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IEEE电子器件汇刊作者指南
IEEE Transactions on Electron Devices Information for Authors
| 作者 | |
| 期刊 | IEEE Transactions on Electron Devices |
| 出版日期 | 2026年1月 |
| 卷/期 | 第 73 卷 第 2 期 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 IGBT SiC器件 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★ 2.0 / 5.0 |
| 关键词 |
本文为IEEE Transactions on Electron Devices期刊的投稿指南，涵盖稿件格式、审稿流程、版权政策等出版规范，不涉及具体技术研究内容。
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SunView 深度解读
该指南本身无技术内容，但其所属期刊聚焦电子器件物理、建模与可靠性，长期刊载IGBT、SiC/GaN功率器件的前沿研究成果。阳光电源在组串式逆变器、ST系列PCS及PowerTitan储能系统中深度应用SiC模块以提升效率与功率密度，建议研发团队持续跟踪该刊在宽禁带器件动态特性、短路鲁棒性及封装热-电耦合方面的论文，指导下一代高功率密度功率模块选型与驱动优化。