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基于过氧化氢共溶剂超临界流体体系的钨掺杂氧化铟薄膜晶体管缺陷钝化数值分析
Numerical analysis of defects passivation for tungsten-doped indium oxide thin film transistors by using hydrogen peroxide as cosolvent in a supercritical fluid system
Zeqiu Tang · Kai-Jhih Gan · Kuei-Shu Chang-Liao · Zefu Zhao 等12人 · Solid-State Electronics · 2026年6月 · Vol.234
本文采用数值模拟方法研究在超临界流体系统中以过氧化氢为共溶剂对钨掺杂氧化铟（IWO）薄膜晶体管缺陷进行钝化的机制，聚焦于界面态密度、载流子迁移率及阈值电压稳定性等关键电学参数的优化。
解读: 该研究聚焦于新型透明氧化物半导体（IWO）薄膜晶体管的材料级缺陷钝化，属底层半导体工艺与器件物理范畴，与阳光电源主营的功率变换设备（如ST系列PCS、组串式逆变器）无直接产品关联。虽IWO材料未来或用于高精度传感器或智能驱动IC，但当前未进入光伏/储能功率器件主流技术路径（SiC/GaN/IGBT仍...