找到 364 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
1.2-kV SiC沟槽栅MOSFET的重复雪崩诱导退化及一种实用的基于R-UIS的筛选方法
Repetitive-Avalanche-Induced Degradation in 1.2-kV SiC Trench-Gate MOSFETs and a Practical R-UIS-Based Screening Method
Hengyu Yu · Michael Jin · Monikuntala Bhattacharya · Shiva Houshmand 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月
本文系统研究了两种商用1.2-kV SiC沟槽栅MOSFET（非对称沟槽AT-MOS和增强型双沟槽RDT-MOS）在重复非钳位电感开关（R-UIS）应力下的退化机制。研究揭示了雪崩能量和关断电压对器件性能的影响，并提出了一种基于R-UIS的实用筛选方法，旨在提升SiC功率器件在电力电子应用中的可靠性。
解读: 随着阳光电源在组串式光伏逆变器（如SG系列）和储能变流器（如PowerTitan系列）中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，器件的长期可靠性至关重要。本文研究的R-UIS应力下的退化机制，直接关系到逆变器在复杂电网环境下的抗冲击能力。建议研发团队将该筛选方法引入SiC功率模块的入厂检...
一种涵盖正向和反向运行的1.2-kV SiC MOSFET和JBSFET统一行为模型
A Unified Behavioral Model for 1.2-kV SiC MOSFETs and JBSFETs Covering Forward and Reverse Operations
Aijun Zhang · Yuming Zhang · Zhiyuan Qi · Yibo Zhang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月
本文研究并对比了4H-SiC MOSFET与集成JBS二极管的JBSFET在第三象限及反向恢复特性方面的电气行为。为了进行全面比较，研究建立了一种统一的行为模型，能够准确描述这些器件在正向和反向工作模式下的性能，为高性能功率转换系统的设计提供理论支撑。
解读: 该研究对阳光电源的核心产品线具有极高价值。1.2kV SiC器件是公司组串式逆变器、PowerTitan储能系统及高压充电桩实现高效率、高功率密度的关键。JBSFET技术通过集成肖特基二极管优化了体二极管特性，能显著降低反向恢复损耗和导通损耗。建议研发团队利用该统一行为模型，在产品设计阶段进行更精确...
利用磁耦合辅助回路表征并最小化可重构电池系统中的换流回路电感
Characterization and Minimization of Commutation Loop Inductance in Reconfigurable Battery Systems Using Magnetically Coupled Auxiliary Loops
Christian Hanzl · David Wenninger · Christian Endisch · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月
本文研究了基于半桥拓扑的可重构电池系统中的换流回路电感问题，分析了串联电池单元数量变化对电感的影响。为降低回路电感，文章提出了三种优化方法，重点探讨了引入磁耦合导体/辅助回路的技术方案，旨在提升电力电子系统的开关性能与效率。
解读: 该研究直接针对储能系统中的核心功率变换环节，对阳光电源的PowerTitan和PowerStack系列储能系统具有重要参考价值。随着储能系统向高压化、高功率密度方向发展，换流回路的寄生电感成为限制开关频率和效率的关键瓶颈。文中提出的磁耦合辅助回路优化方案，可有效降低开关过程中的电压尖峰，提升PCS模...
一种兆瓦级中频变压器的新型实验验证拓扑与调制方法
A Novel Experimental Verification Topology and Modulation Method for Megawatt-Level Medium-Frequency Transformers
Yiqing Ma · Biao Zhao · Bin Cui · Jialiang Hu 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年1月
针对兆瓦级中频变压器（MFT）在实验室环境下进行全功率及热稳定性验证的挑战，本文提出了一种新型实验验证拓扑及调制方法。该方法特别适用于电压转换比超过1:20的直流变压器系统，有效解决了高功率等级下测试设备受限及测试难度大的技术瓶颈。
解读: 该技术对于阳光电源的PowerTitan系列液冷储能系统及未来高压直流耦合架构具有重要意义。随着储能系统向更高电压等级（如1500V及以上）和更高功率密度演进，中频变压器（MFT）在隔离型DC-DC变换器中的应用日益广泛。本文提出的实验验证方法能有效缩短研发周期，提升大功率变压器在极端工况下的热稳定...
大规模电力电子主导电力系统在LTP框架下的电磁振荡稳定器——第二部分：广义周期稳定控制与设计
Electromagnetic Oscillation Stabilizer for Large-Scale Power Electronics-Dominated Power Systems in LTP Framework–Part II: Generalized Periodic Stabilization Control and Design
Buyang Du · Jianhang Zhu · Jiabing Hu · Zeren Guo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月
本文针对电力电子主导电力系统中的电磁振荡问题，在线性时变（LTP）框架下，重点研究了电磁振荡稳定器（EOS）的结构设计与参数优化。文章提出了一种广义周期稳定控制方法，旨在解决大规模并网系统中的振荡抑制难题，提升系统在复杂电网环境下的稳定性。
解读: 随着阳光电源PowerTitan储能系统及大型组串式逆变器在弱电网场景下的应用日益广泛，系统振荡问题成为影响并网稳定性的关键挑战。本文提出的LTP框架下的振荡抑制技术，对于提升阳光电源构网型（GFM）逆变器和储能变流器（PCS）在复杂电网环境下的鲁棒性具有重要指导意义。建议研发团队将该广义周期控制策...
1.2kV平面型与沟槽型SiC MOSFET体二极管重复脉冲电流应力下的退化研究
Investigation on Degradation of 1.2-kV Planar and Trench SiC MOSFETs Under Repetitive Pulse Current Stress of Body Diode
Hengyu Yu · Michael Jin · Jiashu Qian · Monikuntala Bhattacharya 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文首次实验研究了1.2kV商用SiC MOSFET（平面栅、增强对称沟槽及非对称沟槽结构）的体二极管可靠性。通过提出的重复脉冲电流测试平台，在保证热限制的前提下实现了高电流测试。研究揭示了不同结构SiC MOSFET在体二极管导通应力下的退化机理，为功率器件选型与可靠性设计提供了重要参考。
解读: SiC MOSFET是阳光电源组串式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器及电动汽车充电桩的核心功率器件。随着公司产品向高功率密度、高效率方向演进，SiC器件的应用已成主流。本文针对不同结构SiC MOSFET体二极管在重复脉冲下的退化研究，对公司优化逆变器及PCS的死区时...
一种集成液冷基板嵌入式碳化硅功率模块
A Novel Substrate-Embedded SiC Power Module With Integrated Liquid Cooling
Xinnan Sun · Min Chen · Jie Li · Fengze Hou 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月
为充分发挥碳化硅（SiC）器件优势，本文提出一种集成液冷基板嵌入式SiC功率模块。该模块将四颗1.2kV SiC MOSFET嵌入有机基板，通过直接键合微通道散热器进行冷却，封装尺寸仅为20mm×20mm×2.4mm。该设计实现了极短的电气互连，显著降低了寄生参数并提升了散热性能。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的战略价值。在光伏组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）中，功率密度和散热能力是提升竞争力的关键。嵌入式封装与微通道液冷技术能有效降低寄生电感，提升开关频率，从而减小磁性元件体积，助力产品向更高功率密度演进。建议研发团队关注该...
具有解耦控制的多端口共用直流-直流变换器用于多电压直流电网
Multi-Port Arm Shared DC-DC Converter with Decoupling Control for Multi-Voltage DC Grid
作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月
多端口直流 - 直流变换器是直流电网的核心交换枢纽，尤其适用于新能源分区接入和复杂环网场景。本文提出了一种各端口电压和电流可灵活控制的多端口臂共享直流 - 直流变换器。针对该多端口架构，提出了一种用节点电压控制替代臂间能量平衡控制的解耦控制策略，以及一种基于模块化多电平换流器（MMC）交/直流侧有源充电的分臂启动方法。所提出的控制策略增强了臂共享直流 - 直流变换器在多端口复杂功率变化下的稳定性和鲁棒性。所提出的启动方法降低了启动实施难度，具有启动应力小、各端口独立性强的优点。搭建了一台额定功率...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这篇论文提出的多端口共臂式DC-DC变换器技术具有重要的战略价值。该技术针对直流电网中的多电压等级互联问题，与我司在光储充一体化、多能互补系统等领域的业务需求高度契合。 在技术创新层面，论文提出的解耦控制策略和分臂启动方法解决了多端口功率交换的核心难题。传统MMC架构在多...
基于事件驱动的强化学习预测控制器设计用于三相NPC变换器
Event-Driven Based Reinforcement Learning Predictive Controller Design for Three-Phase NPC Converters Using Online Approximators
Xing Liu · Lin Qiu · Youtong Fang · Kui Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月
本文针对三相NPC变换器提出了一种基于事件驱动的强化学习无模型预测控制策略。该方法利用在线逼近器解决系统不确定性，并通过事件触发机制有效降低开关损耗。核心创新在于引入评价神经网络学习性能函数，实现对复杂电力电子系统的优化控制。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（如集中式逆变器、大功率储能PCS）具有极高的应用价值。NPC（中点钳位）三电平拓扑是阳光电源大功率光伏逆变器和PowerTitan系列储能变流器的关键技术路线。通过引入强化学习与事件驱动控制，可以在保证并网电能质量的前提下，显著降低开关频率带来的损耗，提升整机效率。建议...
任意绕组排列变压器中利兹线损耗的快速解析模型
Fast Analytical Loss Model for Litz Wire in Transformers With Arbitrary Winding Arrangements
Qingchao Meng · Jürgen Biela · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月
针对中高压、分段及多绕组变压器中磁场呈二维分布导致传统一维损耗模型失效的问题，本文提出了一种适用于任意绕组排列的利兹线（LW）损耗快速解析模型。该模型通过计算磁场二维空间RMS值，实现了对涡流损耗的精确预测，显著提升了复杂变压器设计的效率与准确性。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心产品线，如组串式/集中式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中的高频磁性元件设计。在当前追求高功率密度和高效率的趋势下，变压器损耗优化至关重要。该解析模型能有效替代繁琐的有限元仿真，帮助研发团队在设计阶段快速评估复杂绕组下的利兹线损耗，优化磁性...
基于白噪声注入数据增强的三电平NPC逆变器鲁棒开路故障诊断
Robust Open-Switch Fault Diagnosis of Three-Level NPC Inverters Based on Data Augmentation With White Noise Injection
Jiwon Jung · Dyan Puspita Apsari · Dong-Choon Lee · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月
本文提出了一种基于一维卷积神经网络（1-D CNN）的三电平中点钳位（NPC）逆变器实时故障诊断方法。通过在仿真数据中引入白噪声进行数据增强，显著提升了深度学习模型的泛化能力，确保诊断模型在未训练工况下仍具备高鲁棒性。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式逆变器、集中式逆变器及储能PCS）具有极高价值。三电平NPC拓扑广泛应用于阳光电源的高功率密度产品中，故障诊断的实时性与鲁棒性直接关系到设备的可靠性与运维成本。通过引入数据增强技术，可有效解决深度学习模型在复杂电网环境下泛化能力不足的问题，提升iSolarClo...
一种考虑寄生电容和死区时间的各类谐振变换器精确、通用且快速的时域模型
An Accurate, Universal, and Fast Time Domain Model for Different Types of Resonant Converters by Considering Parasitic Capacitors and Deadtime
Ziang Li · Shuo Zhang · Dachuan Chen · Peng Sun 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
针对现有CLLLC类谐振变换器时域模型在拓扑通用性、寄生参数/死区效应考虑及计算效率方面的不足，本文提出了一种基于先进状态空间分析的方法。该模型能够精确描述不同谐振网络下的稳态波形，同时显著降低计算开销，为谐振变换器的设计与优化提供了高效的理论工具。
解读: 该研究对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。首先，CLLLC谐振变换器是公司储能系统（如PowerTitan、PowerStack）中双向DC-DC模块的核心拓扑，该模型能显著提升变换器效率优化与死区时间设计的精确度。其次，在电动汽车充电桩业务中，该通用模型可加速高频化设计进程，助力提升功率密度...
对称磁通波形经验磁芯损耗模型综述
A Review on the Empirical Core Loss Models for Symmetric Flux Waveforms
Sobhi Barg · Souhaib Barg · Kent Bertilsson · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
本文综述了针对对称磁通波形的经验磁芯损耗模型，重点分析了Steinmetz和Bertotti模型。文章从物理背景、复杂度、精度以及灵活性与通用性四个维度对现有模型进行了评估，探讨了各模型的原理、优势及局限性，为电力电子磁性元件设计提供参考。
解读: 磁性元件（电感、变压器）是阳光电源光伏逆变器、储能PCS及风电变流器的核心部件，其损耗直接影响整机效率与温升。本文对磁芯损耗模型的系统性梳理，有助于研发团队在设计阶段更精准地评估高频化、高功率密度产品（如PowerTitan系列储能系统及组串式逆变器）中的磁性元件损耗。建议将文中评估的高精度模型集成...
一种自动均衡两个并联SiC MOSFET漏极电流的单输入双输出数字栅极驱动IC
Single-Input Dual-Output Digital Gate Driver IC Automatically Equalizing Drain Current Variations of Two Parallel-Connected SiC MOSFETs
Kohei Horii · Katsuhiro Hata · Shin-Ichiro Hayashi · Keiji Wada 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
本文提出了一种单输入双输出数字栅极驱动（DGD）IC，旨在解决两个并联SiC MOSFET在器件特性差异及PCB寄生电感不匹配导致的电流不均问题。该方案首次实现了传感器信号处理、驱动逻辑与控制器的全集成，能够实时检测并自动均衡漏极电流，提升并联系统的可靠性与效率。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。在组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器中，为了提升功率密度，常采用多管并联方案，SiC器件的电流不均是制约可靠性的关键瓶颈。该集成化驱动IC方案能有效解决并联均流难题，减少对PCB布局的严苛要求，降低系统损耗，并提升SiC模块的...
经典一维模型演进及利兹线损耗表征的改进方法
Evolution of Classical 1-D-Based Models and Improved Approach for the Characterization of Litz Wire Losses
Asier Arruti · Iosu Aizpuru · Mikel Mazuela · Ziwei Ouyang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月
本文针对高频变压器设计中利兹线损耗预测难题，对经典一维分析模型进行了批判性综述。针对现有模型在宽设计空间下精度不足的问题，提出了一种改进的表征方法，旨在提升高频磁性元件损耗计算的准确性，为电力电子变换器的高效设计提供理论支撑。
解读: 在高频化趋势下，磁性元件损耗是影响阳光电源组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器效率与功率密度的关键因素。利兹线作为高频变压器和电感的核心绕组材料，其损耗建模的精确性直接决定了散热设计与热管理策略的有效性。该研究提出的改进模型有助于优化磁性元件设计，降低温升，提升产品在极...
使用无源性指标分析电网-逆变器交互的局限性
Limitations of Using Passivity Index to Analyze Grid–Inverter Interactions
Feifan Chen · Xiongfei Wang · Lennart Harnefors · Sei Zhen Khong 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月
本文探讨了在低频范围内利用频域无源性理论分析电网-逆变器交互的局限性。研究重点涵盖了无源性指标的选择标准、不同调谐方法间的潜在冲突，以及这些局限性对系统稳定性分析的影响，旨在为电力电子系统的并网稳定性评估提供更严谨的理论参考。
解读: 该研究直接关系到阳光电源组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器在复杂电网环境下的稳定性。随着全球电网弱电网特征日益显著，传统的无源性分析方法可能导致误判，影响系统并网性能。建议研发团队在开发构网型（GFM）和跟网型（GFL）控制策略时，参考文中关于无源性指标的局限性分析，...
动态非线性下垂控制
DNDC）：一种直流微电网的新型一次控制方法
Hao Tu · Hui Yu · Srdjan Lukic · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月
本文提出了一种用于直流微电网的动态非线性下垂控制（DNDC）方法，旨在无需通信的情况下实现电压调节与功率分配。该控制器基于非线性动力学方程，可视为交流微电网可调度虚拟振荡器控制的直流对应方案，在暂态过程中表现出优异的性能。
解读: 该技术对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及微电网解决方案具有重要参考价值。DNDC无需通信即可实现功率分配，能显著提升储能变流器（PCS）在离网或弱电网环境下的并联运行稳定性与响应速度。建议研发团队将其作为构网型（GFM）控制策略的优化方向，特别是在多机并联的直流微...
一种具有优化系统接口和电场分布的10 kV SiC MOSFET功率模块
A 10 kV SiC MOSFET Power Module With Optimized System Interface and Electric Field Distribution
Xiaoling Li · Yuxiang Chen · Hao Chen · Riya Paul 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
本文提出了一种针对10 kV碳化硅（SiC）MOSFET功率模块的系统化设计方法。通过多目标优化，实现了电场分布的增强、共模寄生电容的最小化以及系统级寄生电感的降低，为高压功率模块的设计提供了创新技术路径。
解读: 该研究聚焦于高压SiC功率模块的封装与电磁优化，对阳光电源的核心业务具有极高价值。10 kV SiC器件是实现中压直挂（MV-grid）光伏逆变器和储能PCS的关键，能显著减少变压器体积并提升系统效率。该模块的电场优化与寄生参数控制技术，可直接应用于PowerTitan等大功率储能系统及集中式光伏逆...
基于双谐振核的混合控制策略升降压开关电容变换器及其在宽输出电压应用中的频率范围缩减研究
Hybrid Control Strategy Dual Resonance Core-Based Step-Up/Down Switched Capacitor Converter With Reduced Frequency Range for Wide Output Voltage Application
Zhangyong Chen · Yubo Han · Yunfeng Wu · Zhengdong Lu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月
针对光伏发电及电池储能系统中宽电压范围变换的需求，本文提出了一种基于双谐振核的升降压开关电容变换器。该拓扑通过混合控制策略，有效解决了传统谐振变换器在宽增益范围内调节频率过宽及循环电流损耗大的问题，实现了更高效的宽电压范围功率转换。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高参考价值。在光伏组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中，宽电压范围下的高效率转换是提升系统能量密度的关键。该拓扑通过优化谐振核与混合控制，能有效缩减开关频率范围，降低磁性元件损耗，有助于进一步提升逆变器和PCS的功率密度与效率。建议研发团...
1.2 kV SiC MOSFET与JBS集成MOSFET高温电学特性对比研究
Comparative Study on High-Temperature Electrical Properties of 1.2 kV SiC MOSFET and JBS-Integrated MOSFET
Zhaoyuan Gu · Mingchao Yang · Yi Yang · Xihao Liu 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年4月
针对4H-SiC MOSFET中寄生PiN体二极管在高温下存在正向压降大、反向恢复特性差的问题，本文研究了集成肖特基势垒二极管（JBS）的MOSFET方案。该方案能有效抑制PiN二极管导通，提升高温运行下的电气性能与可靠性。
解读: 该研究直接关联阳光电源的核心功率器件选型与模块设计。随着公司组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和高温环境运行演进，SiC MOSFET的应用已成为提升效率的关键。集成JBS的SiC器件能显著改善体二极管特性，降低开关损耗并提升高温可靠性，这对优化逆变器...
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