找到 3 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
一种基于零矢量转换的三电平简化NPC逆变器调制方法
A Novel Zero Vector Transitions Based Modulation Method for Three-Level Simplified NPC Inverter With Zero Switching Loss of Inverter Stage Devices
Shuangxi Zhu · Jiajia Guan · Xuchen Sun · Xinyue Guo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
本文针对三电平简化中点钳位（NPC）逆变器，提出了一种新型空间矢量调制方法。该方法通过优化零矢量转换，有效降低了逆变级器件的开关损耗，特别是在非单位功率因数条件下，显著提升了系统效率，为三相逆变系统提供了更优的性能方案。
解读: 该技术直接契合阳光电源核心产品线——光伏逆变器（尤其是组串式与集中式逆变器）及储能变流器（PCS）。三电平拓扑是阳光电源实现高功率密度与高效率的关键技术路径。该调制方法通过降低开关损耗，能够显著提升逆变器的整机效率，特别是在工商业光伏及大型地面电站应用中，有助于降低散热成本并提升系统可靠性。建议研发...
串联SiC MOSFET的有源dv/dt平衡建模、设计与评估
Modeling, Design, and Evaluation of Active dv/dt Balancing for Series-Connected SiC MOSFETs
Keyao Sun · Emma Raszmann · Jun Wang · Xiang Lin 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年1月
SiC MOSFET串联是实现高阻断电压的有效方案，但开关瞬态下的电压不平衡是关键挑战。本文提出了一种利用可控等效米勒电容的有源dv/dt控制方法，通过调节开关过程中的电压变化率，有效解决了串联器件间的电压不平衡问题，提升了高压功率变换系统的可靠性。
解读: 随着阳光电源在大型地面电站及高压储能系统（如PowerTitan系列）中对更高直流母线电压的需求增加，SiC MOSFET的应用日益广泛。该技术通过有源dv/dt控制解决串联器件电压不平衡，能够有效提升高压功率模块的耐压等级和开关性能，降低对高压单管的依赖。建议研发团队在下一代高压组串式逆变器及大功...
基于关断延迟时间的高压大功率IGBT模块结温提取方法
Junction Temperature Extraction Approach With Turn-Off Delay Time for High-Voltage High-Power IGBT Modules
Haoze Luo · Yuxiang Chen · Pengfei Sun · Wuhua Li 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年7月
本文探讨了利用关断延迟时间作为热敏电参数（TSEP），实现高压大功率IGBT模块结温提取的方法。研究重点分析了开尔文发射极与功率发射极之间的寄生电感对该参数的影响，为功率半导体器件的实时结温监测提供了理论依据。
解读: 该研究对于阳光电源的核心产品线（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统）具有极高的应用价值。大功率IGBT是上述产品的核心功率器件，其结温直接决定了系统的可靠性与寿命。通过关断延迟时间实现非侵入式的实时结温监测，可优化阳光电源iSolarCloud平台的健康状...