找到 3 条结果 · 功率器件技术
均匀掺杂P型衬底EBCMOS器件噪声特性影响因素研究
Influencing factors of noise characteristics in EBCMOS with uniformly doped P-type substrates
作者未知 · 半导体学报 · 2026年1月 · Vol.2026
本文针对电子轰击CMOS成像芯片，建立P型均匀掺杂结构的物理噪声模型，分析钝化层、衬底掺杂浓度/厚度、入射电子能量及温度对噪声的影响；仿真优化得Al2O3钝化层15 nm、衬底温度260 K等参数，SNR达252 e/e，指出界面缺陷主导的暗电流噪声是关键限制因素。
解读: 该文聚焦EBCMOS成像芯片的半导体噪声机理，属高端图像传感器器件物理范畴，与阳光电源核心业务（光伏逆变器、储能PCS、风电变流器）无直接技术关联。其涉及的低噪声设计、界面缺陷控制、低温工作优化等方法论，虽在广义上可为功率器件（如SiC/GaN驱动级传感电路）的可靠性设计提供参考，但不涉及逆变器拓扑...
衬底体梯度掺杂对EBCMOS器件空间分辨率影响因素研究
Factors Influencing Spatial Resolution in EBCMOS Devices Under Substrate Bulk Gradient Doping
Yadi Zhang · Jiatong Zheng · Jincheng Zhao · Gangcheng Jiao 等7人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2026年1月 · Vol.73
本文研究衬底体梯度掺杂下电子倍增层中影响EBCMOS器件空间分辨率的关键因素，建立载流子输运与复合理论结合蒙特卡洛法的模型，仿真优化衬底厚度、体掺杂浓度、掺杂深度及表面掺杂浓度，实现51 lp/mm最高分辨率。
解读: 该文聚焦EBCMOS成像器件的电子倍增层掺杂结构优化，属高端光电探测与微纳半导体工艺范畴，与阳光电源主营的光伏逆变器、储能PCS等电力电子装备无直接技术关联。其载流子输运建模与蒙特卡洛仿真方法可间接启发SiC/GaN功率器件的少子寿命、电场分布等多物理场仿真能力提升，但不涉及逆变拓扑、MPPT、BM...
基于SOI衬底的铁电忆容器件通过耗尽电容调制实现高电容比以支持尺寸微缩
Ferroelectric Memcapacitor on SOI for High Capacitive Ratio by Mechanism of Depletion Capacitance Modulation Toward Dimension Scaling Down
Z.-F. Lou · B.-R. Chen · A. Aich · J.-H. Chen 等8人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年12月 · Vol.47
本文报道了基于SOI衬底的铁电电容存储器（FCM），实现500倍高低电容比，源于SOI对垂直耗尽区的空间限制及双层Hf1-xZrxO2（DHZO）低电压饱和电容提升；具备>10^9次非破坏性读取能力，适用于神经形态计算。
解读: 该研究聚焦于新型铁电忆容器件的物理机制与纳米尺度电容调控，属于前沿半导体器件基础研究，与阳光电源主营的功率变换产品（如ST系列PCS、PowerTitan储能系统、组串式逆变器）无直接电路或系统级应用关联。其SOI工艺、DHZO材料及耗尽区仿真方法对功率器件可靠性建模和高温高频下电容退化分析有一定间...