V;然而,体接地器件在1161 V时就发生了早期击穿。通过高温反向偏置(HTRB)退化机制,发现由于体接触导致沟道层能带存在差异。实验结果表明,该现象与漏致势垒降低(DIBL)相对应,导致沟道提前开启。技术计算机辅助设计(TCAD)仿真表明,与体浮空状态相比,体接地...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于GaN基MIS-HEMT器件绝缘层击穿机理的研究具有重要的工程应用价值。GaN功率器件凭借其高频、高效、高功率密度特性,正成为我们新一代光伏逆变器和储能变流器的核心技术方向,直接影响系统的功率密度提升和成本优化。 该研究揭示的体接地耦合效应对我们的产品设计具有关键...
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