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超宽禁带Al0.65Ga0.35N沟道HEMT中低接触电阻与高击穿电压
>2.5 kV）输运特性研究
Swarnav Mukhopadhyay · Khush Gohel · Surjava Sanyal · Mayand Dangi 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126
本文报道了基于Al0.65Ga0.35N沟道的超宽禁带HEMT器件，实现了低接触电阻和高击穿电压（>2.5 kV）。通过优化欧姆接触工艺与异质结构设计，显著提升了二维电子气的输运性能。实验结果表明，该器件在高温和高电场下仍保持优异的载流子迁移率与电流稳定性，揭示了高铝组分氮化物在高压功率电子中的潜力。
解读: 该超宽禁带Al0.65Ga0.35N HEMT器件研究对阳光电源高压功率产品具有重要参考价值。2.5kV以上的高击穿电压特性可应用于ST系列储能变流器和SG系列高压光伏逆变器的功率模块升级，低接触电阻和优异的高温载流子输运性能有助于提升PowerTitan大型储能系统的功率密度和效率。这项技术为下一...
具有高约翰逊品质因数
>6 THz·V）的64% AlGaN沟道HFET
Jiahao Chen · Parthasarathy Seshadri · Kenneth Stephenson · Md Abdullah Mamun 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年4月
在这篇快报中，我们报道了一种采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长的、具有 Al₀.₈₇Ga₀.₁₃N 势垒层和 Al₀.₆₄Ga₀.₃₆N 沟道层的异质结场效应晶体管（HFET）。对该结构进行传输线模型（TLM）测量，结果显示其方块电阻约为 2000 Ω/□，线性欧姆接触电阻为 4.54 Ω·mm。栅长约为 200 nm、源漏间距为 4 μm 的 HFET 表现出约 40 mS/mm 的峰值跨导和约 0.6 A/mm 的高峰值漏极电流。观察到其电流增益截止频率（fₜ）为 15.7 GH...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于高铝组分AlGaN沟道的异质结场效应晶体管（HFET）技术展现出显著的应用潜力。该器件实现了6.1 THz·V的约翰逊品质因数（JFOM），标志着超宽禁带半导体在高频高压领域的重要突破。 对于光伏逆变器和储能变流器等核心产品，该技术的价值主要体现在三个维度：首先，...
高压晶闸管在严重浪涌电流下的极限性能与失效机理
Extreme Performance and Failure Mechanism of High-Voltage Thyristor Under Severe Surge Current
Chen Yang · Chunpin Ren · Jinpeng Wu · Jiapeng Liu 等10人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年11月 · Vol.14
脉冲功率系统需半导体器件具备高浪涌电流耐受与高电压阻断能力。本文通过全芯片浪涌测试、失效机理分析及定量建模，揭示高压晶闸管在极端脉冲下的性能边界与热-电耦合失效机制，为PPS中器件选型与保护设计提供依据。
解读: 该研究虽聚焦晶闸管（非阳光电源主流使用的IGBT/SiC器件），但其浪涌失效机理、多物理场耦合建模方法及可靠性评估框架可迁移至阳光电源ST系列PCS、PowerTitan储能系统的功率模块热应力设计与短路保护策略优化。建议在组串式逆变器和构网型PCS的过流保护算法中引入类似失效阈值模型，并结合iSo...