找到 4 条结果 · 功率器件技术

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功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

高压大容量应用中IGBT驱动技术综述

Overview of IGBT Driving Technology for High Voltage and High Capacity Applications

Xianjin Huang · Pengze Zhu · Jiaqi Pan · Yang Cai 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月

本文综述了高压大容量应用(如海上风电、直流输电等)中IGBT驱动电路的研究现状。驱动电路作为功率转换设备的核心,对提升开关性能、系统可靠性及效率至关重要。文章对比了不同驱动拓扑的优缺点,并探讨了未来在高压环境下驱动技术的发展趋势。

解读: IGBT驱动技术是阳光电源核心产品(如集中式/组串式光伏逆变器、PowerTitan储能变流器及风电变流器)性能优化的基石。随着公司产品向更高电压等级(如1500V/2000V系统)和更大功率密度演进,驱动电路的抗干扰能力、开关损耗控制及短路保护机制直接决定了产品的可靠性与效率。建议研发团队关注文中...

功率器件技术 IGBT 可靠性分析 故障诊断 ★ 5.0

基于改进温度准则的IGBT健康状态监测自激短路法研究

Research of Self-Excited Short Circuit Method for Monitoring IGBT Health Status With Improved Temperature Criterion

Xianjin Huang · Pengze Zhu · Li Zhu · Guangang Gao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月

针对IGBT模块在长期运行中键合线和母排易出现断路导致短路电流变化的问题,本文提出一种自激短路监测技术。通过控制栅极电压产生小电流短路,并结合改进的温度准则,实现对IGBT健康状态的有效评估与故障诊断。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统)具有极高的应用价值。逆变器与PCS中的IGBT模块是核心功率器件,其可靠性直接决定了系统的寿命。通过引入自激短路监测技术,阳光电源可在iSolarCloud平台中集成更精准的预测性维护功能,...

功率器件技术 功率模块 可靠性分析 IGBT ★ 5.0

功率半导体器件损耗分布的统计表征

Statistical Characterization for Loss Distributions of Power Semiconductor Devices

Ke Ma · Jiayang Lin · Ye Zhu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月

本文提出了一种基于H桥测试电路的方法,用于揭示功率半导体器件开关损耗和通态电压的统计分布。该方法通过专门设计的测试序列,能够更准确地评估功率电子系统的可靠性,为器件损耗特性的深入研究提供了统计学依据。

解读: 该研究直接服务于阳光电源核心产品(光伏逆变器、储能PCS、风电变流器)的可靠性设计。功率器件是这些产品的核心损耗源,通过统计学方法量化损耗分布,有助于优化组串式及集中式逆变器在极端工况下的热设计与寿命预测。建议研发团队将此统计表征方法引入PowerTitan等储能系统的功率模块选型与可靠性验证流程中...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

60Co γ辐照引起的p-GaN栅极AlGaN/GaN HEMT漏电机制

Gate leakage mechanisms caused by 60Co gamma irradiation on p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs

Danmei Lin · Xuefeng Zheng · Shaozhong Yue · Xiaohu Wang · Applied Physics Letters · 2025年9月 · Vol.127

研究了60Co γ射线辐照对p-GaN栅极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)栅极漏电特性的影响。实验结果表明,辐照后栅极漏电流显著增加,主要归因于γ光子诱导的位移损伤在p-GaN/AlGaN界面附近形成受主型缺陷,导致隧穿势垒降低和漏电路径增强。通过电容-电压与电流-电压特性分析,确认辐照诱发的缺陷能级位于禁带中下部,促进了Frenkel对的生成与载流子热发射过程。该工作揭示了p-GaN基HEMT在辐射环境下的可靠性退化机制。

解读: 该研究对阳光电源GaN器件应用的可靠性设计具有重要参考价值。研究揭示的γ辐照导致p-GaN栅极漏电增加的机理,可指导我们在SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的防护设计。特别是对于航天级或核电站配套的特种变流设备,需要重点考虑辐照环境下GaN器件的栅极可靠性问题。建议在功率模块设计时采...